1 ампер (А) =1 Кл/с
1 ангстрем = 10-10 м = 10-4 мкм
1 атмосфера (ат) = 760 мм рт. ст. = 101 325 Па
1 кулон (Кл) =1 А×с
1 электрон-вольт (эВ) = 1,60×10-19 Дж
1 фарад (Ф) = 1 Кл/В
1 калория (кал) = 4,1868 Дж
1 генри (Гн) = 1 В×с/А
1 джоуль (Дж) =107 эрг = 1 Вт×с = 6,25×1018 эВ=1Н×м=1Кл×В
1 микрометр (мкм) = 10-6 м
1 ньютон (Н) = 1 кг×м/с2
1 сименс (См) = 1 Ом-1
1 тесла (Тл) = 1 Вб/м2
1 вольт (В) = 1 Вт/А
1 ватт (Вт) = 1 Дж/с
1 вебер (Вб) = 1 В×с
гига (Г) = ´ 109
мега (М)= ´ 106
кило (к) = ´ 103
микро (мк) = ´ 10-6
нано (н) = ´ 10-9
пико (п) = ´ 10-12
П 2. НЕКОТОРЫЕ ФИЗИЧЕСКИЕ ПОСТОЯННЫЕ
| Наименование | Символ | Числовое значение |
| Скорость света в вакууме | с | 2,998×108 м/с |
| Заряд электрона | q | 1,602×10-19 Кл |
| Масса покоя электрона | m | 9,109×10-31 кг |
| Отношение заряда электрона к его массе | q/m | 1,759×10-11 Кл/кг |
| Постоянная Планка | h | 6,626×10-34 Дж×с |
| Приведенная постоянная Планка, равная h/2p | ħ | 1,055×10-34 Дж×с |
| Постоянная Больцмана | k | 1,381×10-23 Дж/К |
| Постоянная Стефана - Больцмана | 5,670×10-8 Вт/(м2×К4) | |
| Число Авогадро | NA | 6,023×1023 1/моль |
| Постоянная Фарадея | F | 6,649×104 Кл/моль |
| Магнитная постоянная | m0 | 1,257×10-6 Гн/м |
| Электрическая постоянная | e0 | 8,849×10-12Ф/м |
| Температурный потенциал при температуре 300 К | jT | 25,8 мВ |
| Постоянная Ридберга | R | 1,097×107 1/м |
П 3. Основные параметры и свойства некоторых
Полупроводников и диэлектриков,
Применяемых в твердотельной электронике
| Параметр | Обозна-чение | Si | Ge | SiO2 |
| Атомная (молекулярная) масса, моль | 28,1 | 72,6 | 60,1 | |
| Атомный номер | Z | 14/8 | ||
| Плотность, г/см3 | 2,33 | 5,32 | 2,19 | |
| Атомная (молекулярная) плотность, см-3 | N | 5,0×1022 | 4,4×1022 | 2,2×1022 |
| Относительная диэлектрическая проницаемость | e | 11,7 | 16,0 | 3,9 |
| Ширина запрещенной зоны при 300 К, эВ при 0 К, эВ | Eg | 1,124 1,170 | 0,67 0,744 | »8 ¸ 9 |
| Собственная концентрация носителей заряда при 300 К, см-3 | ni | 1,45×1010 | 2,4×1013 | - |
| Удельное сопротивление при 300К, Ом×см, | 2,3×105 | - | ||
| Температура плавления, °C | »1700 |
Продолжение П 3
| Параметр | Обозна-чение | Si | Ge | SiO2 |
| Подвижность электронов при 300 К, см2/В×с | mn | |||
| Подвижность дырок при 300 К, см2/(В×с) | mp | »10-8 | ||
| Электрическое поле при пробое, В/см | Еm | 3×105 | 8×104 | (6–9)×106 |
| Эффективная масса: электронов, дырок |
| 1,08 0,81 | 0,55 0,3 | - - |
| Сродство к электрону, эВ | æ | 4,05 | 1,0 | |
| Коэффициент диффузии (см2/с): для электронов, дырок | Dn Dp | 34,6 12,3 | - - | |
| Коэффициент теплопроводности, Вт/см×K | 1,412 | 0,606 | 0,014 |
Окончание П 3
| Параметр | Обозна-чение | Si | Ge | SiO2 |
| Постоянная кристаллической решетки, нм | a | 0,543 | 0,566 | - |
| Эффективная постоянная Ричардсона в теории термоэлектронной эмиссии для кремния и германия (А×cм-2К-2): n-типа, р-типа | А* | 2,2× А 0,66× А | 1,11× А 0,34× А | |
| А =120А×cм-2К-2 – постоянная Ричардсона для свободных электронов |
