Лекции.Орг


Поиск:




Категории:

Астрономия
Биология
География
Другие языки
Интернет
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Механика
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Транспорт
Физика
Философия
Финансы
Химия
Экология
Экономика
Электроника

 

 

 

 


Полевой транзистор с управляющим p-n переходом




(несимметричный переход)

 

- образование горловины канала

, где ρ – удельное сопротивление канала;

- длина канала;

- площадь поперечного сечения канала.

- ток в канале.

Если изменять S при , будет изменяться , но , а значит .

Если к кристаллу n-типа со стороны стока и истока приложить напряжение , а с помощью , приложенного к затвору, сместить p-n переходы в обратном направлении, то площадь S канала, а значит и Rкан будут зависеть от .

Площадь перехода увеличивается с повышением приложенного к нему обратного напряжения , а увеличение области, обеднённой носителями заряда, приводит к повышению электрического сопротивления канала (Rкан). В результате будет выполняться функция:

Исток – это электрод, от которого начинается движение основных носителей заряда.

Сток – электрод, к которому движутся основные носители заряда.

Затвор – электрод, управляющий площадью поперечного сечения канала и регулирующий ток в канале.

Напряжение между затвором и истоком, при котором ток стока близок к нулю, называется напряжением отсечки ().

Ширина p-n перехода зависит также от тока, протекающего через канал.

Если , то IС, протекающий через канал, создаёт по длине последнего падение напряжения, которое оказывается запирающим для перехода затвор-канал.

Это приводит к уменьшению сечения и проводимости канала, причём ширина p-n перехода увеличивается по мере приближения к области стока. У края p-n перехода около истока действует напряжение , а у края – около стока – напряжение .

 

Выходные ВАХ.

При определённом значении IС наступает такое сужение канала (горловина) у стокового конца, что наступает режим насыщения (участок II), где с увеличением меняется незначительно. Напряжение, соответствующее началу этого участка называется напряжением насыщения (Uнас).

Uнас­ меняется взависимости от .

При значительном увеличении у стокового конца происходит пробой p-n перехода (область III).

В выходных характеристиках: ОА – крутая область, используется как омически управляемое сопротивление в зависимости от . Участок АВ – область насыщения – пологий участок – усилительный режим.

При работе в пологой области (II) ВАХ, при заданном ток стока определяется:

,

где - начальный ток стока, это ток при и .

Управляющее действие затвора оценивается крутизной характеристики:

и интерпретируется стокозатворной характеристикой (характеристика передачи).

 

 

Усилительные свойства полевых транзисторов характеризуют коэффициентом усиления:

Дифференциальное внутреннее сопротивление определяется:

.

Поэтому:

 

 

УГО полевых транзисторов с

управляющим p-n переходом:

 

 

Схемы включения транзисторов:

 

 

Полная эквивалентная схема полевого транзистора с управляющим

p-n переходом и каналом n-типа.

 





Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2016-10-30; Мы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 481 | Нарушение авторских прав


Поиск на сайте:

Лучшие изречения:

Студенческая общага - это место, где меня научили готовить 20 блюд из макарон и 40 из доширака. А майонез - это вообще десерт. © Неизвестно
==> читать все изречения...

2346 - | 2303 -


© 2015-2024 lektsii.org - Контакты - Последнее добавление

Ген: 0.008 с.