Определение горизонтальной составляющей индукции

Магнитного поля Земли и магнитного момента

Постоянного магнита

 

Цель работы: практическое освоение магнитометрического метода измерения горизонтальной составляющей индукции магнитного поля Земли.

Приборы и принадлежности: тангенс-гальванометр, источник постоянного тока, миллиамперметр, реостат, ключ и переключатель.

 

Описание установки

 

Прибор состоит из катушки, укрепленной на вращающейся подставке. В центре катушки на вертикальной оси укреплены стрелка и алюминиевый круг (лимб) с делениями и обозначениями сторон света. Стрелка с лимбом может свободно вращаться внутри круглой коробки с прозрачной крышкой. Отсчет по прибору выполняют тогда, когда деление шкалы совпадает с направлением стрелки.

ТГ

 

Рисунок 15.4 – Электрическая схема установки

 

 

Электрическая схема установки приведена на рисунке 15.4. Здесь A – миллиамперметр, К – ключ, R – реостат, ТГ – тангенс-гальванометр.

 

Ход работы

 

1 Собрать схему согласно изображению на рисунке 15.4. Поворачивая подставку тангенс-гальванометра, установить витки его катушки в плоскости магнитного меридиана (визирная нить должна совпадать с делением 207).

 

2 Ключом К включить ток в катушке. Изменяя его величину реостатом R, добиться поворота стрелки на j₁ = 45° и зафиксировать значение тока i₁.

Переключателем изменить направление тока в катушке, добиться отклонения стрелки на j₂ = 45° и снова зафиксировать значение тока i₂.

Данные измерений занести в таблицу 15.1:

 

Таблица 15.1 – Данные измерений

№ измерения	i1	I2	<i>	BГ

 

3 Взяв среднее значение токов i₁ и i₂, вычислить по формуле (15.4) значение горизонтальной составляющей В_Г.

4 Оценить, исходя из формулы (15.3), максимальную погрешность измерения В_Г, считая, что значение известно точно, абсолютная погрешность не превышает одного деления лимба, а относительную погрешность в измерении тока можно определить исходя из класса точности миллиамперметра.

 

5 Измерения произвести при различных значениях тока в цепи катушки (для 3–4 значений), по полученным значениям В_Г определить ее среднеарифметическую величину и рассчитать погрешность измерений.

 

 

Тема 16

Изучение работы биполярного транзистора

 

1 Принцип работы биполярных транзисторов

2 Транзисторы n-p-n и p-n-р типа

3 Параметры биполярных транзисторов

 

Основные понятия по теме

 

Биполярный транзистор – полупроводниковый прибор с двумя p-n - переходами, для работы которого существенно участие в создании тока носителей заряда обоих знаков. Устройство транзистора представляет собой пластинку германия или другого полупроводника, в которой созданы три области с различной электропроводностью. Транзистор типа n-p-n имеет среднюю область с дырочной электропроводностью, а две крайние области с электронной электропроводностью. Средняя область называется базой, одна крайняя область эмиттером, другая коллектором.

Расстояние между p-n -переходами должно быть очень малым, не более единиц микрон, т. е. область базы должна быть очень тонкой.

Обычно к эмиттерному переходу подключают напряжение, являющееся прямым для основных носителей заряда областей, прилегающих к этому переходу, а к коллекторному переходу – обратное напряжение. При таком включении транзистора ток между эмиттером и базой I_э будет в основном состоять из электронов, движущихся из эмиттера в базу. Дырки из базы в эмиттер проникают также легко – для них эмиттерный переход также включен в прямом направлении. Но концентрацию дырок в базе делают значительно меньше концентрации свободных электронов в области эмиттера. Поэтому током дырок из базы в область эмиттера можно пренебречь.

Часть электронов, проходя через базовую область, рекомбинирует там с дырками, однако большая часть их диффундирует сквозь узкую базовую область и попадает в поле коллекторного перехода, который для них открыт. Таким образом, ток коллектора практически равен току эмиттера, отличаясь от него на небольшую долю вследствие рекомбинации части электронов в базовой области.

Назначением эмиттера является инжекция (впуск, впрыскивание, но не эмиссия в обычном понимании этого термина) носителей заряда в базу. База – это область, в которую инжектируются эмиттером неосновные для нее носители заряда. Коллектор – область, назначением которой является экстракция (прием, поглощение) носителей заряда из базы.

Между рассмотренными токами в соответствии с законом Кирхгофа выполняется соотношение

(16.1)

Э

Б

К

х

φ

Работу транзистора иллюстрирует потенциальная диаграмма (рисунок 16.1).

