Розрахунок каскаду однотактного транзисторного підсилювача потужності.

Послідовність розрахунку наводиться для транзистора, включеного за схемою з спільним

емітером (СЕ). На рисунку

подана принципова схема каскаду

однотактного підсилювача потужності.

Вихідні дані:

1) потужність на виході каскаду Р _вих;

2) опір навантаження R _н;

3) нижня гранична частота f _н;

4) коефіцієнт частотних викривлень каскаду на нижніх частотах М _н;

5) напруга джерела живлення U _жив.

Зауваження. Приймаючи Т _min= +15°С і Т _max = +25°С, впливом температури на режим роботи транзистора нехтуємо.

Визначити:

1) тип транзистора;

2) режим роботи транзистора;

3) опір в колі емітера R _е;

4) ємність конденсатора С _е;

5) опори дільника R ₁i R ₂;

6) коефіцієнт підсилення каскаду за потужністю К _р;

7) коефіцієнт трансформації трансформатора К;

8) опори первинної і вторинної обмоток трансформатора r _Т1 i r _Т2;

9) індуктивність первинної обмотки трансформатора L ₁,

10) площу поверхні охолоджуючого радіатору, якщо він необхідний, S _ох.

Порядок розрахунку.

1. Для вибору типу транзистора необхідно потужність Р ₀,яка буде виділятись на транзисторі: Р ₀ = Р _≈ / η _к,де η _к – коефіцієнт використання транзистора (η _к = 0,035÷0,45; чим більша напруга живлення U _жив,тим більший η _к); Р _≈ – потужність, що віддається транзистором: Р _≈ = Р _вих / η _Т). К.к.д. трансформатора η _Т приймають рівним 0,7÷0,9.

Орієнтовно визначають падіння напруги на активному опорі первинної обмотки трансформатора r _Т1і на опорі R _е:

Δ U = U _r_Т1 + U _R_е = (0,2÷03) U _жив.

Тоді найбільш можливе падіння напруги на транзисторі:

U _ке.max≈(U _жив–Δ U) / η _к.

За знайденими значеннями Р ₀і U _ке.maxпідбирають транзистор.

Зауваження. Для обраного типу транзистора виписати з довідника:

а) допустимий струм колектора I _к.доп;

б) допустиму напругу на колекторі U _ке._доп;

в) найбільшу потужність, що розсіюється на транзисторі Р _доп;

г) найменший коефіцієнт підсилення за струмом β _min;

д) початковий струм колектора I _к.п;

е) тепловий опір r _тт;

ж) найбільшу допустиму температуру колекторного переходу T _т._m.

2. На вихідних статичних характеристиках (для СЕ) знаходять положення точки спокою (робочої) т. 0. Для цього визначають напругу на колекторі при U _вх = 0 і струм спокою колектора:

U _ке0 = U _жив – Δ U; І _ке0 = Р ₀ / U _ке0.

Через т. 0 (U _ке0; І _ке0) і т. 4 (U _ке = U _ке.max; І _к= 0) проводять навантажувальну пряму. Для визначення робочої ділянки навантажувальної прямої задаються величиною залишкової напруги U _ост (часто приймають U _ост= 1 В) і найменшим струмом колектора І _к._min ≥ I _к.п(I _к.п– початковий струм колектора, задається з довідника). За величиною U _ост визначають I _к._max (т. 2); необхідно, щоб I _к._max < I _к.доп. Без суттєвої помилки можна прийняти І _к._min ≈ 0. Отже, робоча ділянка знаходиться між т. 2 і т. 3. Найбільша можлива амплітуда напруги вихідного сигналу U _вих._m = U _кe0– U _ост.

Найбільша амплітуда струму І _к.max визначається т. 0 і т. 3 (або т. 0 і т. 2). Після цього перевіряють, чи забезпечує вибраний режим задану потужність Р _вих.

У відповідності з побудованою навантажувальною лінією знаходять Р _≈ ' = U _к._m· I _к.max/2. При правильно вибраному режимі Р _≈ ' ≥ Р _≈ = Р _вих / η _Т.Якщо ця умова не виконується, збільшують нахил навантажувальної прямої (збільшують значення І _к0).

