Рассмотрим случай, когда внешнее напряжение подключено к p-n- структуре в прямом направлении, т.е. плюсом источника к выводу р -области, а минусом источника — к выводу n- области (рис. 2.2, а). При таком подключении источника создаваемое им электрическое поле направлено противоположно внутреннему полю в переходе, что приводит к уменьшению результирующего поля в р-п- переходе. Объемный заряд обоих знаков, сосредоточенный в переходе по разные стороны границы раздела, будет определяться не только величиной φ0, обусловливаемой, как было показано, диффузионным движением носителей заряда под действием разности их концентраций в приграничных слоях, но и внешним напряжением U а. Если пренебречь падением напряжения в слоях р- и n- структуры, то объемному заряду в переходе будет отвечать напряжение φ0 – U а, меньшее, чем в отсутствие внешнего источника. Следовательно, уменьшится и обусловленный напряжением объемный заряд в p-n- переходе. Величина φ0 – U а определяет высоту потенциального барьера в p-n- переходе при включении внешнего напряжения в прямом направлении (рис. 2.2, б). Уменьшение объемного заряда (потенциального барьера) проявляется в сужении p-n- перехода, которое происходит в основном за счет n- слоя, как более высокоомного.
Рис. 2.2. Полупроводниковый диод
при подключении внешнего напряжения в прямом направлении
Уменьшение потенциального барьера облегчает переход основных носителей заряда под действием диффузии через границу раздела в соседние области, что приводит к увеличению диффузионного тока через p-n- переход (рис. 2.2, в). Указанное явление называют инжекцией носителей заряда через p-n- переход.
Вместе с тем дрейфовый ток через p-n- переход, создаваемый потоками неосновных носителей заряда, подходящих из приграничныхслоев толщиной L к p-n- переходу, остается без изменения. Разность диффузионного и дрейфового токов определяет результирующий прямой ток через p-n- переход (прямой ток диода). Плотность прямого тока
J a = J диф – J др. (2.2)
С повышением приложенного внешнего напряжения диффузионный ток увеличивается (так как уменьшившийся потенциальный барьер способны преодолеть основные носители заряда, обладающие меньшей энергией), в связи с чем возрастает прямой ток через p-n- переход. Примерный вид прямой ветви вольт-амперной характеристики p-n- перехода показан на рис. 2.2, г (ток I а на рис. 2.2 равен произведению плотности тока J aчерез p-n- переход на площадь его сечения S).
В кремниевых диодах величина ф0 выше, чем в германиевых. Одинаковая величина внешнего напряжения U аздесь создает меньшее относительное снижение потенциального барьера, чем в германиевых диодах, и обусловливает меньший прямой ток при одинаковой площади p-n- перехода. Большая величина φ0 является одной из причин большего падения напряжения ΔUа в кремниевых переходах (0,8—1,2 В) по сравнению с германиевыми переходами (0,3—0,6 В) при протекании тока в прямом направлении. Таким образом, падение напряжения Δ U aне превышает 1,2 В, что выгодно отличает их от переходов других типов, в частности электровакуумных и газоразрядных (ионных).
Рассмотрим распределение неравновесных концентраций носителей заряда в прилегающих к p-n- переходу слоях (рис. 2.2, в), создаваемых диффузией носителей через смещенный в прямом направлении p-n- переход. Это важно для лучшего уяснения вида прямой ветви вольт-амперной характеристики перехода и представления общей картины протекания тока через переход в цепи с внешним источником.
При прямом смещении p-n- перехода диффузионные составляющие тока существенно превышают дрейфовые составляющие. В связи с этим избыточные концентрации неравновесных носителей заряда в прилегающих к p-n- переходу слоях, создаваемые диффузией носителей через p-n- переход, будут значительно превышать снижение концентрации одноименных (неосновных) носителей заряда, создаваемое вследствие их ухода через p-n- переход за счет дрейфа. Иными словами, граничные концентрации электронов пр (0)и дырок рп (0), а также распределение концентрации пр (х)и рп (х)в прилегающих к переходу слоях (рис. 1.9, б) будут определяться входящими в эти слои в результате диффузии через p-n- переход электронами и дырками.
