Микросхемы флэш-памяти упаковывают в корпуса со стандартизованным назначением выводов. Первые микросхемы выпускались в корпусах DIP, что обеспечивало легкость замены микросхем (E)EPROM на флэш-память. Далее в целях миниатюризации перешли к корпусам PLCC, TSOP и TSOP-II. Применение корпусов FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array) — матрицы 6×8 шариковых выводов с шагом 0,8 мм — позволяет уменьшить размер корпуса до минимума, требуемого для упаковки кристалла. Для микросхем, используемых в картах SmartMedia, применяют и оригинальную упаковку KGD (Known Good Die).
На рис. 7.20-7.22 приведено расположение выводов распространенных микросхем флэш-памяти (основной вариант цоколевки). Многие микросхемы имеют два варианта цоколевки для корпусов поверхностного монтажа — основной и зеркальный (реверсный). Это позволяет существенно упростить разводку печатных проводников (серпантином) при объединении большого количества микросхем в массивы флэш-памяти.
Рис. 7.20. Расположение выводов микросхем флэш-памяти с 8-битной организацией в корпусах DIP и PLCC: а — DIP-32, б — PLCC-32
Рис. 7.21. Расположение выводов микросхем флэш-памяти с 8-битной организацией в корпусах TSOP: а — TSOP-32, б — TSOP-40
Рис. 7.22. Расположение выводов микросхем флэш-памяти с 8/16-битной организацией в корпусах TSOP-44: а — TSOP-44, б — TSOP-48, в — TSOP-56
Назначение сигналов микросхем флэш-памяти приведено в табл. 7.23; микросхемы разных изготовителей и моделей могут иметь не все из приведенных управляющих сигналов.
Таблица 7.23. Назначение сигналов микросхем флэш-памяти
| Сигнал | Назначение |
| СЕ# | Chip Enable — разрешение доступа. Низкий уровень разрешает обращение к микросхеме, высокий уровень переводит микросхему в режим пониженного потребления. Доступ к микросхеме, имеющей два входа (СЕ1# и СЕ2#), возможен при низком уровне на обоих входах |
| ОЕ# | Output Enable — разрешение выходных буферов. Низкий уровень при низком уровне сигнала СЕ# разрешает чтение данных из микросхемы. Подача высокого (12В) напряжения во время подачи команды стирания или программирования позволяет модифицировать и Boot-блок (этот метод используется редко, поскольку требует не-ТТЛ сигнала) |
| WE# | Write Enable — разрешение записи. Низкий уровень при низком уровне сигнала СЕ# разрешает запись и переводит выходные буферы в высокоимпедансное состояние независимо от сигнала ОЕ#. Временные диаграммы шинного цикла записи аналогичны обычной статической памяти, что позволяет подключать флэш-память непосредственно к системной шине процессора. Допустимы оба способа управления — как с помощью сигнала WE# на фоне низкого уровня СЕ#, так и наоборот. Минимальная длительность импульса записи совпадает со временем доступа |
| DQx | Data Input/Output — двунаправленные линии шины данных. Время доступа при чтении отсчитывается от установки действительного адреса или сигнала СЕ# (в зависимости от того, что происходит позднее). Фиксация данных при записи происходит по положительному перепаду WE# или СЕ# в зависимости оттого, что происходит раньше |
| BYTE# | Управляющий сигнал для выбора режима обращения к микросхемам с 8/16-битной организацией. Они имеют два 8-битных банка, и их ячейки памяти адресуются 16-битными словами. Низкий уровень сигнала BYTE# задает восьмибитный режим обмена по линиям DQ[0:7], при этом линия DQ15/A-1 становится самой младшей линией адреса, переключающей банки, а линии DQ[8:14] переходят в высокоимпедансное состояние |
| Ах | Address — входные линии шины адреса. Линия А9 допускает подачу высокого (12В) напряжения (как и EPROM) для чтения кода производителя (А0=0) и устройства (А0=1), при этом на остальные адресные линии подается логический «0» |
| RP# (PWD#) | Reset/Power Down, раньше обозначался PWD# (PowerDown). Низкий уровень сбрасывает регистр команд и переводит микросхемы в режим «глубокого сна» (Deep Powerdown) с минимальным (доли микроампера) потреблением питания. Перевод сигнала в высокий логический уровень «пробуждает» микросхему (примерно за 0,3–0,8 мкс), после чего она переходит в режим чтения данных. Подача высокого (12В) напряжения разрешает программирование даже защищенного Boot-блока |
| WP# | Write Protect — защита записи. При низком уровне WP# модификация Boot-блока или других блоков с установленным битом защиты возможна только при наличии высокого (12В) напряжения на входе RP#. При высоком уровне защита блоков игнорируется |
| RY/BY# | Ready/Busy# — сигнал готовности (высокий уровень) микросхемы к очередной операции программирования или стирания. Низкий уровень указывает на занятость управляющего автомата (WSM) выполнением операции стирания или программирования. Выход обычно не управляется сигналами ОЕ# и СЕ#. В микросхемах 28F016SA и выше выход имеет тип «открытый коллектор», запираемый по команде, и программируемое назначение |
| 3/5# | Сигнал, переключающий режим работы микросхемы в зависимости от питающего напряжения, введен для оптимизации быстродействия или потребления |
Интерфейс микросхем флэш-памяти хорошо сочетается со стандартными сигналами, используемыми в микропроцессорных системах. Внутренние циклы стирания, записи и верификации выполняются автономно от шинных циклов внешнего интерфейса, что является существенным преимуществом перед микросхемами EPROM и EEPROM. В режиме чтения они полностью совместимы с EPROM, совпадая с ними и по расположению основных выводов.
