Порядок выполнения работы. Установка для нахождения зависимости R(T) металла и полупроводника представлена на рис

Установка для нахождения зависимости R(T) металла и полупроводника представлена на рис. 5 (а, б). На рис. 5а в муфельную печь помещена медная проволока, а на рис. 5б – полупроводник.

1. Ознакомиться с устройством прибора универсального вольтметра В7-16А.

2. Измерить исследуемые сопротивления металла и полупроводника при комнатной температуре (t_комн = t₁).

3. Включить электронагреватель и измерить сопротивления при температуре t₂ = t₁ + 10⁰C.

4. Продолжить измерения при температурах t₃, t₄, t₅ и т.д. (вплоть до температуры 60 – 65⁰С).

5. Результаты эксперимента представить в виде таблицы для металла и полупроводника.

6. Построить график зависимости R_i = f(t_i⁰C) для металла, определить температурный коэффициент α.

7. Построить график зависимости R_i = f(T_i) в координатах (1/T, lnR_i) для полупроводника и по графику определить ширину запрещенной зоны ΔЕ₀.

Контрольные вопросы

1. Что такое удельное сопротивление (или удельная электропроводность) вещества?

2. Чем определяется величина удельного сопротивления материала?

3. Чем объясняется наличие остаточного сопротивления у металла?

4. Что такое сверхпроводимость?

5. Почему при действии на сверхпроводник магнитного поля сверхпроводящее состояние нарушается?

6. Что такое собственная и примесная проводимость полупроводника?

7. Как создается проводимость в прямом и обратном направлении в полупроводнике?

Литература

1. И.В.Савельев. Курс общей физики: В 5 кн.: Кн. 2: Электричество и магнетизм: Учебное пособие для вузов. Изд. АСТ, Астрель,, 2008. - 336 с.

2. Д.В.Сивухин. Общий курс физики. Т.III: Учеб. пособие.- М: Физматлит, 2004.- 656 с.

2. А.Н. Матвеев.- Электричество и магнетизм: учеб. Пособие для студентов вузов.- М: ОНИКС 21 век: Мир и образование, 2005. – 464 с.