Имеются три характерные области работы транзистора: область выключения (отсечки) I, область активного режима II и область включения (насыщения) III. В ключевых схемах транзистор находится в активном режиме лишь в переходном состоянии. Статические параметры ключа: остаточное напряжение U во включенном состоянии (точка В) и остаточный ток в выключенном (запертом) состоянии (точка А). В точке А напряжение на электродах практически совпадает с эдс источника питания. В точке В токи электродов определяются параметрами внешних цепей: 
. В исходном состоянии транзистор закрыт положительным напряжением Еб2. Процесс отпирания транзистора при подаче на базу отрицательного напряжения Еб1 можно разделить на три этапа: задержка фронта, формирование фронта и накопление заряда. Этап задержки фронта обусловлен зарядом входной емкости запертого транзистора от значения Еб2 до напряжения открывания транзистора U*. Входную емкость обычно принимают равной сумме барьерных емкостей эмиттерного и коллекторного переходов. Когда открывается эмиттерный переход, начинается инжекция носителей в базу, транзистор переходит в активный режим. На этом этапе коллекторный ток возрастает до значения Iкн. В конце этапа формирования фронта в базе транзистора накапливается заряд Qгр,а напряжение на переходе коллектор – база падает до нуля. После того, как транзистор начал работать в режиме насыщения, заметных внешних изменений в схеме ключа не происходит.
Процесс выключения транзистора начинается, когда на базу подаётся запирающее напряжение. В момент переключения на обоих p-n – переходах сохраняются прямые смещения, близкие к U*. При этом коллекторный ток не меняется и остаётся равным
Iкн. Базовый ток принимает значение: 
. На первом этапе процесса выключения происходит рассасывание накопленного заряда током Iб2. После этого начинается уменьшение коллекторного тока и формирование среза импульса. В конце этого рассасывания в базе транзистора остаётся некоторый остаточный заряд Qост. По окончании этапа рассасывания начинается последний этап переходного процесса –запирание транзистора. Длительность запирания обычно определяется процессом заряда коллекторной ёмкости.
Общая инерционность транзисторного ключа характеризуется временами включения tвкл
и выключения tвыкл: 
Усовершенствованные ключи на биполярном транзисторе.
Схема с дополнительным источником смещения.
Схема с ускоряющей емкостью