Необхідно брати до уваги, що навантажувальна пряма не повинна виходити за область, що обмежується гіперболою допустимих потужностей: І _н = Р _к.доп / U _ке, (Р _к.доп – береться з довідника).

Потім розраховують найбільше і найменше значення вхідного струму:

і фіксують їх величину на вхідній статичній характеристиці схеми СЕ.

По т. 1 і т. 2 вхідної характеристики знаходять найбільшу і найменшу напруги U _бе._min і U _бе._max і найбільшу амплітуду напруги вхідного сигналу U _вх._m = (U _бе._max – U _бе._min) / 2.

Далі визначають потужність вхідного сигналу – P _вх=(U _вх._m· І _б._m)/ 2 і вхідний опір транзистора змінному струму R _вх = (2 U _вх._m) / (2 І _б._m).

3. Опір кола емітера R _е визначається за падінням напруги на цьому опорі. Прийнявши U _R_е= (0,3÷0,5)·Δ U,отримаємо R _е = U _R_е / І _к0.

4. Ємність конденсатора, який шунтує R _е, визначається з виразу:

С _е ≥ 1/(2 π · f _н R _е)(при С _е > 100 мкФ шунтуючий конденсатор не ставлять).

5. Опір дільника змінному струму R _1–2 = (R ₁· R ₂)/(R ₁ + R ₂)повинен задовольняти умові R _1–2 ≥ (8÷12)· R _вх^≈, тоді

6. Коефіцкнт підсилення каскаду за потужністю К _Р = Р _вих / Р _вх.

7. Для розрахунку коефіцієнта трансформації трансформатора за нахилом навантажувальної прямої визначають величину опору колекторного навантаження змінному струму R _к^≈≈ U _ке_._max / I.

Тоді коефіцієнт трансформації трансформатора буде дорівнювати

8. Опори обмоток вихідного трансформатора:

r _T1 = 0,5 R _к^≈·(1 – η _Т); r _T₂ = 0,5 R _н·(1 – η _Т) / η _Т.

9. Індуктивність первинної обмотки:

10. При необхідності визначають площу поверхні охолоджуючого радіатора – , де Т _т._m – найбільша допустима температура колекторного переходу (надається в довіднику); Т _серед._m – найбільша можлива температура оточуючого середовища.

Приклад. Розрахувати каскад транзисторного підсилювача потужності для схеми з спільним емітером (див. наведену схему), якщо відомі:

Р _вих = 1 Вт; R _н= 5 Ом; f _н = 1 кГц;

М _н = 1,3; U _жив = 10 В.

Розрахунок.

1. Р ^≈ = Р _вих / η _Т = 1/0,7 = 1,43 Вт;

Р ₀ = P ^≈/ η _к = 1,43/0,4 = 3,56 Вт.

Падіння напруги на r _Т1 + R _е приймаємо рівним

Δ U = 0,25· U _жив = 0,25·10 = 2,5 В, тоді

U _к_e_.м_ax ≈ (U _жив – Δ U) / η _к = (10 – 2,5) / 0,4 = 18,8 В.

Отриманим значенням Р ₀і U _к_e_.м_ax відповідає транзистор ГТ403А, у якого I _к _доп = 1,25 А, U _{ке доп} = 30 В, P _{0 доп} = 4 Вт, β _min = 20, I _к.п ≤ 0,05 мА, r _тт = 15°С / Вт, Т _т._m = 85°С.

2. Визначаємо положення точки спокою (точка 0 на вихідних статичних характеристиках для схеми СЕ[20]):

U _к_e0 = U _жив – Δ U =10 – 2,5 = 7,5 В;

I _к0 = P ₀/ U _к_e0 = 3,56 / 7,5 = 0,48 А.

Приймаємо U _ост= 1 В. Скориставшись характеристиками, які подані в довіднику, навантажувальну пряму проводимо через точки U _к_e0 = 7,5 В, I _к0 = 0,48 А (точка 0) і U _к_e_.м_ax = 18,8 В, I _к = 0 А (точка 4).

