Лекции.Орг


Поиск:




Категории:

Астрономия
Биология
География
Другие языки
Интернет
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Механика
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Транспорт
Физика
Философия
Финансы
Химия
Экология
Экономика
Электроника

 

 

 

 


Корпуса, интерфейс и обозначение микросхем флэш-памяти




 

Микросхемы флэш-памяти упаковывают в корпуса со стандартизованным назначением выводов. Первые микросхемы выпускались в корпусах DIP, что обеспечивало легкость замены микросхем (E)EPROM на флэш-память. Далее в целях миниатюризации перешли к корпусам PLCC, TSOP и TSOP-II. Применение корпусов FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array) — матрицы 6×8 шариковых выводов с шагом 0,8 мм — позволяет уменьшить размер корпуса до минимума, требуемого для упаковки кристалла. Для микросхем, используемых в картах SmartMedia, применяют и оригинальную упаковку KGD (Known Good Die).

На рис. 7.20-7.22 приведено расположение выводов распространенных микросхем флэш-памяти (основной вариант цоколевки). Многие микросхемы имеют два варианта цоколевки для корпусов поверхностного монтажа — основной и зеркальный (реверсный). Это позволяет существенно упростить разводку печатных проводников (серпантином) при объединении большого количества микросхем в массивы флэш-памяти.

 

Рис. 7.20. Расположение выводов микросхем флэш-памяти с 8-битной организацией в корпусах DIP и PLCC: а — DIP-32, б — PLCC-32

 

Рис. 7.21. Расположение выводов микросхем флэш-памяти с 8-битной организацией в корпусах TSOP: а — TSOP-32, б — TSOP-40

 

Рис. 7.22. Расположение выводов микросхем флэш-памяти с 8/16-битной организацией в корпусах TSOP-44: а — TSOP-44, б — TSOP-48, в — TSOP-56

Назначение сигналов микросхем флэш-памяти приведено в табл. 7.23; микросхемы разных изготовителей и моделей могут иметь не все из приведенных управляющих сигналов.

 

Таблица 7.23. Назначение сигналов микросхем флэш-памяти

 

 Сигнал Назначение
СЕ# Chip Enable — разрешение доступа. Низкий уровень разрешает обращение к микросхеме, высокий уровень переводит микросхему в режим пониженного потребления. Доступ к микросхеме, имеющей два входа (СЕ1# и СЕ2#), возможен при низком уровне на обоих входах
ОЕ# Output Enable — разрешение выходных буферов. Низкий уровень при низком уровне сигнала СЕ# разрешает чтение данных из микросхемы. Подача высокого (12В) напряжения во время подачи команды стирания или программирования позволяет модифицировать и Boot-блок (этот метод используется редко, поскольку требует не-ТТЛ сигнала)
WE# Write Enable — разрешение записи. Низкий уровень при низком уровне сигнала СЕ# разрешает запись и переводит выходные буферы в высокоимпедансное состояние независимо от сигнала ОЕ#. Временные диаграммы шинного цикла записи аналогичны обычной статической памяти, что позволяет подключать флэш-память непосредственно к системной шине процессора. Допустимы оба способа управления — как с помощью сигнала WE# на фоне низкого уровня СЕ#, так и наоборот. Минимальная длительность импульса записи совпадает со временем доступа
DQx Data Input/Output — двунаправленные линии шины данных. Время доступа при чтении отсчитывается от установки действительного адреса или сигнала СЕ# (в зависимости от того, что происходит позднее). Фиксация данных при записи происходит по положительному перепаду WE# или СЕ# в зависимости оттого, что происходит раньше
BYTE# Управляющий сигнал для выбора режима обращения к микросхемам с 8/16-битной организацией. Они имеют два 8-битных банка, и их ячейки памяти адресуются 16-битными словами. Низкий уровень сигнала BYTE# задает восьмибитный режим обмена по линиям DQ[0:7], при этом линия DQ15/A-1 становится самой младшей линией адреса, переключающей банки, а линии DQ[8:14] переходят в высокоимпедансное состояние
Ах Address — входные линии шины адреса. Линия А9 допускает подачу высокого (12В) напряжения (как и EPROM) для чтения кода производителя (А0=0) и устройства (А0=1), при этом на остальные адресные линии подается логический «0»
RP# (PWD#) Reset/Power Down, раньше обозначался PWD# (PowerDown). Низкий уровень сбрасывает регистр команд и переводит микросхемы в режим «глубокого сна» (Deep Powerdown) с минимальным (доли микроампера) потреблением питания. Перевод сигнала в высокий логический уровень «пробуждает» микросхему (примерно за 0,3–0,8 мкс), после чего она переходит в режим чтения данных. Подача высокого (12В) напряжения разрешает программирование даже защищенного Boot-блока
WP# Write Protect — защита записи. При низком уровне WP# модификация Boot-блока или других блоков с установленным битом защиты возможна только при наличии высокого (12В) напряжения на входе RP#. При высоком уровне защита блоков игнорируется
RY/BY# Ready/Busy# — сигнал готовности (высокий уровень) микросхемы к очередной операции программирования или стирания. Низкий уровень указывает на занятость управляющего автомата (WSM) выполнением операции стирания или программирования. Выход обычно не управляется сигналами ОЕ# и СЕ#. В микросхемах 28F016SA и выше выход имеет тип «открытый коллектор», запираемый по команде, и программируемое назначение
3/5# Сигнал, переключающий режим работы микросхемы в зависимости от питающего напряжения, введен для оптимизации быстродействия или потребления

