Лекции.Орг


Поиск:




Категории:

Астрономия
Биология
География
Другие языки
Интернет
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Механика
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Транспорт
Физика
Философия
Финансы
Химия
Экология
Экономика
Электроника

 

 

 

 


Рабочая область выходных характеристик биполярного транзистора в квазистатическом режиме ограничена




1) , , ;

2) , , ;

3) , , .

 

70. Импульсный режим работы биполярного транзистора – это режим работы биполярного транзистора с

1) малыми сигналами прямоугольной формы;

2) сигналами большой амплитуды и малой длительности;

3) сигналами малой длительности.

 

Длительность переднего фронта импульса при работе биполярного транзистора в импульсном режиме определяется

1) временем пролета носителей через базу, накопления заряда в базе;

2) емкостью коллекторного перехода;

3) падением напряжения на сопротивлении базы.

 

Длительность заднего фронта импульса при работе биполярного транзистора в импульсном режиме определяется

1) временем рассасывания избыточного заряда в области базы;

2) временем перезаряда емкости эмиттерного перехода;

3) временем перезаряда емкости коллекторного перехода.

 

На ухудшение усилительных свойств биполярного транзистора на высоких частотах оказывают влияние

1) емкость эмиттерного перехода;

2) емкость коллекторного перехода;

3) емкость коллекторного перехода и инерционность перемещения носителей через область базы.

 

На усилительные свойства биполярного транзистора сильнее влияет емкость

1) эмиттерного перехода;

2) коллекторного перехода;

3) оба перехода влияют одинаково.

 

Лучшими частотными свойствами обладает

1) дрейфовый биполярный транзистор;

2) бездрейфовый биполярный транзистор;

3) оба обладают одинаковыми частотными свойствами.

Емкость коллекторного перехода на выходное сопротивление биполярного транзистора влияет следующим образом

1) выходное сопротивление с ростом частоты растет;

2) выходное сопротивление биполярного транзистора с ростом частоты уменьшается;

3) выходное сопротивление не зависит от частоты.

Лучшими частотными свойствами обладает схема

1) с общей базой;

2) с общим эмиттером;

3) частотные свойства не зависят от схемы включения биполярного транзистора.

 

Менее подвержена влиянию температуры

1) схема с общим эмиттером;

2) схема с общей базой;

3) схема с общим коллектором;

4) все схемы реагируют одинаково.

 

79. Шум в биполярном транзисторе – это

1) беспорядочное изменение тока в цепях транзистора;

2) беспорядочное изменение тока в цепи базы;

3) беспорядочное изменение тока в цепи базы;

4) беспорядочное изменение тока в цепи коллектора.

 

Основными видами низкочастотного шума в биполярном транзисторе являются

1) дробовой эффект и тепловые флуктуации;

2) шум рекомбинации;

3) шум беспорядочного разделения.

 





Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2016-10-30; Мы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 1102 | Нарушение авторских прав


Поиск на сайте:

Лучшие изречения:

Если президенты не могут делать этого со своими женами, они делают это со своими странами © Иосиф Бродский
==> читать все изречения...

2487 - | 2350 -


© 2015-2024 lektsii.org - Контакты - Последнее добавление

Ген: 0.01 с.