Технология осуществления силовых деструктивных воздействий по проводным слаботочным цепям

Классификация ТС СДВ по проводным линиям приведена на рисунке 3.

Рис. 3. Классификация технических средств СДВ по проводным слаботочным линиям

Для проникновения энергии СДВ по проводным линиям необходимо преодолеть предельную поглощающую способность компонентов, которые могут быть использованы во входных цепях. Анализ показывает, что для деградации этих компонентов (микросхем, транзисторов, диодов и т.п.) достаточно воздействия импульса с энергией 1 – 1000 мкДж, причем, этот импульс может быть весьма коротким, т.к. время пробоя МОП-структуры или pn-перехода составляет 10 – 1000 нс. Как известно, напряжения пробоя переходов составляют от единиц до десятков вольт. Так у арсенидгаллиевых приборов это напряжение равно 10В, запоминающие устройства имеют пороговые напряжения около 7В, логические интегральные схемы (ИС) на МОП-структурах – от 7 до 15 В. И даже кремниевые сильноточные биполярные транзисторы, обладающие повышенной прочностью к перегрузкам, имеют напряжение пробоя в диапазоне от 15 до 65 В. Отсюда можно сделать вывод о том, что для СДВ по проводным каналам требуется энергия на несколько порядков ниже, чем по сети питания и деструктивное воздействие может быть реализовано с помощью относительно простых технических средств, обеспечивающих высокую вероятность вывода объекта атаки из строя. В частности, в данном случае для СДВ может быть использован любой электромагнитный шокер.

Основные рекомендации по защите систем безопасности от СДВ по проводным линиям приведены в таблице 5.

Таблица 3

Основные рекомендации по защите систем безопасности от СДВ

По проводным линиям