Ћекции.ќрг


ѕоиск:




 атегории:

јстрономи€
Ѕиологи€
√еографи€
ƒругие €зыки
»нтернет
»нформатика
»стори€
 ультура
Ћитература
Ћогика
ћатематика
ћедицина
ћеханика
ќхрана труда
ѕедагогика
ѕолитика
ѕраво
ѕсихологи€
–елиги€
–иторика
—оциологи€
—порт
—троительство
“ехнологи€
“ранспорт
‘изика
‘илософи€
‘инансы
’ими€
Ёкологи€
Ёкономика
Ёлектроника

 

 

 

 


—пецифика техники поверхностного монтажа




—овременные темпы развити€ электроники определ€ютс€, прежде всего, достижени€ми микроэлектроники, котора€ позвол€ет решать важнейшие проблемы надежности, стоимости, габаритов и массы радиоэлектронных устройств.

ќбласть использовани€ микроэлектронной аппаратуры (ћЁј) необычайно широка и продолжает непрерывно расшир€тьс€. ѕо€вились устройства функциональной электроники, например, акустоэлектронные, оптоэлектронные, криоэлектронные микросхемы.

—овременные электронные вычислительные средства создаютс€ на основе больших и сверхбольших интегральных схем (Ѕ»—, —Ѕ»—, ”Ѕ»—) с высокой степенью интеграции (более 2 млн. элементов в кристалле) и плотностью упаковки выше 100 млн. элементов на 1 см3. ќднако, соединение таких полупроводниковых Ѕ»— в €чейках и блоках Ё¬— зачастую осуществл€етс€ с применением плат, имеющих невысокую разрешающую способность рисунка коммутации, что снижает общую плотность упаковки элементов изделий.

ƒл€ обеспечени€ необходимой жесткости конструкции €чеек и блоков и (при необходимости) теплоотвода; нередко примен€ют специальные металлоемкие приспособлени€, рамы, решетки, а дл€ соединени€ €чеек и блоков между собой - плетенные проводные "ремни".

¬се это значительно снижает достигнутую в кристаллах плотность упаковки, привод€ к увеличению массы и габаритов Ё¬—.

¬ысокие темпы развити€ микроэлектроники породили и свои противоречи€, так, например:

- возрастание количества выводов у Ѕ»— и —Ѕ»— привело к существенному возрастанию монтажной площадки дл€ корпусов, монтируемых в отверсти€ плат, что стало едва ли не основным преп€тствием дл€ миниатюризации изделий;

- рост сложности микросхем (ћ—) привел к потере их универсальности, они стали пригодными только дл€ конкретного типа устройств. ¬ результате увеличилась номенклатура »—, уменьшилась их тиражность;

- отсутствие завершенных р€дов »— определило различную степень интеграции отдельных функциональных узлов и блоков;

- уровни технологии изготовлени€ сложных конструктивов (€чеек, узлов, блоков) ћЁј существенно различаютс€ (например, у ћќѕ Ѕ»— разрешающа€ способность рисунка составл€ет 100 - 1000 линий/мм, а в печатных платах - 1-2 линии/мм.

¬се это обуславливает потери плотности упаковки, ухудша€ массогабаритные и функциональные параметры ћЁј.

ѕротиворечи€ современной микроэлектроники определ€ют и тенденции ее развити€:

- комплексное решение проблемы микроминиатюризации, включа€ идеологию разработки устройства в целом, предельное уменьшение габаритов, разработку новых методов формообразовани€ конструктивов, техники теплообмена и др.;

- создание методов конструировани€ и базовой технологии дл€ поточного производства полупроводниковых и гибридных »— частного применени€ самого различного функционального назначени€ нар€ду с использованием крупносерийных универсальных »—;

- переход к новым конструктивно-технологическим решени€м формировани€ €чеек и блоков ћЁј благодар€ внедрению методов микроэлектроники.

ќдин из методов создани€ ћЁј с заданными характеристиками основан на использовании бескорпусных »— и микросборок (ћ—Ѕ) частного применени€. »звестно, что использование бескорпусных полупроводниковых приборов и »— ведет к существенному улучшению массогабаритных характеристик ћЁј. ќсновной эффект здесь достигаетс€ не столько за счет увеличени€ плотности размещени€ кристаллов в ћ—Ѕ и на коммутационных платах ( ѕ) благодар€ более высокой плотности выходных контактных площадок на кристалле по сравнению с плотностью выводов корпусированных »—.

— ростом надежности бескорпусных »— и √»—, необходимость в их корпусировании отпадает, если в дальнейшем они герметизируютс€ в корпусе €чейки или блока, т.е. достаточно произвести сборку и регулировку €чейки и блока, а затем осуществить корпусирование €чеек и блока в целом.