Найбільша можлива амплітуда напруги вихідного сигналу

U _вих._m = U _ке0 – U _ост= 7,5 – 1 = 6,5 В.

Такій амплітуді напруги вихідного сигналу будуть відповідати напруги:

U _к._max = U _ке0 + U _вих._m = 7,5 + 6,5 = 14 В;

U _к._min = U _ке0 – U _вих._m = 7,5 – 6,5 = 1 В.

Для цих напруг на навантажувальній прямій знаходимо:

I _к._max = 0,75 А; I _к._min = 0,2 А.

Тоді подвоєна амплітуда струму вихідного сигналу

2 I _к_m= I _к._max – I _к._min = 0,75 – 0,2 = 0,55 А.

Перевіряємо правильність вибору режиму:

Отже, необхідно вибрати нову точку спокою і, можливо, змінити нахил навантажувальної прямої. Оскільки I _к._min великий, то переміщуючи точку спокою по побудованій навантажувальній прямій вправо, будемо збільшувати U _вих._m, при цьому збільшується і Р _≈ '. Для нового положення точки спокою (робочої) приймаємо U _ке0 = 10 В, I _к0= 0,36 А. Тоді

U _вих._m = U _ке0 – U _ост= 10 – 1 = 9 В;

U _к._max = U _ке0 + U _вих._m = 10 + 9 = 19 В;

U _к._min = U _ке0 – U _вих._m = 10 – 9 = 1 В;

I _к._max = 0,75 А; I _к._min ≈ 0 А;

2 I _к_m= I _к._max – I _к._min = 0,75 – 0 = 0,75 А.

Перевіряємо новий режим:

, що цілком достатньо.

Визначаємо найбільше і найменше значення вхідного струму:

I _б._max = I _к._max/ β _min = 0,75 / 20 ≈ 0,04 А; I _б._min = I _к._min / β _min = 0 / 20 = 0 А.

По вхідній статичній характеристиці для схеми СЕ знаходимо

U _бе._max = 0,72 В; U _бе._min = 0,6 В.

Знаходимо подвоєні амплітудні значення вхідного сигналу:

2 I _б_m = I _б._max – I _б._min = 0,04 А;

2 U _б_m = U _бе_._max – U _бе._min = 0,72 – 0,6 = 0,12 В;

Р _вх= (2 U _б_m·2 I _б_m) /8 = 0,12·0,04 / 8 = 0,0006 Вт = 0,6 мВт;

R _вх = (2 U _б_m) /(2 I _б_m) = 0,12 / 0,04 = 3,0 Ом.

3. Прийнявши U _Re = 0,4· Δ U = 0,4·2,5 = 1 В, знайдемо

R _e = U _Re/ I _к0 = 1/0,48 = 2,1 Ом.

4. Визначаємо ємність конденсатора:

С _е ≥ 1/(2 π · f _н R _е) = 1/(6,28·1000·2,1) = 0,000076 Ф = 76 мкФ.

5. Знаходимо значення опорів дільника. Прийнявши R _1–2 = 10· R _вх^≈ = 10·3,0 = 30 Ом, отримаємо:

Приймаємо найближчі стандартні значення: R ₁= 300 Ом, R ₂ = 35 Ом.

6. Коефіцієнт підсилення каскаду за потужністю К _Р= P _вих / Р _вх = 1/0,0006 = 1670.

7. Для розрахунку параметрів трансформатора визначаємо величину опору колекторного навантаження R _к^≈ = U _к._max / I _к._max = 19 / 0,75 = 25,4 Ом, тоді

8. r _Т1 = 0,5· R _к^≈·(1 – η _T) = 0,5·25,4·(1 – 0,7) = 3,82 Ом;

r _Т2 = 0,5· R _н · (1 – η _T) / η _T = 0,5·5·(1 – 0,7) / 0,7 = 1,07 Ом.

Приймаємо L ₁= 0,004 мГн.

