(IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistors) - , . . .1 IGBT.
. 1. IGBT | . 2. IGBT |
IGBT 80- .
I IGBT (1985 .): 1000 200 25 , 3,0-3,5 , 5 ( / 1 ).
II (1991 .): 1600 , 500 50 ; 2,5-3,0 , 20 ( / 0,5 ).
III (1994 .): 3500 , 1200 . 1800 600 1,5-2,2 , 50 ( 200 ).
IV (1998 .): 4500 , 1800 ; 1,0-1,5 , 50 ( 200 ).
IGBT --, (MOSFET- Metal-Oxid-Semiconductor-Field-Effect-Transistor) : ( ) ( ). . 2. E () C (), - G ().
, IGBT : , , . (D), (S) . : .
. 3.
IGBT . 4,. p+ (), n (), p (); - n (), n+ () (). p+ p , . , . . 4, IGBT IV , "" (trench-gate technology), p- .
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. 4. IGBT: - (); - "trench-gate technology"
IGBT : ( n - ). n p . , .
IGBT 600-1200 , , 1,5-3,5 . , MOSFET .
, MOSFET c 200 , IGBT, 50 .
IGBT MOSFET, . IGBT 0,2-0,4 0,2-1,5 , .
IGBT 10 20 . , .
, MOSFET 500 , IGBT ( 3500 ).