На частотные свойства транзисторов большое влияние оказывают ёмкости p-n переходов. С увеличением частоты емкостное сопротивление переходов уменьшается, а шунтирующее действие емкостей возрастает.
Т-образные схемы транзисторов с ОБ и с ОЭ помогут оценить частотные свойства схем включения транзисторов.
Из ВАХ схем включения известно, что при определённых значениях IЭ и IБ ток коллектора практически не зависит от UКБ. Однако если учесть такое влияние (а оно есть за счет эффекта Эрли), то:
,
где 
- дифференциальное сопротивление запертого коллекторного p-n перехода.
С учетом последнего уравнения, Т-образная эквивалентная схема с ОБ может иметь вид:
Влияние CЭБ базы на высоких частотах мало, т.к. rЭ диф также мало.
Особенно вредное влияние оказывает CКБ, т.к. на высоких частотах емкостное сопротивление 
оказывается значительно меньше, чем
rК диф и с повышением частоты Iк уменьшается даже при iЭ=const
(т.к. CКБ и rК диф включены параллельно).
С учётом эффекта Эрли для схемы с ОЭ получим:
(1)
С учетом последнего уравнения Т-образная эквивалентная схема с ОЭ может иметь вид:
Где 
Последнее слагаемое в уравнении (1) на высоких частотах носит комплексный характер. При учёте ёмкости коллекторного перехода СК его сопротивление 
состоит их параллельно включенных 
или
Следовательно, в схеме с ОЭ 
- граничные частоты в схеме с ОЭ и ОБ, соответственно.
Второй причиной уменьшения усилительных свойств транзисторов на высоких частотах является отставание по фазе переменного тока IК от переменного тока IЭ, что обусловлено инерционностью процесса переноса носителей заряда через базу, а также инерционностью процессов накопления и рассасывания зарядов в базе.
Время пролёта носителей через базу 
у обычных транзисторов ≈0,1мкс.
На частотах от единиц до десятков МГц это приводит к увеличению IБ и как следствие, к снижению коэффициента передачи по току.
Векторные диаграммы токов транзистора на разных частотах.
φ – сдвиг фаз между токами IЭ и IК;
IБ на высоких частотах равен геометрической разности токов IЭ и IК;
- коэффициент передачи на заданной частоте;
- коэффициент передачи на низких частотах.
Из сказанного следует, что схема с ОБ является более высокочастотной чем с ОЭ.
Для определения α и β на высоких частотах f могут быть использованы формулы:
.
- коэффициенты усиления при 
.
Для расширения частотного диапазона транзисторов необходимо увеличивать скорость перемещения неосновных носителей через базу, уменьшать толщину базы и ёмкость коллекторного перехода.
