Предельные эксплуатационные данные. Обратное выходное напряжение:

Обратное выходное напряжение:

ЗОД101А, ЗОД101В, АОД101А, АОД101В, АОД101Г, АОД101Д..........................................................................................15 В

ЗОД101Б, АОД101Б.....................................................................100 В

ЗОД101Г..........................................................................................40 В

Импульсное обратное выходное напряжение при t_И ≤ 100 нс, Q≥ 2:

ЗОД101А, ЗОД101В.......................................................................20 В

ЗОД101Б.........................................................................................120 В

ЗОД101Г..........................................................................................60 В

Обратное входное напряжение....................................................3,5 В

Напряжение изоляции..................................................................100 В

Постоянный или средний входной ток.......................................20 мА

Импульсный входной ток при t_И ≤ 100 мкс…….....................100 мА

Температура окружающей среды..................................- 60…+70

АОТ101АС, АОТ101БС

Оптопары, транзисторные, двухканальные, состоящие из эпи­таксиальных излучающих диодов на основе соединения галлий—алюминий—мышьяк и кремниевых фототранзисторов. Применяются для электронной коммутации однополярного тока с гальванической развязкой между входом и выходом. Выпу­скаются в пластмассовом корпусе.

Масса прибора не более Зг.

 

 

 

Электрические параметры

Входное напряжение при I_ВХ = 15 мА,

не более..............................................................………..…………1,7 В

типовое значение...........................................................................1,3 В

Входное напряжение при I_ВХ = 5 мА, не более………..……….1,6 В

типовое значение...........................................................................1,2 В

Выходное остаточное напряжение:

при I_ВХ = 2,5 мА, I_ВЫХ = 0,5 мА, не более……………………….0,4 В

типовое значение...........................................................................0,2 В

при I_ВХ = 10 мА, I_ВЫХ =1,5 мА для

АОТ101АС, I_ВЫХ = 10 мА для АОТ101БС, не более……...........0,4 В

Ток утечки на выходе при I_ВХ = 0, U_КОМ = 10 В,

не более........................................................................................10 мкА

типовое значение.........................................................................1 мкА

Сопротивление изоляции при U_ИЗ = 500 В,

не менее.......................................................................................10¹¹ Ом

типовое значение.......................................................................10¹² Ом

Время нарастания и спада выходного сигна­ла при U_КОМ = 10 В, I_ВХ = 10 мА, R_Н = 100 Ом, не более…..............................................10 мкс

типовое значение..........................................................................3 мкс

 

Предельные эксплуатационные данные

Коммутируемое напряжение.........................................................15 В

Обратное входное напряжение....................................................1,5 В

Напряжение изоляции при Т = +25 ± 10 °С...............................1,5 кВ

Входной ток при Т = - 10...+50 °С……………….......................20 мА

Выходной ток при I_{ВХ МАКС}:

АОТ101АС......................................................................................5 мА

АОТ101БС.....................................................................................10 мА

Входной импульсный ток при t_И ≤ 10 мкс..................................50 мА

Температура окружающей среды....................................- 10...+70 °С

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

 

1. Пасынков, В.В. Полупроводниковые приборы: Учеб. для вузов / В.В.Пасынков, Л.К. Чиркин.- СПб.: Изд-во «Лань», 2001.-480с.

2. Тугов, Н.М. Полупроводниковые приборы: Учеб. для вузов / Н.М. Тугов, Б.А. Глебов, Н.А. Чарыков.- М.: Энергоатомиздат, 1999.-576с.

3. Манаев, Е.И. Основы радиоэлектроники: Учеб. пособие / Е.И. Манаев.- М.: Радио и связь, 1990-512с.

4. Жеребцов, И.П. Основы электроники: Учеб. для вузов / И.П. Жеребцов.- Л.: Энергоатомиздат, 1999.-352с.

5. Гоноровский, И.С. Радиотехнические цепи и сигналы: Учеб. для вузов / И.С. Гоноровский.- М.: Радио и связь, 1986.-512с.

