Лекции.Орг


Поиск:




Категории:

Астрономия
Биология
География
Другие языки
Интернет
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Механика
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Транспорт
Физика
Философия
Финансы
Химия
Экология
Экономика
Электроника

 

 

 

 


Специфика техники поверхностного монтажа




Современные темпы развития электроники определяются, прежде всего, достижениями микроэлектроники, которая позволяет решать важнейшие проблемы надежности, стоимости, габаритов и массы радиоэлектронных устройств.

Область использования микроэлектронной аппаратуры (МЭА) необычайно широка и продолжает непрерывно расширяться. Появились устройства функциональной электроники, например, акустоэлектронные, оптоэлектронные, криоэлектронные микросхемы.

Современные электронные вычислительные средства создаются на основе больших и сверхбольших интегральных схем (БИС, СБИС, УБИС) с высокой степенью интеграции (более 2 млн. элементов в кристалле) и плотностью упаковки выше 100 млн. элементов на 1 см3. Однако, соединение таких полупроводниковых БИС в ячейках и блоках ЭВС зачастую осуществляется с применением плат, имеющих невысокую разрешающую способность рисунка коммутации, что снижает общую плотность упаковки элементов изделий.

Для обеспечения необходимой жесткости конструкции ячеек и блоков и (при необходимости) теплоотвода; нередко применяют специальные металлоемкие приспособления, рамы, решетки, а для соединения ячеек и блоков между собой - плетенные проводные "ремни".

Все это значительно снижает достигнутую в кристаллах плотность упаковки, приводя к увеличению массы и габаритов ЭВС.

Высокие темпы развития микроэлектроники породили и свои противоречия, так, например:

- возрастание количества выводов у БИС и СБИС привело к существенному возрастанию монтажной площадки для корпусов, монтируемых в отверстия плат, что стало едва ли не основным препятствием для миниатюризации изделий;

- рост сложности микросхем (МС) привел к потере их универсальности, они стали пригодными только для конкретного типа устройств. В результате увеличилась номенклатура ИС, уменьшилась их тиражность;

- отсутствие завершенных рядов ИС определило различную степень интеграции отдельных функциональных узлов и блоков;

- уровни технологии изготовления сложных конструктивов (ячеек, узлов, блоков) МЭА существенно различаются (например, у МОП БИС разрешающая способность рисунка составляет 100 - 1000 линий/мм, а в печатных платах - 1-2 линии/мм.

Все это обуславливает потери плотности упаковки, ухудшая массогабаритные и функциональные параметры МЭА.

Противоречия современной микроэлектроники определяют и тенденции ее развития:

- комплексное решение проблемы микроминиатюризации, включая идеологию разработки устройства в целом, предельное уменьшение габаритов, разработку новых методов формообразования конструктивов, техники теплообмена и др.;

- создание методов конструирования и базовой технологии для поточного производства полупроводниковых и гибридных ИС частного применения самого различного функционального назначения наряду с использованием крупносерийных универсальных ИС;

- переход к новым конструктивно-технологическим решениям формирования ячеек и блоков МЭА благодаря внедрению методов микроэлектроники.

Один из методов создания МЭА с заданными характеристиками основан на использовании бескорпусных ИС и микросборок (МСБ) частного применения. Известно, что использование бескорпусных полупроводниковых приборов и ИС ведет к существенному улучшению массогабаритных характеристик МЭА. Основной эффект здесь достигается не столько за счет увеличения плотности размещения кристаллов в МСБ и на коммутационных платах (КП) благодаря более высокой плотности выходных контактных площадок на кристалле по сравнению с плотностью выводов корпусированных ИС.

С ростом надежности бескорпусных ИС и ГИС, необходимость в их корпусировании отпадает, если в дальнейшем они герметизируются в корпусе ячейки или блока, т.е. достаточно произвести сборку и регулировку ячейки и блока, а затем осуществить корпусирование ячеек и блока в целом.

