1) 
;
2) 
;
3) 
.
54. Модуляция толщины базы биполярного транзистора – это
1) изменение толщины базы при изменении напряжения на коллекторе;
2) изменение толщины базы при изменении напряжения на эмиттере;
3) изменение толщины эмиттера при изменении напряжения на коллекторе;
4) изменение толщины коллектора при изменении напряжения на эмиттере.
На переходе эмиттер-база определяющую роль играет емкость
1) диффузионная;
2) дрейфовая;
3) диффузионная и дрейфовая.
Напряжение на переходе база-коллектор биполярного транзистора ограничивается
1) опасностью теплового пробоя;
2) опасностью лавинного пробоя;
3) опасностью туннельного пробоя.
На переходе коллектор база определяющую роль играет емкость
1) диффузионная;
2) дрейфовая;
3) обе емкости.
Коэффициент передачи тока эмиттера в схеме ОБ
1) 
; 3) 
;
2) 
; 4) 
Коэффициент передачи тока эмиттера в схеме с ОБ
1) 
;
2) 
;
3) 
.
Коэффициент передачи тока базы в схеме с ОЭ
1) 
;
2) 
;
3) 
;
4) 
.
61. Коэффициенты 
и 
у биполярного транзистора связаны между собой соотношением
1) 
;
2) 
;
3) 
.
Для определения параметров биполярного транзистора наиболее применима система
1) Y-параметров;
2) Z-параметров;
3) H-параметров;
4) все три системы.
H-параметры биполярного транзистора имеют недостатки
1) Н-параметры зависят от схемы включения биполярного транзистора;
2) Н-параметры имеют малые значения;
3) Н-параметры имеют большие значения;
4) измерение Н-параметров затруднительно.
64. Коэффициент обратной связи по напряжению 
характеризует
1) влияние напряжения коллектора на эмиттерный переход в связи с модуляцией толщины базы;
2) влияние напряжения эмиттерного перехода на коллекторный переход;
3) влияние напряжения коллектора на ток эмиттера;
4) влияние напряжения эмиттера на ток коллектора.
Собственные (физические) параметры биполярного транзистора это
1) параметры, не зависящие от схемы включения биполярного транзистора, определяются конструкцией транзистора;
2) параметры, определяемые схемой включения биполярного транзистора;
3) параметры, зависящие и от схемы включения и от конструкции биполярного транзистора.
Собственные (физические) параметры биполярного транзистора это параметры
1) , 
, 
, 
, 
, 
;
2) , 
, 
;
3) , 
, 
;
4) , , , .
67. Квазистатический режим работы биполярного транзистора – это
1) режим работы биполярного транзистора с нагрузкой;
2) режим работы биполярного транзистора с нагрузкой и в таком диапазоне частот, где не сказывается влияние реактивных элементов биполярного транзистора;
3) режим работы биполярного транзистора без нагрузки.
Основное уравнение квазистатического режима работы биполярного транзистора
1) 
;
2) 
;
3) 
;
4) 
.
