Старооскольский технологический институт им. А.А. УГАРОВА
(филиал) федерального государственного автономного образовательного учреждения
высшего профессионального образования
«Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Факультет автоматизации и информационных технологий
Кафедра автоматизированных и информационных систем управления
Отчет
Практическое задание №4
по дисциплине: «Электроника»
на тему: «Расчет мультивибратора на транзисторах»
Выполнил:
студент группы ЭТ-14д
Рудаков Андрей Геннадиевич
Проверила:
ст. преподаватель кафедры АИСУ
Уварова Людмила Васильевна
Старый Оскол
2016 г.
Практическое задание №4.
Расчет мультивибратора на транзисторах
Цель работы: Закрепление теоретического материала в соответствии с программой курса «Электроника» и развитие навыков его практического использования.
Характеристики МП21Д транзистора по варианту:
Данные транзисторы р-n-р-типа
Амплитуда выходных импульсов: UВЫХ = 8 В;
Коэффициент насыщения транзистора: SНАС = 1,3
Частота повторения импульсов: f = 5200 Гц
Сопротивление нагрузки: RH = 104 Ом
Реальные технические характеристики МП21Д транзистора:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 0,7 МГц;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 50 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 300 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 60...200;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом
3. Выбираем напряжение питания EК в соответствии с формулой:
4. Определяем сопротивления резисторов RК:
А) для уменьшения шунтирующего действия сопротивления нагрузки на
амплитуду импульсов должно соблюдаться условие:
Б) Поскольку в состоянии насыщения через транзистор протекает ток, практически равный 
Должно соблюдаться условие:
В) Расчеттемпературной нестабильность периода колебаний при больших Rк:
Значение RК должно находиться в пределах 300 Ом ≤ RК ≤ 3 кОм
Согласно расчетам: 
, следовательно принимаем 
5. Действительная амплитуда импульсов на коллекторах транзисторов равна 
, где 
- остаточное напряжение на транзисторе в состоянии насыщения:
6. В состоянии насыщения транзистора через эти резисторы протекает ток базы, практически равный 
(убедитесь, почему это так)
Расчёт сопротивления резисторов в цепях баз RБ:
7. Расчёт емкости конденсаторов С во времязадающих цепочках на основании упрощенной формулы для симметричного мультивибратора:
8. Оценка емкости выходного разделительного конденсатора СК:
9. Определение длительности фронта выходного импульса:
10. Диаграммы напряжений на коллекторах и базах транзисторов
 |
