Для оценки инерционных свойств импульсных диодов используются специфические параметры

1) дифференциальные сопротивления;

2) время восстановления обратного сопротивления ;

3) максимальная рабочая температура;

4) максимальное значение обратного напряжения.

 

Диоды с накоплением заряда (ДНЗ) обладают особенностью

1) у них в базе создано тормозящее поле и происходит накопление у границы перехода неосновных носителей;

2) у них малая площадь перехода;

3) имеют малую барьерную емкость;

4) имеют высокое допустимое обратное напряжение.

 

 

Диод Шоттки, применяемый в импульсных схемах, это

1) диод, основой которого является выпрямляющий контакт металла с полупроводником;

2) диод с малой площадью перехода;

3) диод с малой барьерной емкостью;

4) диод с низким обратным напряжением.

 

Импульсные диоды обладают специфическими параметрами

1) время восстановления обратного сопротивления ;

2) время жизни неосновных носителей;

3) время пролета носителей через область базы.

 

Импульсные диоды обладают специфическими параметрами

1) время жизни неосновных носителей;

2) время пролета носителей через область базы;

3) время рассасывания носителей .

 

Импульсные диоды обладают специфическими параметрами

1) время пролета носителей через область базы;

2) время установления прямого напряжения ;

3) время жизни неосновных носителей.

 

21. Туннельный диод – это диод

1) обладающий высокой концентрацией примесей (10¹⁸÷10¹⁹ );

2) обладающий малой толщиной запирающего слоя;

3) имеющий малую площадь перехода;

4) имеющий малую барьерную емкость.

 

22. Что определяет отношение ?

1) усилительные свойства туннельного диода;

2) переключательные свойства туннельного диода;

3) генераторные свойства туннельного диода.

 

Использование туннельного диода в качестве генератора объясняется

1) наличием емкости p-n перехода;

2) наличием отрицательного дифференциального сопротивления на участке характеристики;

3) наличием малого постоянного сопротивления перехода.

 

Туннельные диоды обладают чрезвычайно малой инерционностью, так как

1) имеют малую диффузионную емкость;

2) перенос тока осуществляется основными носителями;

3) имеют малую толщину p-n перехода;

4) имеют малую площадь перехода.

25. Стабилитрон – это

1) полупроводниковый диод, работающий в режиме электрического пробоя;

2) полупроводниковый диод, обладающий высокой концентрацией примесей;

3) полупроводниковый диод, имеющий малое значение барьерной емкости;

4) полупроводниковый диод, обладающий малым дифференциальным сопротивлением.

Стабилитроны изготавливаются из

1) германия;

2) арсенида галлия;

3) кремния;

4) кремния и германия.