Граничные концентрации входящих в р -слой электронов пр (0)и в n- слой дырок рп (0)влияют на градиенты концентрации неравновесных носителей заряда на границе с p-n- переходом и тем самым согласно (1.8) определяют соответственно диффузионные составляющие токов J диф п и J диф р , протекающие через p-n- переход.
Граничные концентрации неосновных носителей заряда связаны с прямым напряжением на p-n- переходе соотношениями
np (0) = np 0 eU a/φ Т, (2.3)
pn (0) = pn 0 eU a/φ Т, (2.4)
где пр 0 — равновесная концентрация электронов в р -слое; рп 0 — равновесная концентрация дырок в n- слое.
Экспоненциальный характер зависимости граничных концентраций от приложенного прямого напряжения определяет экспоненциальную зависимость от него диффузионных составляющих, а следовательно, и анодного тока на прямой ветви вольт-амперной характеристики (рис. 2.2, г).
Диффундируя в глубь слоев, неравновесные электроны рекомбинируют с дырками р -слоя, а неравновесные дырки — с электронами n- слоя. В связи с этим концентрации неравновесных носителей заряда уменьшаются по экспоненциальному закону до значений равновесных концентраций (рис. 2.2, в). На расстоянии диффузионных длин Ln и Lp их концентрации уменьшаются в е раз.
В несимметричном p-n- переходе концентрация дырок в р -слоена несколько порядков превышает концентрацию электронов в п- слое (рр >> пп), а для концентраций неосновных носителей заряда характерно обратное соотношение: пр 0<< рn 0. Этим объясняется, что в несимметричном переходе граничная концентрация рп (0)>> пр (0)и ток через p-n- переход создается в основном диффузией дырок из p- слоя в n- слой (дырочной составляющей диффузионного тока), р -слой, осуществляющий эмиссию дырок через p-n- переход, называют эмиттером. Поскольку основой при получении р-п- структуры диода обычно служит полупроводниковый материал n- типа, n- слой называют базой.
Неравновесная концентрация дырок в близлежащем к р-п -переходу слое базы создает положительный заряд. Его компенсируют вошедшие под действием сил электрического притяжения электроны ототрицательного полюса источника, в связи с чем базовый слой остается электрически нейтральным. Эти электроны увеличивают концентрацию основных носителей заряда в примыкающем к p-n- переходу базовом слое (на рис. 2.2, в не показано). Ее распределение вдоль оси х соответствует распределению вдоль этой оси концентрации неравновесных дырок, вызванной их диффузией через p-n- переход.
Непрерывные диффузия дырок через р-п- переход, и их рекомбинация с электронами в прилегающем слое базы создают непрерывный приток электронов от отрицательного полюса источника, а следовательно, и ток в рассматриваемом участке цепи. Таким образом, в то время как прямой ток в p-n- переходе определяется диффузионным током дырок, ток в основной части базового слоя и внешнем выводе обусловливается дрейфовым током электронов. В примыкающем к p-n- переходу базовом слое прямой ток равен сумме диффузионного тока дырок и дрейфового тока электронов. Уменьшение дырочной диффузионной составляющей тока по мере удаления от границы p-n- перехода объясняется уменьшением градиента концентрации дырок вследствие их рекомбинации с электронами. Описанное явление обычно наблюдается при относительно большой ширине n- слоя в так называемых переходах с толстой базой.
В переходах с тонкой базой, когда ее толщина соизмерима с диффузионной длиной дырок Lp (рис. 2.2, в), большинство дырок успевает в результате диффузии пройти базу без рекомбинации, в связи с чем ток в базе будет преимущественно определяться диффузионным током дырок.
Подобные процессы наблюдаются и в слое эмиттера. Избыточная концентрация электронов, созданная в прилегающей к p-n- переходу области под действием диффузии, компенсируется повышением там концентрации дырок (на рис. 2.2, в не показано). Однако для несимметричного p-n- перехода роль электронной составляющей диффузионного тока в общем токе, протекающем через переход, мала. Ее роль несущественна и в токе, протекающем через эмиттерный слой. Ток через эмиттерный слой обусловливается в основном дрейфовым током дырок ввиду существующей в этом слое напряженности электрического поля от внешнего источника.
