Приклад розв’язування задачі. Вибрати конструкцію і розрахувати розміри плівкового конденсатора ємністю 5000 пФ

 

Умова задачі.

Вибрати конструкцію і розрахувати розміри плівкового конденсатора ємністю 5000 пФ. На інтервалі експлуатації 5 тис. годин за температури +100^ºС, відносна похибка ємності конденсатора не повинна перевищувати ± 0,2. Робоча напруга 10 В. Відносна похибка питомої ємності ± 0,03. Конденсатор функціонує в низькочастотних колах.

Розв’язування задачі.

Вибирають матеріал діелектрика електровакуумне скло С44-1, значення C₀ якого знаходиться в межах від 150 до 400 пФ/мм². Параметри цього матеріалу: робоча напруга U_р = (12 – 6) В; відносна діелектрична проникність e = 5,2; Е_пр = (3-4)·10⁵ В/мм; ТКЕ a_c = (0,5-1)·10^-4 1/°С; коефіцієнт старіння на 1000 год. g_ст = 0,012.

Розраховують товщину діелектрика d. Коефіцієнт запасу К_з приймемо рівним 4, Е_пр = 4·10⁸ В/м. Розрахунок виконують за формулою (7.8):

 

,
м або 0,1 мкм.

 

Враховуючи те, що товщина повинна перевищувати другу критичну товщину, яка дорівнює 0,1 мкм, в кілька разів, то вибирають значення d з рекомендованого діапазону значень (0,3 – 0,5) мкм. Приймають d = 0,3 мкм.

Розраховують питому ємність конденсатора С_0.Е за критерієм електричної стійкості. Розрахунки виконують за формулою (7.2):

 

,
.

 

Вибирають С_0Е = 150 пФ/мм² .

Визначають можливу площу перекриття обкладинок конденсатора за формулою:

 

,

 

Оскільки S_п.Е = 33,3 мм² > 10 мм², то доцільно обрати конструкцію конденсатора, яку зображено на рис. 7.1,а.

5. Визначають відносну похибку ємності конденсатора, що виникає як наслідок зміни властивостей діелектрика під дією температури g_СТ. Розрахунки виконують за формулою (7.11):

 

.

 

6. Визначають відносну похибку ємності конденсатора, що виникає як наслідок старіння діелектрика γ_CСТ. Розрахунки виконують за формулою (7.12):

 

,
.

 

Визначають відносну похибку площі перекриття конденсатора γ_SДi. Розрахунки виконують за формулою (7.15):

 

,
.

 

Розраховують значення питомої ємності конденсатора С_0.ТОЧН за критерієм необхідної точності. Приймають К_фі = 1. Вибирають метод формотворення - вільна маска, у якого Δl провідників дорівнює 0,01 мм. Оскільки для цієї конструкції r_lb→ 1, то розрахунки виконують за формулою (7.27):

 

.
пФ/мм2.

 

З двох отриманих значень C_0..Е і C_0.ТОЧН вибирають менше (7.31) й округляють у бік зменшення, тобто С₀ = С_0.Е = 150 пФ/мм².

10. Визначають площу перекриття обкладинок конденсатора. Розрахунки виконують за формулою (7.32):

 

Sпi = (1 / K)Ci / C0,
мм2.

 

де K- коефіцієнт, що враховує вплив крайового ефекту. Якщо C_i /C₀ > 5мм², то К = 1.

Визначають довжину l і ширину b верхньої обкладинки конденсатора. За К_Ф @1 l = 5,8 мм, а b = 5,74 мм.

Вибирають форму конденсатора. Вибір форми конденсатора й остаточне визначення всіх розмірів конструкції проводять на етапі розроблення топології. За основу приймають обраний тип конструкції і розраховане значення S_пі.

В будь-якому варіанті конструкції нижня обкладинка конденсатора повинна виступати за краї верхньої на розмір

 

d1 = 2DlСУМІЩ ,

d1 = 2×0,05 =0,1 мм.

 

11. Шар діелектрика повинен виступати за краї нижньої обкладинки на розмір

 

d2 ³ 2DlСУМІЩ + КЗАКР UP,
d2 ³2×0,05 +3×10-3×10 = 0,13 мм,

 

де К_ЗАКР = (2-3)10^-3 мм/В.

Вибирають d₂ = 0,2 мм.

Конструкція розрахованого конденсатора зображена на рис. 7.3.

 

Рекомендована література

 

1. Прищепа М. М. Мікроелектроніка. В 3 ч. Ч. 1. Елементи мікроелектроніки [Текст]: навч. посіб. / М. М. Прищепа, В. П. Погребняк. / За ред. М. М. Прищепи. – К.: Вища шк., 2004. – 431 с.: іл.

2. Прищепа М. М. Мікроелектроніка. Елементи мікросхем. Збірник задач. [Текст]: навч. посіб. / М. М. Прищепа, В. П. Погребняк. / За ред. М. М. Прищепи. – К.: Вища шк., 2005. – 167 с.: іл.

3. Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование: Учеб. пособие для вузов по спец. “Конструирование и производство радиоапаратуры” / Коледов Л.А. и др.; Под ред. Л.А. Коледова. – М.: Высш. шк. 1984. – 271 с.: ил.

4. Матсон Э.А., Крыжановский Д.В. Справочное пособие по конструированию микросхем. – Минск: Вышейшая школа. 1982. – 224 с.: ил.

5. Справочник по расчету и конструированию СВЧ полосковых устройств / С. И. Бахарев, В. И. Вольман, Ю. Н. Либ и др.; Под ред. В. И. Вольмана. – М.: Радио и связь, 1982. – 328 с., ил.