10. Оскільки P ₀> 2Вт, то необхідний радіатор охолодження буде площею

Питання для самоперевірки до розділу «Електроніка»

1. Які проблеми вивчає електроніка?

2. Чим визначається електропровідність провідників, напівпровідників і діелектриків?

3. Що визначає квант енергії за Планком?

4. Що означає поняття «енергетичний рівень електрона»?

5. Що визначає рівень Фермі?

6. З чим пов’язаний перехід електрона з однієї орбіти на іншу за Бором?

7. Що означають поняття «енергетична зона», «валентна зона», «заборонена зона», «зона провідності»?

8. Що означає поняття «ковалентний зв’язок»?

9. Що в аспекті зонної теорії означає поняття «дірка»?

10. Як відбувається «генерація зарядів» і їх «рекомбінація»?

11. Що є носіями електричного струму у напівпровідниках?

12. Що називають електронною і дірковою електропровідністю?

13. Що називаютьвласною електропровідністю напівпровідника?

14. Що називаютьдомішковою електропровідністю напівпровідника?

15. Які домішки називаються донорними, а які акцепторними?

16. Що називають основними і неосновними носіями заряду? Які носії є основними, а які неосновними для різних типів напівпровідників?

17. В чому полягає ефект Пула?

18. В чому полягає ефект Зенера?

19. В чому полягає ефект Штарка?

20. В чому полягає ефект Френкеля?

21. В чому полягає ефект Ганна?

22. В чому полягає ефект поля?

23. В чому полягає тунельний ефект?

24. Які явища відбуваються при утворенні електронно-діркового переходу?

25. Чим зумовлений дифузійний і дрейфовий струми?

26. Поясніть поняття «потенціальний бар’єр».

27. Що відбувається в області електронно-діркового переходу при зворотному включенні?

28. Чим зумовлений пробій електронно-діркового переходу при зворотному включенні? Як розгортається пробій?

29. Що відбувається в області електронно-діркового переходу при прямому включенні?

30. Схарактеризуйте основні властивості електронно-діркового переходу.

31. Поясніть поняття «екстракція» і «інжекція».

32. Представте і поясніть вольт-амперну характеристику електронно-діркового переходу.

33. Який напівпровідниковий прилад називають діодом? Чим зумовлена така назва?

34. Які типи діодів визначаються розміром p-n переходу?

35. Який вид має типова вольт-амперна характеристика діода?

36. Опишіть конструктивні особливості випрямляючих діодів.

37. Яке умовне позначення діода в електричних схемах? Який вивід на позначенні називається анодом, катодом? Які області напівпровідника відповідають аноду і катоду?

38. Наведіть основні параметри випрямляючих діодів.

39. На яких властивостях електронно-діркового переходу заснована робота напівпровідникового випрямляючого діода?

40. Для чого використовується паралельне включення кількох однотипних діодів? Яка роль додаткових резисторів при такому включенні?

41. Для чого використовується послідовне включення кількох однотипних діодів? Яка роль шунтуючих резисторів при такому включенні?

42. Поясніть поняття «шунт».

43. Опишіть роботу діоду в імпульсному режимі. Поясніть появу від’ємного «викиду» на графіку зміни струму при зміні полярності вхідної напруги з прямої на зворотну. Пов’яжіть процеси, що відбуваються при цьому, з перехідним процесом в RC -колі.

44. Для чого використовується в електронних колах стабілітрон?

45. Яка властивість електронно-діркового переходу використовується в стабілітронах? Чим забезпечується поліпшення цих властивостей?

46. Яка область вольт-амперної характеристики стабілітрона є робочою? Поясніть принцип стабілізації напруги стабілітроном.

47. Наведіть основні параметри стабілітрону.

48. Поясніть роль баластного резистора в схемах стабілізації.

49. Яке значення змінної напруги залишається незмінним в схемах стабілізації змінної напруги?

50. Де використовуються варикапи?

51. Які властивості електронно-діркового переходу використовується у варикапах?

52. Якому елементу електричних кіл відповідає варикап?

