МИНИСТРЕСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение
Высшего образования
«Московский авиационный институт
(национальный исследовательский университет)»
Кафедра "Технология композиционных материалов, конструкций и микросистем"
Реферат
по дисциплине «Защита интеллектуальной собственности и патентоведение»
Группа: ___________________
Студент: __________________
Преподаватель: Трусова Е. Ю.
Москва, 2016 г.
Содержание
I. Отчет о проведенном патентно-информационном поиске…………………………3
1. Наименование и актуальность темы……………………………………….…..3
2. Цель поиска……………………………………………………………………...3
3. Предмет поиска…………………………………………………………….……3
4. Глубина поиска…………………………………………………………….……4
5. Страны поиска………………………………………………………….……….4
6. Классификационные индексы: МПК и УДК………………………………….4
7. Перечень изученной патентной и информационной документации……….6
8. Перечень отобранной патентной документации……………………………..6
9. Анализ изученной патентной документации…………………………….…...7
10. Выводы по отчету о патентном поиске………………………………….……7
II. Изучение структуры и содержания документа «Описание изобретения»……….8
I. Отчет о проведенном патентно-информационном поиске.
Наименование и актуальность темы
Выполнен поиск по теме: СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ НИТРИДА КРЕМНИЯ
Диэлектрические пленки аморфного нитрида кремния привлекают все большее внимание специалистов различных областей науки и техники благодаря комплексу уникальных физических, химических и механических свойств. К основным характеристикам пленок нитрида кремния, обеспечивающим повышенный интерес специалистов в области микроэлектроники, в первую очередь относятся следующие:
§ высокая диффузионная стойкость по отношению к влаге, ионам
щелочных металлов, а также элементам-диффузантам, широко применяемым в электронной технике;
§ хорошие электроизолирующие и диэлектрические свойства
(удельное пробивное напряжение 107 В/см, тангенс утла диэлектрических
потерь составляет 1-10 и др.);
§ повышенная химическая стойкость в агрессивных газовых и жидких
средах (в том числе в условиях высоких температур), не исключающая однако проведения фотолитографических операций;
§ химическая инертность по отношению к материалам (полупроводникам, диэлектрикам, металлам и т.д.), широко применяемым в технологии полупроводниковых приборов;
§ удовлетворительная совместимость по величине коэффициента
термического расширения (КТР) с полупроводниковыми подложками,
применяемыми в микроэлектронике (средняя величина КТР составляет
5.5-106 1/К);
§ высокая термостабильность.
Приведенные выше свойства обеспечили широкое использование пленок нитрида кремния, полученных в высокотемпературных процессах осаждения, в качестве подзатворного диэлектрика в МДП-транзисторах, для образования масок при окислении, имплантации и диффузии в случае изготовления приборов на основе кремния.Также нитрид кремния часто используют как изолятор и химический барьер при производстве интегральных микросхем. Нитрид кремния широко используется в приборах флеш-памяти в качестве запоминающей среды.
Цель поиска
Найти и проанализировать новшества, описывающие условия и режимы получения тонких пленок нитрида кремния.
Предмет поиска
Предметом патентного поиска являются тонкие пленки нитрида кремния(Si3N4) и способы их осаждения.
Глубина поиска
Глубина поиска составляет 28 лет, так как найден документ (а именно заявка на изобретение), дата поступления заявки которого датируется 1987 годом.
Страны поиска
Патентный поиск проводился по базе данных патентных документов Российской Федерации.
