Лекции.Орг


Поиск:




Категории:

Астрономия
Биология
География
Другие языки
Интернет
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Механика
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Транспорт
Физика
Философия
Финансы
Химия
Экология
Экономика
Электроника

 

 

 

 


Применение эффекта Поккельса




 

Фазовая модуляция света. Эффект Поккельса нашел широкое применение при создании различных технических устройств и прибо­ров: оптических волноводов, модуляторов, дефлекторов, затворов и т.п. Наиболее простым из них является фазовый модулятор (модулятор све­та - устройство для управления параметрами световых потоков: ампли­тудой, частотой, фазой, поляризацией), в котором линейное электрооп- тическое изменение показателя преломления приводит к фазовому сдвигу распространяющейся волноводной моды.

Волна вида (39), прошедшая путь L в кристалле, помещенном в

электрическое поле , приобретает фазовый сдвиг

 

(62)

где для и согласно (41), (57) и (61) имеем:

  (63)  

Здесь - фазовый сдвиг, приобретенный светом при прохождении пу­ти L в естественном кристалле (в отсутствие поля ); - дополни­тельный фазовый сдвиг, индуцированный полем . Показатель пре­ломления и постоянная Поккельса R в (63) выбраны в соответствии с заданными направлениями: распространения волны m, поляризации

поля d и внешнего поля (подобно тому, как это сделано в (61)).

Наличие фазового сдвига в (63) означает фазовую модуляцию света. Величину можно записать в виде

(64)  

 

где V - внешнее напряжение, приложенное к кристаллу; G - размер

кристаллического элемента вдоль силовых линий поля . Напряжение (иногда вместо пишут ) - так называемое полуволновое на­пряжение, т.е. напряжение, которое нужно приложить к фазовому мо­дулятору для получения сдвига .

При использовании продольного эффекта (G = L) зависит лишь от и свойств кристаллического элемента, а при поперечном эффекте зависит и от геометрии кристалла.

Схема амплитудного модулятора света с поляризационной ячейкой. Амплитудный модулятор света (АМС) отличается от фазового наличием двух скрещенных () поляризаторов (рис.11), между которыми находится кристалл.

 

Рис.11.

 

Световая волна, поляризованная входным поляризатором (вектор пропускания ) и имеющая интенсивность света , распадается в анизотропном элементе на волны, поляризованные вдоль и (здесь для удобства индекс поляризации (48) поставлен внизу). На выходе элемента, согласно (62) и (63), эти волны получают фазовые сдвиги:

(65)  

В результате прохождения через кристалл линейно-поляризо- ванные моды оказываются сдвинутыми по фазе на

(66)  

Параметр Г играет существенную роль при расчете интенсивности света на выходе поляризатора р2.

На рис.12 приведены векторы и . Угол определяет связь между следующими амплитудами: - волны, прошедшей через поляризатор ; - линейно-поляризованных мод , распростра­няющихся по кристаллу; Ь\ 2 - составляющих мод d(2, прошедших че­рез поляризатор

Рис. 12.

Из построения следуют равенства:

  (67)  

 

Для мод , прошедших через поляризатор , имеем:

где . - рассчитанный по формулам (65), (62), (63) фазовый сдвиг -й моды. С учетом вытекающего из построений рис. 12 и формул (67) ра­венства для суперпозиции волн и найдем:

(68)

После несложных преобразований для разности , фазовых мно­жителей будем иметь:

    (69)  

где учтено определение Г, согласно (65). Подставив (69) в (68), получим:

Для достижения на выходе максимальной контрастности полагают . Тогда в силу (67) запишем:

Поскольку интенсивность волны (39) пропорциональна квадрату любо­го из векторов D 0, E 0, H 0 для интенсивности I2 света, прошедшего че­рез поляризатор р 2, имеем:

(70)  

Как и в случае фазового модулятора, представим параметр Г (65) в форме (62), (63):

(71)  

Выразив через напряжение V, подобно (64), запишем:

 

(72)

 

где - полуволновое напряжение.

