Ћекции.ќрг


ѕоиск:




 атегории:

јстрономи€
Ѕиологи€
√еографи€
ƒругие €зыки
»нтернет
»нформатика
»стори€
 ультура
Ћитература
Ћогика
ћатематика
ћедицина
ћеханика
ќхрана труда
ѕедагогика
ѕолитика
ѕраво
ѕсихологи€
–елиги€
–иторика
—оциологи€
—порт
—троительство
“ехнологи€
“ранспорт
‘изика
‘илософи€
‘инансы
’ими€
Ёкологи€
Ёкономика
Ёлектроника

 

 

 

 


ќсновные параметры, характеризующие полупроводниковые материалы




ѕ≈Ќ«≈Ќ— »… √ќ—”ƒј–—“¬≈ЌЌџ… ”Ќ»¬≈–—»“≈“

кафедра микроэлектроники

 

 

Ћабораторна€ работа

»сследование свойств полупроводников методом вольт-фарадных характеристик

 

ћетодические указани€

 

ѕенза 2004


 

”ƒ  621. 315.416

 

 

јбрамов ¬.Ѕ.,  арпанин ќ.¬., ћедведев —.ѕ., ћетальников ј.ћ, ѕечерска€ –.ћ. »сследование свойств полупроводников методом вольт-фарадных характеристик.

”казани€ подготовлены на кафедре микроэлектроники и предназначены дл€ студентов специальностей 200100, 220500, 230300, 190700 при изучении дисциплин Ућатериалы электронной техники и основы микроэлектроникиФ, У“вердотельна€ электроникаФ, У–адиоматериалы и радиодеталиФ, У»змерени€ и контроль в микроэлектроникеФ при выполнении ”»–—, курсового и дипломного проектировани€.

 

 афедра микроэлектроники ѕензенского государственного университета

 


÷ель работы: исследование электрофизических характеристик полупроводников и структур на их основе методом вольт-фарадных характеристик, изучение преобразовани€ измерительных и электрических моделей.

“еоретическое введение

ќсновные параметры, характеризующие полупроводниковые материалы

–азличные физические величины, характеризующие полупроводник, можно разделить на несколько групп.   первой группе относ€тс€ величины, которые мало завис€т от степени чистоты кристаллов, т.е. от присутстви€ примесей или иначе: от степени дефектности кристалла, если под дефектом понимать и примеси, и структурные дефекты, и вообще Ц любое нарушение периодического пол€ в кристалле. ѕримерами параметров, составл€ющих первую группу, €вл€ютс€ ширина запрещенной зоны Eg, эффективные массы электронов и дырок и , концентраци€ собственных носителей зар€да ni, параметр решетки a, температура ƒеба€ Θ и р€д других. ¬еличины этой группы называютс€ фундаментальными параметрами (рис. 1).

–ис. 1.  лассификационна€ схема параметров полупроводниковых материалов

 о второй группе величин относ€тс€ наоборот, такие, которые существенно завис€т от концентрации и вида дефектов, т.е. от содержани€ примесей, дислокаций и вакансий.   ним в первую очередь относ€тс€ концентрации самих дефектов ND и NA. «атем уже зависимые от них величины: удельное сопротивление (проводимость) r(s), подвижности элетронов и дырок m n и m p, времена жизни неравновесных носителей зар€да t n и t p. Ёти величины называютс€ характеристическими параметрами.

ѕараметры, относ€щиес€ к этой группе, в зависимости от содержани€ дефектов могут измен€тьс€ в дес€тки миллионов раз. ѕоэтому вариаци€ именно этих величин и обусловливает применение полупроводниковых материалов в самых разнообразных приборах. Ёти величины могут одновременно €вл€тьс€ технологическими параметрами, характеризующими качество материала, выпускаемого промышленностью.

Ќаконец, имеетс€ и треть€ группа величин, знание которых необходимо дл€ правильной разработки технологии получени€ полупроводниковых материалов. Ёти параметры, в основном, имеют физико-химический характер. Ќапример, пределы растворимости примесей в данном полупроводнике N пред., коэффициенты распределени€ , теплоты испарени€ H, коэффициенты диффузии D и р€д других.





ѕоделитьс€ с друзь€ми:


ƒата добавлени€: 2015-10-01; ћы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 775 | Ќарушение авторских прав


ѕоиск на сайте:

Ћучшие изречени€:

Ќеосмысленна€ жизнь не стоит того, чтобы жить. © —ократ
==> читать все изречени€...

1426 - | 1259 -


© 2015-2024 lektsii.org -  онтакты - ѕоследнее добавление

√ен: 0.008 с.