|
|
На рисунке 11.1.4.1 показано условное обозначение оперативного запоминающего устройства (ОЗУ) 8 x 4 и электрически стираемого программируемого постоянного запоминающего устройства (ЭСППЗУ) 8 x 4.
Расположение разъемных соединений:
· 0... 2: адресные входы для выбора запоминающих ячеек 0... 7
· WE: Write Enable (разрешение записи)
· OE: Output Enable (разрешение ввода данных)
· CS: Chip Select (разрешение сохранения)
| Рисунок 11.1.4.1 ОЗУ 8 x 4 и ЭСППЗУ 8 x 4 |
| Управляющие входы | Состояние модуля | Функции | |||
| WE | OE | CS | |||
| Модуль памяти описывать | активен | Линии передачи данных работают как входы, комбинация битов поступает в модуль запоминающего устройства | |||
| не активен | Линии передачи данных находятся под большим омическим сопротивлением (отключены) | ||||
| Модуль памяти вводить данные | активен | Линии передачи данных работают как выходы, содержимое адресованных ячеек памяти находится на линиях передачи данных | |||
| не активен | Линии передачи данных находятся под большим омическим сопротивлением (отключены) |
Модуль памяти имеет четыре линии передачи данных, которые, в зависимости от схемы управляющих входов, работают как входная и выходная шины или находятся в высокоимпедансном состоянии (Tri-State).
В таблице 11.1.4.1 показан обзор схем управляющих входов, получаемого состояния оперативного запоминающего устройства или ЭСППЗУ и соответствующего принципа работы.
· Указание: Используемое в данном случае ЭСППЗУ около часа может сохранять информацию без питающего напряжения.
Таблица 11.1.4.1 Таблица функций
