1) полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими p-n переходами, усилительные свойства которого усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда;
2) трехслойный полупроводниковый прибор с двумя выводами;
3) структура p-n-p-n;
4) структура n-p-n-p.
42. Бездрейфовые транзисторы – это
1) биполярные транзисторы с неравномерным распределением примесей в области базы;
2) биполярные транзисторы с равномерным распределением примесей в области базы и отсутствием электрического поля в области базы;
3) биполярные транзисторы с накоплением избыточного заряда в области эмиттера;
4) биполярные транзисторы с накоплением избыточного заряда в области коллектора.
43. Дрейфовый транзистор – это
1) биполярный транзистор с неравномерным распределением примесей в области базы, и наличием внутреннего электрического поля, способствующего ускоренному перемещению носителей от эмиттера к коллектору;
2) биполярный транзистор с неравномерным распределением примесей в области эмиттера;
3) биполярный транзистор с неравномерным распределением примесей в области коллектора.
44. Режим работы биполярного транзистора "насыщение"
1) режим, когда оба перехода закрыты;
2) режим, когда оба перехода открыты;
3) переход коллектор-база закрыт, переход эмиттер-база открыт.
45. Режим "отсечки" биполярного транзистора
1) режим, когда оба перехода закрыты;
2) режим, когда оба перехода открыты;
3) переход эмиттерный закрыт, а коллекторный – открыт.
46. Активный режим работы биполярного транзистора – это
1) режим, при котором закрыты оба перехода;
2) режим, при котором открыты оба перехода;
3) переход эмиттер-база открыт, а переход коллектор-база закрыт.
47. Ток через переход эмиттер-база p-n-p транзистора имеет две составляющие
1) 
;
2) 
;
3) 
.
48. Толщина базы биполярного транзистора W
1) 
;
2) 
;
3) 
;
4) 
.
49. Инжекция носителей в биполярном транзисторе типа p-n-p, это
1) перемещение дырок из эмиттера в базу;
2) перемещение дырок из базы в эмиттер;
3) перемещение дырок из базы в коллектор.
50. Экстракция дырок в биполярном транзисторе типа p-n-p, это
1) перемещение дырок из базы в эмиттер;
2) перемещение дырок из базы в коллектор;
3) перемещение дырок из коллектора в базу.
51. При отсутствии инжекции 
в цепи коллектора ток равен
1) 
;
2) 
;
3) 
.
Наименьшее входное сопротивление имеет схема включения биполярного транзистора
1) с общим эмиттером;
2) с общей базой;
3) с общим коллектором.