 

Рисунок 16.1 – Изменение потенциала между эмиттером и

коллектором

 

 

Потенциал эмиттера принят за нулевой. В эмиттерном переходе, хотя он и включен в прямом направлении для электронов (основных носителей заряда в эмиттерной области), все-таки есть небольшой потенциальный барьер. Высотой этого барьера можно управлять, меняя напряжение между базой и эмиттером. Поле в области коллектора для электронов является ускоряющим.

Зависимость между токами и напряжениями, действующими в транзисторе, имеет сложный характер. Ее удобно описывать графически в виде характеристик.

Рассмотрим одну из основных схем включения транзистора – схему с общим эмиттером. Входное напряжение U_сигн, которое необходимо усилить, подается на участок база-эмиттер. На базу подается также напряжение смещения U_бэ. При этом в цепи базы протекает некоторый ток, т. е. сопротивление транзистора получается сравнительно небольшим. Цепь коллектора (выходная цепь) питается от источника E_кэ.

Статические характеристики снимаются на постоянном токе. В качестве входных характеристик для описанной схемы можно рассматривать зависимость:

I_б(U_бэ) при U_кэ = const. (16.2)

А выходных – зависимость

I_к(U_кэ) при I_б = const. (16.3)

Семейства указанных характеристик изображены на рисунке 16.2.

IБ

UБЭ

UКЭ2 < UКЭ1

UКЭ

IК

IБ1

IБ2 >IБ1

IБ3 >IБ2

 

 

Рисунок 16.2 – Входные и выходные

характеристики транзистора

 

 

Входные и выходные характеристики транзистора имеют тесную связь с вольтамперной характеристикой полупроводникового диода. Действительно, входные характеристики относятся к эмиттерному переходу, который работает при прямом напряжении. Поэтому они подобны характеристике прямого тока диода. Выходные характеристики подобны характеристике обратного тока диода, так как отображают свойства коллекторного перехода, работающего при обратном напряжении (для основных носителей заряда).

По входным характеристикам можно определить входное сопротивление транзистора:

при U_кэ = const, (16.4)

а по выходным – выходное сопротивление:

при I_б = const. (16.5)

Вычисленные таким образом величины R_вх и R_вых являются сопротивлениями транзистора по переменному току. Т. е. такое сопротивление оказывает транзистор переменному току небольшой амплитуды сравнительно с постоянным током, текущим соответственно во входной и выходной цепях. Величины R_вх и R_вых используются при анализе работы транзистора в схемах усиления переменного тока или напряжения.

Одним из важнейших параметров транзистора является коэффициент усиления тока базы β, который определяется как отношение приращения тока коллектора к приращению тока базы при постоянной разности потенциалов между эмиттером и коллектором:

при U_кэ = const. (16.6)

Так как основная часть тока эмиттера замыкается через цепь коллектора, коэффициент β всегда значительно больше единицы. У современных транзисторов он равен 10–300.

При любой схеме включения транзистора в качестве усилителя электрический ток имеется как в выходной цепи, так и во входной. Это позволяет говорить об усилителе на транзисторе как об усилителе тока. Но входной ток транзистора связан с выходным напряжением. Таким образом, схему с транзистором можно рассматривать и как усилитель тока, и как усилитель напряжения, и, естественно, как усилитель мощности.

Коэффициент усиления по напряжению схемы с транзистором приближенно можно вычислить следующим образом:

, (16.7)

где R_н – сопротивление нагрузки в цепи коллектора.

Эта простая формула справедлива лишь в небольшой области режимов работы транзистора. Как и в любом другом усилителе, коэффициент усиления транзисторного усилителя зависит от частоты сигнала и его амплитуды.

 

 

Вопросы для самоконтроля

 

1 Что представляют собой транзисторы n-p-n типа?

2 Какую роль играют эмиттер, база и коллектор в транзисторе?

3 Почему базу транзистора делают тонкой?

4 Какие носители заряда являются основными и не основными в эмиттерной, базовой и коллекторной областях транзистора?

5 Для каких носителей заряда коллекторный переход включается в обратном направлении?

6 Объясните сходство между входными и выходными характеристиками транзистора, с одной стороны, и вольтамперной характеристикой диода – с другой?

7 Как можно найти величины входного и выходного сопротивлений транзистора?

8 Как можно определить коэффициент усиления транзистора по току?

9 Какого порядка обычно бывают входное и выходное сопротивления транзистора?

 

Лабораторная работа 16

Снятие входных и выходных