Интерфейс микросхем флэш-памяти хорошо сочетается со стандартными сигналами, используемыми в микропроцессорных системах. Внутренние циклы стирания, записи и верификации выполняются автономно от шинных циклов внешнего интерфейса, что является существенным преимуществом перед микросхемами EPROM и EEPROM. В режиме чтения они полностью совместимы с EPROM, совпадая с ними и по расположению основных выводов.

Обозначение микросхем для изделий лидеров в области разработки и производства флэш-памяти — фирм Intel и AMD — несколько отличаются. Остальные производители для своих изделий, по свойствам аналогичных, в основном придерживаются системы обозначений лидеров.

Обозначение микросхем флэш-памяти Intel начинается с признака 28F, за которым следует трехзначный код объема (табл. 7.24), а за ними — два символа технологии и архитектуры:

♦ B5, ВС, BX, BR — Boot Block с питанием 5 В;

♦ C3 — Boot Block с питанием 3 В;

♦ F3 — Boot Block с питанием 3 В, повышенное быстродействие;

♦ J3 и J5 — StrataFlash (SA) с питанием 3 и 5 В соответственно;

♦ S3 и S5 — Flash File (SA) с питанием 3 и 5 В соответственно.

 

Таблица 7.24. Популярные микросхемы флэш-памяти

 

 Обозначение Организация¹
256 32 К×8 BE
512 64 К×8 BE
010 128 К×8 BE
020 256 К×8 BE
001 128 К×8 BB
002 256 К×8 BB
004 512 К×8 BB, SA
008 1 М×8 BB, SA
016 2 М×8 BB, SA
200 256 К×8/128 К×16 BB
400 512 К×8/256 К×16 BB
800 1024 К×8/512 К×16 BB
160 2 М×8/1 M×16 SA, BB
320 4 M×8/2 M×16 SA
640 8 M×8/4 M×16 SA

¹ BE — Bulk Erase (стираемые целиком), BB — Boot Block (несимметричные блоки), SA — Symmetric Architecture (симметричные блоки). Через косую черту указана организация для микросхем с переключаемой разрядностью данных.

 

Для флэш-памяти AMD первая часть обозначения определяет тип и характеристики микросхем:

♦ Am29BDS — 1,8 В, считывание одновременно с записью, пакетный режим чтения;

♦ Am29DS — 1,8 В, считывание одновременно с записью;

♦ Am29SL — 1,8 В;

♦ Am29LV — 3 B;

♦ Am29DL — 3 В, считывание одновременно с записью;

♦ Am29BL — 3 В, пакетный режим чтения;

♦ Am29PL — 3 В, страничный режим чтения;

♦ Am30LV — 3 В, UltraNAND;

♦ Am29F — 5 В.

Далее следует трехзначный код объема, за ним символ технологии изготовления (В, С или D), за которым следует символ архитектуры:

♦ T — boot sector, верхний;

♦ В — boot sector, нижний;

♦ H — симметричная, защищен со старшим адресом;

♦ L — симметричная, защищен с младшим адресом;

♦ U (нет символа) — симметричная;

♦ J40 — число 100%-годных блоков (только для UltraNAND).

Оставшаяся часть определяет параметры питания, быстродействие, тип корпуса, температурный диапазон и некоторые особенности.

Флэш-память с интерфейсом PCMCIA (PC Card) оптимизирована для построения внешней памяти миниатюрных PC. Модуль флэш-памяти в формате PC Card имеет интерфейс дисков IDE (ATA) как на уровне электрических сигналов, так и по системе команд. Кроме собственно микросхем накопителя этот модуль обычно содержит управляющую микросхему программируемой логики. Флэш-память в стандарте PC Card логически является устройством внешней памяти. Ее не следует путать с похожей по виду памятью в формате Credit Card, которая является оперативной и вставляется в специальный (не PCMCIA) слот компьютера. Внешнюю память, в отличие от оперативной, в принципе можно вставлять и вынимать без перезагрузки ОС.

 





Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2018-11-11; Мы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 334 | Нарушение авторских прав


Поиск на сайте:

Лучшие изречения:

Не будет большим злом, если студент впадет в заблуждение; если же ошибаются великие умы, мир дорого оплачивает их ошибки. © Никола Тесла
==> читать все изречения...

2541 - | 2236 -


© 2015-2024 lektsii.org - Контакты - Последнее добавление

Ген: 0.011 с.