53. Як може бути змінена ємність варикапу? Зміну якого параметра, що визначає ємність, можна поставити при цьому у відповідність?

54. Наведіть основні параметри варикапу.

55. На рис. 2.11 наведені дві схеми електронної настройки частоти коливальних контурів. Які елементи цих схем утворюють коливальний контур? Як встановлюється потрібна частота? Які недоліки має схема рис. 2.11-а? Як ці недоліки усуваються в схемі рис. 2.11-б?

56. Який ефект, що може мати місце в електронно-дірковому переході, використовується в тунельних діодах?

57. Яка ділянка вольт-амперної характеристики тунельного діода відповідає від’ємному опору? Поясніть поняття «від’ємний опір».

58. Наведіть основні параметри тунельного діоду.

59. Поясніть роботу тунельного діоду в перемикаючій схемі рис. 2.13.

60. На яких особливостях електронно-діркового переходу заснована робота фотодіода?

61. Де і для чого використовуються фотодіоди?

62. На яких особливостях електронно-діркового переходу заснована робота світлодіода?

63. Транзистор іноді називають напівпровідниковим тріодом. Чим зумовлена така назва?

64. Які існують основні класи транзисторів? Яка різниця між цими класами?

65. Наведіть інші назви уніполярних транзисторів. Чим зумовлені такі назви?

66. Наведіть структуру біполярного транзистора та схарактеризуйте роль і взаємодію її елементів.

67. Чим відрізняються n-р-n –транзистори від р-n-р– транзисторів?

68. Поясніть принцип роботи транзистора. Яка роль прикладеної зовнішньої напруги між базою і емітером? Яка роль прикладеної зовнішньої напруги між базою і колектором?

69. Поясніть поняття «коефіцієнт передачі за струмом в схемі із спільною базою». Якім символом він позначається?

70. Поясніть поняття «коефіцієнт підсилення за струмом в схемі із спільним емітером». Якім символом він позначається?

71. Наведіть основне рівняння стану транзистора. Якому електротехнічному закону (правилу) воно відповідає?

72. Схарактеризуйте режими роботи біполярного транзистора.

73. Схарактеризуйте схеми включення біполярного транзистора. Які струми є вхідними і вихідними для цих схем?

74. Які відмінності має підсилення сигналу в схемі із спільним емітером і в схемі із спільним колектором?

75. На які два види поділяються вольт-амперні характеристики транзистора? Схарактеризуйте ці види.

76. Яка залежність визначає вхідну статичну характеристику для схеми включення із спільною базою? Наведіть її типовий вид.

77. Яка залежність визначає вихідну статичну характеристику для схеми включення із спільною базою? Наведіть її типовий вид.

78. Яка залежність визначає вхідну статичну характеристику для схеми включення із спільним емітером? Наведіть її типовий вид.

79. Яка залежність визначає вихідну статичну характеристику для схеми включення із спільним емітером? Наведіть її типовий вид.

80. Схарактеризуйте динамічний режим роботи транзистора.

81. Наведіть рівняння динамічного режиму для вихідного кола транзистора. Згадайте і наведіть рівняння з електротехніки, яке аналогічне зазначеному рівнянню.

82. Для чого будується динамічна характеристика.

83. Поясніть побудову вихідної і вхідної динамічної характеристики транзистора.

84. Що визначає напруга зміщення?

85. Що визначають h -параметри транзистора?

86. На які дві групи поділяються польові транзистори? Схарактеризуйте ці групи.

87. Які носії утворюють основний струм в польовому транзисторі і чим цей струм керується?

88. Назвіть і схарактеризуйте електроди (виводи) в польовому транзисторі.

89. Опишіть принцип роботи польового транзистора.

90. Наведіть схематичне зображення конструкцій польових транзисторів з ізольованими затворами із різними видами каналів та схарактеризуйте елементи конструкцій.

91. Наведіть умовні графічні позначення польових транзисторів.

92. Наведіть і схарактеризуйте схеми включення польових транзисторів.

