Транзистором биполярным называется

1) полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими p-n переходами, усилительные свойства которого усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда;

2) трехслойный полупроводниковый прибор с двумя выводами;

3) структура p-n-p-n;

4) структура n-p-n-p.

 

42. Бездрейфовые транзисторы – это

1) биполярные транзисторы с неравномерным распределением примесей в области базы;

2) биполярные транзисторы с равномерным распределением примесей в области базы и отсутствием электрического поля в области базы;

3) биполярные транзисторы с накоплением избыточного заряда в области эмиттера;

4) биполярные транзисторы с накоплением избыточного заряда в области коллектора.

 

 

43. Дрейфовый транзистор – это

1) биполярный транзистор с неравномерным распределением примесей в области базы, и наличием внутреннего электрического поля, способствующего ускоренному перемещению носителей от эмиттера к коллектору;

2) биполярный транзистор с неравномерным распределением примесей в области эмиттера;

3) биполярный транзистор с неравномерным распределением примесей в области коллектора.

 

44. Режим работы биполярного транзистора "насыщение"

1) режим, когда оба перехода закрыты;

2) режим, когда оба перехода открыты;

3) переход коллектор-база закрыт, переход эмиттер-база открыт.

 

45. Режим "отсечки" биполярного транзистора

1) режим, когда оба перехода закрыты;

2) режим, когда оба перехода открыты;

3) переход эмиттерный закрыт, а коллекторный – открыт.

 

46. Активный режим работы биполярного транзистора – это

1) режим, при котором закрыты оба перехода;

2) режим, при котором открыты оба перехода;

3) переход эмиттер-база открыт, а переход коллектор-база закрыт.

 

47. Ток через переход эмиттер-база p-n-p транзистора имеет две составляющие

1) ;

2) ;

3) .

 

48. Толщина базы биполярного транзистора W

1) ;

2) ;

3) ;

4) .

 

49. Инжекция носителей в биполярном транзисторе типа p-n-p, это

1) перемещение дырок из эмиттера в базу;

2) перемещение дырок из базы в эмиттер;

3) перемещение дырок из базы в коллектор.

 

50. Экстракция дырок в биполярном транзисторе типа p-n-p, это

1) перемещение дырок из базы в эмиттер;

2) перемещение дырок из базы в коллектор;

3) перемещение дырок из коллектора в базу.

 

51. При отсутствии инжекции в цепи коллектора ток равен

1) ;

2) ;

3) .

 

Наименьшее входное сопротивление имеет схема включения биполярного транзистора

1) с общим эмиттером;

2) с общей базой;

3) с общим коллектором.