6.Классификационные индексы: МПК, УДК
1. Индекс МПК С01В21/068
- к разделу C отнесены:
(а) чистая химия, которая охватывает неорганические соединения, органические соединения, высокомолекулярные соединения и способы их получения;
(б) прикладная химия, которая охватывает составы, содержащие вышеуказанные соединения, такие как стекло, керамика, удобрения, пластмассы, краски, продукты нефтяной промышленности. Она охватывает также некоторые вещества и смеси специального назначения за счет особых свойств, например взрывчатые вещества, красители, клеящие вещества, смазочные и моющие средства;
(в) некоторые виды перерабатывающей промышленности, например: производство кокса и твердого или газообразного топлива, производство или очистка масел, жиров и восков, бродильная промышленность (например пивоварение и виноделие), производство сахара;
(г) некоторые виды обработки: либо полностью механические, как например, механическая обработка кожи, либо частично механические, как например, обработка воды или предотвращение коррозии вообще;
(д) металлургия, сплавы черных или цветных металлов.
- класс С01В включает: неметаллические элемент, их соединения,производство неметаллических элементовили неорганических соединений электролизом или электрофорезом.
2. Индекс МПК Н01L21/318
- к разделу H отнесены:
а) основные элементы электромеханического оборудования – все электрические детали и механические конструкции аппаратов и цепей, комбинации основных элементов в так называемых печатных схемах, а также некоторые способы и устройства для изготовления этих элементов (если для этого не предусмотрены специальные рубрики в других разделах);
б) генерирование электрической энергии – устройства для генерирования, преобразования и распределения электрической энергии, а также устройства для управления ими;
в) прикладная электротехника
г)основные электронные схемы и управление ими;
д) техника радио- и электросвязи;
е) подклассы раздела H часто включают в себя рубрики на «использование материалов с особыми свойствами» для изготовления изделий или элементов.
- класс H01: Основные элементы электрического оборудования
- подкласс H01L: Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам использование полупроводниковых приборов для измерений.
Индекс УДК 661.55
66 -Химическая технология. Химическая промышленность. Пищевая промышленность. Металлургия. Родственные отрасли
661 -Продукты основной химической промышленности
661.5 -Соединения азота. Связывание азота
661.571.1 -Нитриды. Общие вопросы.
Индекс УДК 621.38.0025:533.915.082.5
621.38.0025
62 -Инженерное дело. Техника в целом
621 – Общее машиностроение. Ядерная техника. Электротехника. Технология машиностроения в целом
621.3 – Электротехника
621.38 – Электроника. Фотоэлектроника. Электронные лампы, трубки. Рентгенотехника. Ускорители частиц. Электронные элементы, использующие свойства твердого тела. Полупроводниковая электроника.
533.915.082.5
53 -Физика
533 -Механика газов. Аэродинамика. Физика плазмы
533.9 – Физикаплазмы
Перечень изученной патентной и информационной документации
В результате патентного поиска по базам данных патентных документов РФ (разделы: Полные тексты российских изобретений из трех последних бюллетеней(НИ), Заявки на российские изобретения(ЗИ), Рефераты российских изобретений(РИ)) были найдены следующие патентные документы:
1) Способ получения пленок нитрида кремния (№ 2325001) (НИ);
2) Способ получения диэлектрической пленки нитрида кремния (№ 2449414) (НИ);
3) Способ получения пленки из аморфного нитрида кремния(№ 1584309) (РИ);
4) Способ осаждения нитрида кремния на кремниевую подложку (№ 2012153091) (РИ);
5) Способ осаждения нитрида кремния на кремниевую подложку (№ 2518283) (НИ).
Информационные документы, используемые для изучения информации по предмету патентного поиска:
1) Андриевский Р.А. Нитрид кремния-синтез и свойства// Успехи химии №64(4), 1995 г, с. 311-329;
2) Андриевский Р.А., Спивак И.И. Нитрид кремния и материалы на его основе. М.: Металлургия, 1984., 136 с;
3) Киреев Ю.В., Столяров А.А. Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы. М.: Техносфера, 2006 г. 192 с;
4) Ковалгин А.Ю. Исследование процессов плазмохимического осаждения пленок нитрида кремния: Автореф… дис. Канд. Техн. Наук. Санкт-Петербург, 1995 г. 237 с.