93. Опишіть використання польового транзистора як вічка флеш-пам’яті. Які особивості мають такі транзистори?

94. Який прилад називають тиристором? Назвіть різновиди тиристорів та наведіть спільні риси цих різновидів.

95. Наведіть структуру діністора, відзначте роль її елементів та опишіть роботу діністора.

96. Наведіть вольт-амперну характеристику діністора та відзначте її особливості.

97. Наведіть основні параметри діністора.

98. Наведіть структуру триністора, відзначте роль її елементів та опишіть роботу триністора.

99. Наведіть вольт-амперну характеристику триністора та відзначте її особливості.

100. Наведіть основні параметри триністора.

101. Наведіть структуру симістора, відзначте роль її елементів та опишіть роботу триністора.

102. Наведіть вольт-амперну характеристику симістора та відзначте її особливості.

103. Наведіть вольт-амперну характеристику симістора та відзначте її особливості.

104. Для чого використовуються випрямлячі?

105. Наведіть структурну схему випрямляча та поясніть призначення її елементів.

106. Наведіть схему найпростішого випрямляча, класифікуйте її та поясніть часову діаграму струму на навантаженні.

107. Поясніть поняття «постійна складова» та «гармоніки».

108. Поясніть роботу найпростішого згладжую чого фільтру.

109. Як визначається коефіцієнт пульсацій?

110. Наведіть двопівперіодну однотактну схему випрямляча із виводом від середини вторинної обмотки трансформатора, поясніть її роботу та часову діаграму струму на навантаженні.

111. Наведіть мостову схему однофазного випрямляча та поясніть її роботу. Які переваги має мостова схема у порівнянні із схемою випрямляча із виводом від середини вторинної обмотки трансформатора

112. Наведіть схему трифазного однотактного однопівперіодного випрямляча та поясніть її роботу. Поясніть утворення пульсацій струму у навантаженні на часовій діаграмі напруг та струмів.

113. Наведіть схему трифазного двотактного двопівперіодного випрямляча (схему Ларіонова) та поясніть її роботу. Поясніть утворення пульсацій струму у навантаженні на часовій діаграмі напруг та струмів.

114. Наведіть схему випрямляча із подвоєнням напруги та поясніть її роботу.

115. Наведіть схему випрямляча із потроєнням напруги та поясніть її роботу.

116. Які недоліки мають схеми із множенням напруги?

117. Призначення підсилювача. Який принцип закладений в роботі схем, що підсилюють електричний сигнал?

118. Наведіть узагальнену структурну схему підсилювача та поясніть призначення її елементів.

119. Наведіть еквівалентну електричну схему підсилювача та поясніть на ній роботу підсилюючого елемента.

120. Наведіть класифікації підсилювачів.

121. Наведіть основні характеристики підсилювачів та поясніть їх сутність.

122. Як визначається загальний коефіцієнт підсилення багатокаскадного підсилювача у відносних та логарифмічних (у децибелах) одиницях?

123. Що визначає така одиниця як децибел?

124. Що взначає вхідний опір підсилювача?

125. Що взначає вихідний опір підсилювача?

126. Які завади відносяться до власних завад? Яке їх походження?

127. Яка природа частотних, фазних та нелінійних викривлень?

128. Що називають зворотним зв’язком у підсилювачах? Які є види зворотного зв’язку? Наведіть і схарактеризуйте шляхи утворення зворотних зв’язків.

129. Схарактеризуйте види зворотного зв’язку.

130. Наведіть і поясніть роботу схем утворення сигналу зворотного зв’яку за струмом, за напругою, мішану схему.

131. Які каскади називають резистивними; трансформаторними?

132. Якщо як підсилюючий елемент використовується транзистор, включений за схемою із спільним емітером, то які особливості вихідного сигналу мають місце по відношенню до вхідного?

133. З яких міркувань вибирається «точка спокою» підсилюючого елемента?

134. Яка роль розділових конденсаторів у вхідних і вихідних колах підсилюючих каскадів?

135. Наведіть способи утворення і стабілізації необхідної «точки спокою».

