Динамические ЗУ в виде БИС применяют для построения оперативных и буферных ЗУ.
В динамических ЗУ используется хранение заряда в емкостях, свойственных МОП структурам. Из-за постепенного паразитного перезаряда емкостей необходима периодическая регенерация, в ходе которой корректируется значение хранящегося заряда.
В выпускаемых БИС регенерация не реже чем через 
мс, выполняется путем считывания и повторной записи хранимой информации.
Средства регенерации могут быть отдельными для каждой запоминающей емкости, или общими на их группу.
В первом случае усложняется схема ЗЭ, но повышается быстродействие – регенерация может быть одновременно проведена во всем массиве ЗЭ.
Во втором случае – упрощаются ЗЭ, но снижается быстродействие из-за последовательной регенерации в группах.
Рассмотрим структуру ЗЭ с однотранзисторными элементами.
ЗЭ – емкость С и транзистор Т.
В состав первого каскада усилителя считывания – транзистор 
, резистор 
.
и 
- шину 
уровней 0 или 
через ключ на . ЗЭ выбирают подачей отпирающего напряжения на шину выборки 
. После отпирания транзистора 
происходит перераспределение заряда между 
и 
. Изменение потенциала пропорционально разности первоначальных напряжений на шине и запоминающейся емкости. Это изменение усиливается . При хранении нуля ( - не заряжена) приращение выходного напряжения 
больше, чем при хранении единицы ( - было заряжена).
Разность обнаруживает и превращает в стандартный сигнал в последовательных каскадах усилителя.
При записи на подается одно из крайних 0 или 1 - или .
