1) только высокую нагрузочную способность;
2) только малый уровень искажений;
3) только широкий динамический диапазон;
4) одновременно высокую нагрузочную способность, широкий динамический диапазон и малый уровень искажений.
Функциональная микроэлектроника предполагает
1) реализацию определенной функции аппаратуры на основе физических явлений в твердом теле;
2) реализацию множества функций одновременно на основе использования БИС;
3) реализацию определенной функции аппаратуры с применением базовых элементов;
4) реализацию множества функций аппаратуры за счет применения ЧИП-элементов.
Функциональные микросхемы могут выполняться на основе
1) только полупроводников;
2) только сверхпроводников;
3) материалов с фотопроводящими свойствами;
4) полупроводников, сверхпроводников, сегнетодиэлектриков.
В функциональной электронике используются
1) только оптические явления;
2) только физические явления в твердом теле;
3) явления холодной эмиссии;
4) явления холодной эмиссии, оптические явления в твердом теле.
169. Оптоэлектронный прибор – это устройство
1) для преобразования электрического сигнала в оптический;
2) для преобразования оптического сигнала в электрический;
3) для преобразования электрического сигнала в оптический и обратно;
4) усиления оптических сигналов.
Основным элементом оптоэлектроники является
1) оптрон только с внутренней фотонной связью;
2) оптрон только с внешней фотонной связью;
3) оптрон как с внутренней, так и с внешней фотонной связью;
4) оптрон с гальванической связью.
Основными разновиддностями оптоэлектронных микросхем являются
1) только многоэлементные фотоприемные устройства;
2) только передающие цифровые микросхемы;
3) фотоприемные и передающие устройства;
4) только передающие устройства с внутренней коммутацией.
Оптоэлектронные интегральные микросхемы используются для
1) только переключения логических и аналоговых сигналов;
2) только в качестве схем цифро-буквенной индикации;
3) только в качестве реле;
4) в качестве реле, переключателя логических и аналоговых сигналов и схем цифро-буквенной индикации.
173. Аккустоэлектрический эффект – это
1) возникновение в металле тока под действием ультразвуковых волн;
2) возникновение в полупроводнике ЭДС под воздействием электромагнитного поля;
3) возникновение в металле или полупроводнике тока или ЭДС под действием ультрафиолетовых волн;
4) возникновение в металле или полупроводнике тока или ЭДС под воздействием электромагнитного поля.
Поверхностно-акустические волны распространяются
1) только на свободной поверхности твердого тела;
2) только вдоль границы твердого тела с другой средой;
3) только внутри звукопровода;
4) по свободной поверхности твердого тела или вдоль границы твердого тела с другой средой.
Потери энергии ультразвуковых волн
1) в изоляторах и полупроводниках одинаковые;
2) в изоляторах меньше, чем в полупроводниках;
3) в полупроводниках меньше чем в изоляторах;
4) не вносят потерь и изоляторы и проводники.
Поверхностно-акустические волны ультразвукового диапазона применяются
1) только для изготовления полосовых фильтров;
2) только для изготовления резонаторов;
3) только для изготовления фазовращателей;
4) для изготовления фазовращателей, резонаторов, полосовых фильтров.
В основе принципа работы фильтра ПАВ лежит
1) изменение условий распространения акустических волн;
2) изменение скорости волны;
3) изменение частотной характеристики фильтра;
4) изменение условий распространения акустической волны, изменение скорости волны и частотной характеристики фильтра.
