Лекции.Орг

Поиск:


Устал с поисками информации? Мы тебе поможем!

P-n переход




Если два полупроводника типа p и n привести в контакт, то образовавшийся контактный слой обладает односторонней проводимостью, что позволяет создавать полупроводниковые диоды (обозначаемые на электрических схемах символом ). До контакта полупроводники типа p и n были электронейтральны (в p — число дырок равно числу отрицательных ионов примеси, в n — число электронов равно числу положительных ионов примеси). При контакте, вследствие теплового движения электроны из полупроводника типа — n будут диффундировать в полупроводник типа — p и там рекомбинировать с дырками. Дырки из полупроводника типа — p диффундируют в полупроводник типа — n и там рекомбинируют с электронами. В полупроводнике типа — p образуется избыточный отрицательный заряд ионов примеси. Они не могут перемещаться по кристаллу, а следовательно, создавать электрический ток. В полупроводнике типа — n образуется избыточный положительный заряд ионов примеси, также не являющиеся носителями тока. Возникает область, обедненная основными носителями тока и обладающая большим сопротивлением. Создается контактное поле , препятствующее дальнейшей диффузии электронов и дырок.

При подключении внешнего источника ЭДС, положительного полюса к полупроводнику типа — p и отрицательного к типу — n, внешнее поле направлено против контактного поля, что приводит к уменьшению контактной области и уменьшению сопротивления. Идет ток в прямом направлении.

При подключении внешнего источника ЭДС, положительного полюса к полупроводнику типа — n и отрицательного к типу — p, внешнее поле направлено в направлении контактного поля. Контактная область увеличивается, сопротивление увеличивается. Идет малый ток обратного направления.






Дата добавления: 2015-09-20; Мы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 392 | Нарушение авторских прав | Изречения для студентов


Читайте также:

Поиск на сайте:

Рекомендуемый контект:





© 2015-2021 lektsii.org - Контакты - Последнее добавление

Ген: 0.003 с.