136. Що означає гальванічний зв’язок між каскадами? Наведіть приклад схеми із таким зв’язком.

137. Як впливає розділовий конденсатор у міжкаскадному зв’язку на напругу вихідного сигналу каскаду? Що ще може здійснювати аналогічний вплив?

138. Яка залежність визначається прохідною динамічною характеристикою?

139. Схарактеризуйте режим підсилення А.

140. Схарактеризуйте режим підсилення АВ.

141. Схарактеризуйте режим підсилення В.

142. Схарактеризуйте режим підсилення ВС.

143. Схарактеризуйте режим підсилення С.

144. Схарактеризуйте режим підсилення D.

145. Наведіть схему і опишіть роботу однотактного кінцевого каскаду.

146. Наведіть схему і опишіть роботу двотактного кінцевого каскаду із вхідним трансформатором. Яка роль вхідного трансформатора? Які ще схеми дозволяють відіграти цю роль?

147. Наведіть схему і опишіть роботу двотактного безтрансформаторного кінцевого каскаду.

148. Що називають складеними транзисторами?

149. Поясніть роботу складеного транзистора на прикладі схем: Дарлінгтона; із додатковою симетрією; каскодної схеми.

150. Що називають операційними підсилювачами?

151. Який підсилювач є основою операційного підсилювача та яким вимогам має відповідати такий підсилювач?

152. Наведіть умовне графічне позначення операційного підсилювача та схарактеризуйте його виводи (вхідні, вихідні та ін.).

153. Який операційний блок називають масштабним, що він здійснює і як це реалізується?

154. Опишіть реалізацію операції додавання за допомогою операційного підсилювача.

155. Опишіть реалізацію операції віднімання за допомогою операційного підсилювача.

156. Опишіть реалізацію операції інтегрування за допомогою операційного підсилювача.

157. Опишіть реалізацію операції диференціювання за допомогою операційного підсилювача.

158. Опишіть реалізацію операції логарифмування за допомогою операційного підсилювача.

159. Опишіть реалізацію операції антилогарифмування за допомогою операційного підсилювача.

160. Наведіть схему і опишіть роботу резонансного підсилювача. Для чого використовується такий вид підсилювача? Що означає термін «смуга пропуску»?

161. Наведіть визначення електронного генератора електричних сигналів.

162. Наведіть основні характеристики електронних генераторів.

163. Наведіть узагальнену структурну схему електронного генератора і поясніть призначення її елементів.

164. За яких умов виникає генерація коливань в електронному генераторі? Як ці умови називаються?

165. Що називають автогенераторами типу LC; типу RC?

166. Поясніть принцип роботи автогенератора типу LC на прикладі найпростішої схеми із трансформаторним зв’язком.

167. Яку залежність називають коливальною характеристикою автогенератора?

168. Поясніть роботу триточкової схеми автогенератора типу LC з автотрансформаторним зв’язком.

169. Поясніть роботу триточкової схеми автогенератора типу LC з ємнісним зв’язком.

170. Поясніть роботу схеми генератора синусоїдальних коливань на прикладі схеми генератора Колпіца.

171. Поясніть роботу схеми генератора синусоїдальних коливань на тунельному діоді.

172. Поясніть принцип кварцової стабілізації частоти коливань автогенератора.

173. Наведіть узагальнену структурну схему генератора синусоїдальних коливань типу RC та поясніть призначення її елементів.

174. Яка роль фазообертаючого кола у генераторі синусоїдальних коливань типу RC.

175. Наведіть схемуRC-генератора синусоїдальних коливань на операційному підсилювачі із мостом Віна-Робінсона та поясніть її роботу.

176. Що називають релаксаційними генераторами?

177. Наведіть параметри прямокутного імпульсу.

178. Наведіть схемумультивібратора та поясніть її роботу.

179. Наведіть схемублокінг-генератора та поясніть її роботу.

180. Наведіть параметри пилкоподібного імпульсу. На чому основане отримання пилкоподібного імпульсу?

181. Особливості використання операційних підсилювачів для генерації сигналів.