Обозначение микросхем для изделий лидеров в области разработки и производства флэш-памяти — фирм Intel и AMD — несколько отличаются. Остальные производители для своих изделий, по свойствам аналогичных, в основном придерживаются системы обозначений лидеров.
Обозначение микросхем флэш-памяти Intel начинается с признака 28F, за которым следует трехзначный код объема (табл. 7.24), а за ними — два символа технологии и архитектуры:
♦ B5, ВС, BX, BR — Boot Block с питанием 5 В;
♦ C3 — Boot Block с питанием 3 В;
♦ F3 — Boot Block с питанием 3 В, повышенное быстродействие;
♦ J3 и J5 — StrataFlash (SA) с питанием 3 и 5 В соответственно;
♦ S3 и S5 — Flash File (SA) с питанием 3 и 5 В соответственно.
Таблица 7.24. Популярные микросхемы флэш-памяти
| Обозначение | Организация¹ |
| 256 | 32 К×8 BE |
| 512 | 64 К×8 BE |
| 010 | 128 К×8 BE |
| 020 | 256 К×8 BE |
| 001 | 128 К×8 BB |
| 002 | 256 К×8 BB |
| 004 | 512 К×8 BB, SA |
| 008 | 1 М×8 BB, SA |
| 016 | 2 М×8 BB, SA |
| 200 | 256 К×8/128 К×16 BB |
| 400 | 512 К×8/256 К×16 BB |
| 800 | 1024 К×8/512 К×16 BB |
| 160 | 2 М×8/1 M×16 SA, BB |
| 320 | 4 M×8/2 M×16 SA |
| 640 | 8 M×8/4 M×16 SA |
¹ BE — Bulk Erase (стираемые целиком), BB — Boot Block (несимметричные блоки), SA — Symmetric Architecture (симметричные блоки). Через косую черту указана организация для микросхем с переключаемой разрядностью данных.
Для флэш-памяти AMD первая часть обозначения определяет тип и характеристики микросхем:
♦ Am29BDS — 1,8 В, считывание одновременно с записью, пакетный режим чтения;
♦ Am29DS — 1,8 В, считывание одновременно с записью;
♦ Am29SL — 1,8 В;
♦ Am29LV — 3 B;
♦ Am29DL — 3 В, считывание одновременно с записью;
♦ Am29BL — 3 В, пакетный режим чтения;
♦ Am29PL — 3 В, страничный режим чтения;
♦ Am30LV — 3 В, UltraNAND;
♦ Am29F — 5 В.
Далее следует трехзначный код объема, за ним символ технологии изготовления (В, С или D), за которым следует символ архитектуры:
♦ T — boot sector, верхний;
♦ В — boot sector, нижний;
♦ H — симметричная, защищен со старшим адресом;
♦ L — симметричная, защищен с младшим адресом;
♦ U (нет символа) — симметричная;
♦ J40 — число 100%-годных блоков (только для UltraNAND).
Оставшаяся часть определяет параметры питания, быстродействие, тип корпуса, температурный диапазон и некоторые особенности.
Флэш-память с интерфейсом PCMCIA (PC Card) оптимизирована для построения внешней памяти миниатюрных PC. Модуль флэш-памяти в формате PC Card имеет интерфейс дисков IDE (ATA) как на уровне электрических сигналов, так и по системе команд. Кроме собственно микросхем накопителя этот модуль обычно содержит управляющую микросхему программируемой логики. Флэш-память в стандарте PC Card логически является устройством внешней памяти. Ее не следует путать с похожей по виду памятью в формате Credit Card, которая является оперативной и вставляется в специальный (не PCMCIA) слот компьютера. Внешнюю память, в отличие от оперативной, в принципе можно вставлять и вынимать без перезагрузки ОС.