Амплитудная характеристика ЛМС. Зависимость (70) интен­сивности от разности фаз индуцированной внешним полем

(или от напряжения V (72)), называется амплитудной характеристи­кой АМС. На рис. 13, 14 приведены типичные амплитудные характери­стики АМС.

 

 

Выбор режима работы АМС (напряжения смещения и моду­лирующего сигнала , как видно из рис.13 () и рис.14 (), существенно влияет на свойства переменной составляющей ) получаемого на выходе светового луча. В первом случае частота выходного сигнала равна удвоенной частоте входного сигнала , а во втором - частоты обоих сигналов одинаковы.

АМС на кристалле ниобата лития. Одним из наиболее распро­страненных материалов, используемых в качестве рабочего тела АМС, является кристалл ниобата лития (LiNbO3), относящийся к кристалло­графическому классу 3т тригональной системы. Символ 3т означает, что группа симметрии кристалла LiNbO3 содержит плоскость симмет­рии m и лежащую в ней ось симметрии третьего порядка. Число п (порядок оси) определяет, сколько раз фигура совмещается сама с собой при полном повороте вокруг данной оси. Плоскостью симметрии т на­зывается плоскость, которая делит фигуру на две зеркально равные части.

В практических схемах АМС свет направляют вдоль оптической оси, когда

Вследствие этого обращается в нуль обусловлен­ное естественной анизотропией смещение г0(71) рабочей точки А на кривой (см. рис. 14). Выбрав в качестве т плоскость, проходящую через направление внешнего поля - ось у и оптическую ось - ось z, для параметров (71) с учетом (58), (59) имеем:

 

(73)

Подставив (73) в (72), для полуволнового напряжения имеем:

Упоминавшаяся в § 23 матрица электрооптических коэффициентов в случае ниобата лития имеет вид:

 

Литература

Основная

Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика. - Т. 8: Элек­тродинамика сплошных сред. - М.: Наука, 1992.

Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика. - Т. 2: Тео­рия поля. - М.: Наука, 1988.

Гинзбург В.Л. Теоретическая физика и астрофизика. Дополни­тельные главы. - М.: Наука, 1975, 1981, 1987.

Сиротин Ю.И., Шаскольская М.П. Основы кристаллофизики. - М.: Наука, 1979.

Корн Г., Корн Т. Справочник по математике: Для научных ра­ботников и инженеров. - М.: Наука, 1973.

Фокин А.Г. Макроскопическая проводимость случайно­неоднородных сред. Методы расчета//УФН. - 1996. - Т. 166, № 10.

Дополнительная

Виноградова М.Б., Руденко О.В., Сухорукое А.П. Теория волн. - М.: Наука, 1990.

Бредов М.М., Румянцев В.В., Топтыгин И.Н. Классическая электродинамика. - М.: Наука, 1985.

Галицкий В.М., Ермаченко В.М. Макроскопическая электроди­намика. - М.: Высшая школа, 1988.

Алексеев А.И. Сборник задач по электродинамике. - М.: Наука, 1977.

11.Батыгин В.В., Топтыгин И.Н. Сборник задач по электроди­намике. - М.: Наука, 1970.

Рез И.С., Поплавко Ю.М. Диэлектрики. Основные свойства и применения в электронике. - М.: Радио и связь, 1989.

Волноводная оптоэлектроника / Под ред. Т.Тамира. - М.: Мир, 1991.

 

 





Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-07; Мы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 1388 | Нарушение авторских прав


Поиск на сайте:

Лучшие изречения:

Начинать всегда стоит с того, что сеет сомнения. © Борис Стругацкий
==> читать все изречения...

2298 - | 2047 -


© 2015-2024 lektsii.org - Контакты - Последнее добавление

Ген: 0.009 с.