Рассмотрим тесный контакт полупроводника n-типа с металлом, когда расстояние между ними не превышает 10 -7 см. Такая величина зазора реализуется если на поверхности полупроводника не имеется заметного слоя окисла. Если 
то при 
см из соотношения (11) следует, что d= 5*10-7 см, т.е. слой, обедненный основными носителями заряда, должен простираться в глубь полупроводника на значительное расстояние. В металле избыточные электроны будут находиться на поверхности, так как n0 для него велико.
Поскольку приповерхностный слой полупроводника, обедненный основными носителями заряда, препятствует протеканию тока через контакт, то он называется запорным слоем.
Запорный слой – этоприповерхностный слой полупроводника, с пониженной концентрацией основных носителей заряда. Образуется около контакта с металлом, гетероперехода, моноперехода, свободной поверхности.
В запорном слое нарушается условие электронейтральности, так как удаление электронов из полупроводника приводит к возникновению положительного объемного или пространственного заряда, задаваемого, в основном, ионами донорной примеси.
Электронейтральность – это энергия, при которой химический потенциал находиться между зоной проводимости и валентной зоной.
Донорные примеси – атомы химических элементов, внедренные в кристаллическую решетку полупроводника и создают дополнительную концентрацию электронов. Донорными примесями являются химические элементы внедренные в полупроводник с меньшей чем у примеси валентностью.