6. Бонч-Бруевич, В.П. Физика полупроводников: Учеб. для вузов /В.П. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников.-М.: Наука, 1990.-688с.

7. Степаненко, И.П. Основы микроэлектроники: Учеб. для вузов / И.П. Степаненко.-М.: Радио и связь, 1990.-512с.

8. Атабеков,Г.И. Теоретические основы электроники: Учеб. для вузов.Ч.1 / Г.И. Атабеков. – М.: Энергия, 1978.- 592с.

9. Гусев, В.Г. Электроника: Учеб. пособие / В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев.- М.: Высшая школа, 1982.- 495с.

10. Нефёдов, В.И.Основы радиоэлектроники: Учеб. для вузов / В.И. Нефёдов.- М.: Высшая школа, 2000.-399с.

11. Харкевич, А.Л. Основы радиотехники: Учеб. пособие / А.Л. Харкевич. – М.: Связьиздат, 1962.-560с.

12. Молчанов, А.И. Курс электротехники и радиотехники: Учеб. пособие / А.И. Молчанов, П.П. Занадворов.- М.: Наука, 1976.-478с.

13. Матханов, П.Н. Основы синтеза линейных электрических цепей: Учеб. для вузов / П.Н. Матханов.- М.: Высшая школа, 1990.- 400c.

14. Морозова, И.Г. Физика электронных приборов: Учеб. пособие / И.Г. Морозова.- М.: Атомиздат, 1980.-319с.

15. Баскаков, С.И. Радиотехнические цепи и сигналы: Учеб. для вузов / С.И. Баскаков.- М.: Высшая школа, 2000.-462с.

16. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам / Н.Н. Горюнов, А.Ю. Клейман, Н.Н, Комков и др.; Под ред. Н.Н. Горюнова. – М.: Энергия, 1979.-744с.

17. Хрулёв, А.К. Диоды и их зарубежные аналоги: Справочник в 3 т. / А.К. Хрулёв, В.П. Черепанов. - М.: И.П. Радио Софт, 1999.- 640с., 640с., 704с.

 

СОДЕРЖАНИЕ

 

Введение……………………………………………………………….3

Лабораторная работа №1. Исследование пассивных резистивно-ёмкостных преобразователей сигналов……………………………..5

Лабораторная работа №2 Исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов……………………………………18

Лабораторная работа №3 Применение полупроводниковых диодов………………………………………………………………….....42

Лабораторная работа №4 Исследование статических характеристик и параметров маломощных биполярных транзисторов…......63

Лабораторная работа №5 Исследование характеристик и параметров полевых транзисторов……………………………………….….86

Лабораторная работа №6 Исследование тиристора……………..112

Лабораторная работа №7 Исследование интегральных оптронов

…………………………………………………………………….…130

Лабораторная работа №8 Аппроксимация периодического сигнала рядом Фурье………………………………………………………...165

Лабораторная работа №9 Низкочастотные генераторы гармонических колебаний с RC-фильтрами………………………………….184

Приложение………………………………………………………...204

Список литературы………………….……………………………..228

Содержание………………………………………………………....229

 

 

Валерий Андреевич Табарин,

Владимир Павлович Иконников

 

Физические основы электроники

(лабораторный практикум)

Учебное пособие и методические указания

к лабораторным работам

Для студентов специальности 010400 «Физика»

_________________________________________________

 

Формат 62 84/16 объём п.л. Гарнитура «Times New Roman» Печать трафаретная.

Подписано в печать Тираж 300 экз. Заказ №

Оригинал-макет подготовлен в редакционном отделе СурГУ

Тел. 32-50-75

Сургутский государственный университет

628400, Россия, Ханты-мансийский автономный округ,

г. Сургут, ул. Энергетиков, 14.

Тел. (3462) 52-47-80, факс (3462) 52-47-29

 

 

Отпечатано полиграфическим отделом СурГУ

ул. Лермонтова, 5.

Тел. (3462) 32-33-05.