Такой подход позволяет существенно уменьшить габариты и массу ЭВС, а также решить вопрос об их ремонтоспособности и снизить трудоемкость изготовления БИС, входящих в состав ЭВС.

Вместе с тем, чрезвычайно важным является уменьшение разрыва между величинами плотности упаковки элементов, достигнутой в БИС, и плотности упаковки конструктивов в ячейках и блоках ЭВС.

Применение бескорпусных МС потребовало дальнейшего совершенствования КП, т.к. их конструкция и плотность проводников были оптимизированы в соответствии с плотностью выводов корпусированных ИС. Новая коммутационная плата выполнена методами тонкопленочной технологии и представляет собой многослойную систему ортогональных проводников на анодированной из алюминиевого сплава подложке и полиимидных пленках. Такая КП со смонтированными на ней навесными компонентами представляет собой сверхбольшую гибридную интегральную МСБ, выполняющую одну или несколько законченных функций; поэтому ее также называют функциональной ячейкой (ФЯ).

Двусторонняя и сдвоенная ФЯ обеспечивает примерно вдвое большую плотность упаковки конструктивов по сравнению с односторонней. Однако, увеличение функциональной сложности ячеек приводит к обострению проблемы создания надежной коммутации в пределах ФЯ и одновременно к обострению проблемы теплоотвода.

Обе эти проблемы успешно решаются применением нового конструкторско-технологического варианта производства ФЯ, в котором функции несущей конструкции теплоотвода и подложки большой гибридной ИМС объединены и выполняются металлической (из алюминиевого сплава) платой, покрытой слоем анодного окисла, а функции коммутационной платы - системой гибких полиимидных пленок с нанесенными на них (с применением тонкопленочной технологии) проводящими дорожками. На анодированной металлической плате создается один слой проводников и резисторов, а два или более числа слоев коммутации могут быть созданы в виде многослойной полиимидной коммутационной платы (МПКП).

Коммутационные переходы с одной стороны единичной гибкой платы на другую осуществляется системой металлизированных отверстий. Единичные гибкие КП набираются в пакет и присоединяются к анодированной металлической плате методом групповой пайки, для чего на последней предварительно формируются контактные площадки, покрытые припоем. На полиимидных гибких платах, в соответствии с контактными площадками подложки, имеются переходные металлизированные отверстия. При подогреве системы подложка - гибкие печатные платы в условиях вакуума припой поднимается по переходным отверстиям, и, застывая, образует прочные коммутационные соединения и одновременно механическое крепление. Для изоляции коммутации между единичными гибкими КП в пакете МПКП используют прокладки из полиимидной пленки с системой отверстий в местах межслойных переходов.

Бескорпусные БИС и другие компоненты могут быть смонтированы как на поверхности МПКП, так и непосредственно на анодированной металлической плате через окна, сформированные в КП. Переходы с одной стороны КП на другую в такой ФЯ могут осуществляется с помощью гибких шлейфов на полиимидной пленке.

Спроектированное на такой конструкторско-технологической базе ОЗУ емкостью 1024 кбит 16-разрядных слов имеет объем 45 см3. Аналогичное ОЗУ на той же элементной базе и традиционных платах занимает объем 135 см3. Выигрыш в объеме в 3 раза достигается за счет сокращения объема несущей конструкции и объема электрических соединений. По сравнению с ФЯ на печатных платах, ФЯ на МПКП достигается 5-20-кратное уменьшение габаритов и массы.

Сравнительная характеристика разводки плат, изготовленных с применением разных материалов и разных технологий металлизации приведена в табл.1.

 





Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2016-11-24; Мы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 690 | Нарушение авторских прав


Поиск на сайте:

Лучшие изречения:

Вы никогда не пересечете океан, если не наберетесь мужества потерять берег из виду. © Христофор Колумб
==> читать все изречения...

2386 - | 2192 -


© 2015-2025 lektsii.org - Контакты - Последнее добавление

Ген: 0.01 с.