Токи в цепях биполярного транзистора связаны между собой

1) ;

2) ;

3) .

 

54. Модуляция толщины базы биполярного транзистора – это

1) изменение толщины базы при изменении напряжения на коллекторе;

2) изменение толщины базы при изменении напряжения на эмиттере;

3) изменение толщины эмиттера при изменении напряжения на коллекторе;

4) изменение толщины коллектора при изменении напряжения на эмиттере.

 

На переходе эмиттер-база определяющую роль играет емкость

1) диффузионная;

2) дрейфовая;

3) диффузионная и дрейфовая.

 

Напряжение на переходе база-коллектор биполярного транзистора ограничивается

1) опасностью теплового пробоя;

2) опасностью лавинного пробоя;

3) опасностью туннельного пробоя.

 

На переходе коллектор база определяющую роль играет емкость

1) диффузионная;

2) дрейфовая;

3) обе емкости.

 

Коэффициент передачи тока эмиттера в схеме ОБ

1) ; 3) ;

 

2) ; 4)

 

Коэффициент передачи тока эмиттера в схеме с ОБ

1) ;

2) ;

3) .

 

Коэффициент передачи тока базы в схеме с ОЭ

1) ;

2) ;

3) ;

4) .

61. Коэффициенты и у биполярного транзистора связаны между собой соотношением

1) ;

2) ;

3) .

 

Для определения параметров биполярного транзистора наиболее применима система

1) Y-параметров;

2) Z-параметров;

3) H-параметров;

4) все три системы.

 

H-параметры биполярного транзистора имеют недостатки

1) Н-параметры зависят от схемы включения биполярного транзистора;

2) Н-параметры имеют малые значения;

3) Н-параметры имеют большие значения;

4) измерение Н-параметров затруднительно.

 

64. Коэффициент обратной связи по напряжению характеризует

1) влияние напряжения коллектора на эмиттерный переход в связи с модуляцией толщины базы;

2) влияние напряжения эмиттерного перехода на коллекторный переход;

3) влияние напряжения коллектора на ток эмиттера;

4) влияние напряжения эмиттера на ток коллектора.

 

Собственные (физические) параметры биполярного транзистора это

1) параметры, не зависящие от схемы включения биполярного транзистора, определяются конструкцией транзистора;

2) параметры, определяемые схемой включения биполярного транзистора;

3) параметры, зависящие и от схемы включения и от конструкции биполярного транзистора.

 

Собственные (физические) параметры биполярного транзистора это параметры

1) , , , , , ;

2) , , ;

3) , , ;

4) , , , .

 

67. Квазистатический режим работы биполярного транзистора – это

1) режим работы биполярного транзистора с нагрузкой;

2) режим работы биполярного транзистора с нагрузкой и в таком диапазоне частот, где не сказывается влияние реактивных элементов биполярного транзистора;

3) режим работы биполярного транзистора без нагрузки.

 

 

Основное уравнение квазистатического режима работы биполярного транзистора

1) ;

2) ;

3) ;

4) .