“акой подход позвол€ет существенно уменьшить габариты и массу Ё¬—, а также решить вопрос об их ремонтоспособности и снизить трудоемкость изготовлени€ Ѕ»—, вход€щих в состав Ё¬—.

¬месте с тем, чрезвычайно важным €вл€етс€ уменьшение разрыва между величинами плотности упаковки элементов, достигнутой в Ѕ»—, и плотности упаковки конструктивов в €чейках и блоках Ё¬—.

ѕрименение бескорпусных ћ— потребовало дальнейшего совершенствовани€  ѕ, т.к. их конструкци€ и плотность проводников были оптимизированы в соответствии с плотностью выводов корпусированных »—. Ќова€ коммутационна€ плата выполнена методами тонкопленочной технологии и представл€ет собой многослойную систему ортогональных проводников на анодированной из алюминиевого сплава подложке и полиимидных пленках. “ака€  ѕ со смонтированными на ней навесными компонентами представл€ет собой сверхбольшую гибридную интегральную ћ—Ѕ, выполн€ющую одну или несколько законченных функций; поэтому ее также называют функциональной €чейкой (‘я).

ƒвусторонн€€ и сдвоенна€ ‘я обеспечивает примерно вдвое большую плотность упаковки конструктивов по сравнению с односторонней. ќднако, увеличение функциональной сложности €чеек приводит к обострению проблемы создани€ надежной коммутации в пределах ‘я и одновременно к обострению проблемы теплоотвода.

ќбе эти проблемы успешно решаютс€ применением нового конструкторско-технологического варианта производства ‘я, в котором функции несущей конструкции теплоотвода и подложки большой гибридной »ћ— объединены и выполн€ютс€ металлической (из алюминиевого сплава) платой, покрытой слоем анодного окисла, а функции коммутационной платы - системой гибких полиимидных пленок с нанесенными на них (с применением тонкопленочной технологии) провод€щими дорожками. Ќа анодированной металлической плате создаетс€ один слой проводников и резисторов, а два или более числа слоев коммутации могут быть созданы в виде многослойной полиимидной коммутационной платы (ћѕ ѕ).

 оммутационные переходы с одной стороны единичной гибкой платы на другую осуществл€етс€ системой металлизированных отверстий. ≈диничные гибкие  ѕ набираютс€ в пакет и присоедин€ютс€ к анодированной металлической плате методом групповой пайки, дл€ чего на последней предварительно формируютс€ контактные площадки, покрытые припоем. Ќа полиимидных гибких платах, в соответствии с контактными площадками подложки, имеютс€ переходные металлизированные отверсти€. ѕри подогреве системы подложка - гибкие печатные платы в услови€х вакуума припой поднимаетс€ по переходным отверсти€м, и, застыва€, образует прочные коммутационные соединени€ и одновременно механическое крепление. ƒл€ изол€ции коммутации между единичными гибкими  ѕ в пакете ћѕ ѕ используют прокладки из полиимидной пленки с системой отверстий в местах межслойных переходов.

Ѕескорпусные Ѕ»— и другие компоненты могут быть смонтированы как на поверхности ћѕ ѕ, так и непосредственно на анодированной металлической плате через окна, сформированные в  ѕ. ѕереходы с одной стороны  ѕ на другую в такой ‘я могут осуществл€етс€ с помощью гибких шлейфов на полиимидной пленке.

—проектированное на такой конструкторско-технологической базе ќ«” емкостью 1024 кбит 16-разр€дных слов имеет объем 45 см3. јналогичное ќ«” на той же элементной базе и традиционных платах занимает объем 135 см3. ¬ыигрыш в объеме в 3 раза достигаетс€ за счет сокращени€ объема несущей конструкции и объема электрических соединений. ѕо сравнению с ‘я на печатных платах, ‘я на ћѕ ѕ достигаетс€ 5-20-кратное уменьшение габаритов и массы.

—равнительна€ характеристика разводки плат, изготовленных с применением разных материалов и разных технологий металлизации приведена в табл.1.

 





ѕоделитьс€ с друзь€ми:


ƒата добавлени€: 2016-11-24; ћы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 677 | Ќарушение авторских прав


ѕоиск на сайте:

Ћучшие изречени€:

¬ы никогда не пересечете океан, если не наберетесь мужества потер€ть берег из виду. © ’ристофор  олумб
==> читать все изречени€...

1948 - | 1794 -


© 2015-2024 lektsii.org -  онтакты - ѕоследнее добавление

√ен: 0.008 с.