В транзисторныхкаскадах применяют обычно питание от одного источника — источника выходной цепи ЕК. Для нормального режима работы транзистора необходимо, чтобы между эмиттером и базой было постоянное напряжение в десятые доли вольта (напряжение смещения базы UБЭ = 0.7В).
На рис. 4.16 показана подача напряжения смещения с помощью делителя R1R2 в каскаде с ОЭ. Здесь большая часть напряжения ЕК падает на резисторе R1 а небольшая часть, являющаяся напряжением смещения UБЭ, падает на резисторе R2 , который подключен параллельно входу транзистора:
. (4.36)
Разделительные конденсаторы СР в схемах служит для передачи на вход транзистора усиливаемого переменного напряжения. Чтобы потеря этого напряжения на конденсаторе СР была незначительной, его емкостное сопротивление для самой низкой частоты должно быть достаточно малым. Емкость этого конденсатора на низких частотах должна быть равной единицам и даже десяткам микрофарад. Поэтому в качестве конденсатора СР в низкочастотных схемах обычно применяют малогабаритные электролитические конденсаторы.
Рис. 4.16. Схема температурной стабилизации и подачи напряжения смещения на базу транзистора
Схема эмиттерной стабилизации с резистором Rэ требует источника ЕК с несколько более высоким напряжением. Падение напряжения на резисторе UЭ = IЭRЭ действует навстречу напряжению UБ = I1R2. Поэтому напряжение смещения базы UБЭ = UБ — UЭ . Резистор Rэ создает отрицательную обратную связь по постоянному току. Если под влиянием температуры токи в транзисторе начнут возрастать, то от повышения тока IЭ увеличится напряжение UЭ и соответственно уменьшится напряжение смещения на базе UБЭ, а это вызовет уменьшение токов. В результате такого изменения одновременно в противоположные стороны токи изменяются очень мало и режим получается более стабильным.
Для того чтобы резистор RЭ не создавал отрицательной обратной связи по переменному току, он зашунтирован конденсатором СЭ достаточно большой емкости. Его сопротивление для самой низкой частоты должно быть во много раз меньше RЭ . Обычно конденсатор СЭ электролитический, емкостью в десятки микрофарад.
Пренебрегая напряжением UБЭ по сравнению с другими напряжениями, расчет сопротивлений резисторов для схемы эмиттерной стабилизации делают по следующим приближенным формулам:
R1 ≈ (ЕК – UЭ)/(IБ + I1); R2 ≈ UЭ /I1; RЭ = UЭ /IЭ (4.37)
При этом значение UЭ выбирается с учетом возможного повышения ЕК , а ток делителя I1 обычно составляет (3 ÷ 5) IБ.