Ефективний коефіцієнт розподілу

 

Коефіцієнтом розподілу називають відношення концентрації домішки у твердій фазі до її концентрації у рідкій фазі. Це важливий параметр металургійного процесу, який визначає характер розподілу домішки вздовж вирощуваного кристала. Розрізняють рівноважний k₀ і ефективний k коефіцієнти розподілу. Рівноважний коефіцієнт розподілу домішки k₀ характеризує відношення концентрацій домішки в твердій і рідкій фазах за умов термодинамічної рівноваги

k ₀ = , (1.1)

він тісно пов'язаний з бінарної діаграмою стану "напівпровідник - домішка". За малих концентрацій домішки (частки атомних %) і температурах, близьких до температури топлення основного компонента, можна представити криві ліквідусу і солідусу у вигляді двох відрізків, дотичних до ліній ліквідусу і солідусу в точці топлення основного компонента А (рис. 1.2).

 

k 0 < 1	k 0 > 1
а	б

а - домішка, яка знижує температуру топлення;

б - домішка, яка підвищує температуру топлення

Рисунок 1.2 - Фазові діаграми поблизу точки топлення основного компонента А

 

Домішки із значенням коефіцієнта розподілу менше одиниці знижують температуру кристалізації основної речовини. Якщо коефіцієнт розподілу більше одиниці, то введення домішки збільшує температуру кристалізації.

У реальності термодинамічно рівноважні умови не можуть бути реалізовані. Це пов'язано перш за все з тим, що процес кристалізації має кінцеву швидкість, коефіцієнти дифузії домішок у твердій фазі незначні, а дифузійні процеси у твердій фазі уповільнені, внаслідок чого стан термодинамічної рівноваги на межі "тверде - рідина" не встигає встановлюватися. При малих швидкостях направленої кристалізації рівноважний коефіцієнт розподілу може описувати умови рівноваги на межі розподілу рідкої і твердої фаз (рис. 1.3, а, в). У цьому разі концентрація домішки у всьому об'ємі стопу буде однаковою, а її концентрація в закристалізованій частині С _т = k ₀ С _р.

Якщо швидкість кристалізації має кінцеве значення, то перед фронтом кристалізації з ростом кристала утворюється шар стопу з ефективною товщиною δ, збагачений домішкою, якщо k ₀ <1, і збіднений домішкою, якщо k ₀>1 (рис.1.3, б,г). За цих умов вміст домішки в закристалізованій частині зливка С _т визначатиметься концентрацією домішки в стопі біля фронту кристалізації С _т = k ₀ С _р0. Значення С _р0, як правило, невідоме, тому в нерівноважних умовах зв'язок між концентраціями домішки у твердій С _т і рідкій С_р фазах здійснюють за допомогою ефективного коефіцієнту розподілу k. Під С_р тут слід розуміти концентрацію домішки в об'ємі стопу.

Зв'язок між рівноважним k ₀ і ефективним k коефіцієнтами розподілу визначають за допомогою рівнянням Бартона - Прима – Сліхтера:

k = , (1.2)

де f – швидкість кристалізації;

δ – товщина дифузійного шару;

D – коефіцієнт дифузії домішки у рідкій фазі.

Товщину дифузійного шару δ розраховують за формулою Сліхтера:

δ = 1,6 D^1/3ν^1/6ω^–1/2, (1.3)

де D - коефіцієнт дифузії домішки в рідкій фазі, см² / с;

ν - кінематична в'язкість стопу, см² / с;

ω - швидкість обертання кристала щодо тигля, рад / с.

Значення δ може змінюватися від 1 до 10^{-3 см.}

Рівноважний коефіцієнт розподілу розраховують з умови рівності хімічного потенціалу компоненту В у рівноважних твердій і рідкій фазах за виразом

ln k _В = , (1.4)

k 0 < 1
а	б
k 0 > 1
в	г

а, в - у рівноважних умовах (швидкість кристалізації нескінченно мала); б, г - у нерівноважних умовах (швидкість зростання кристалізації має кінцеве значення)

 

Рисунок 1.3 - Розподіл домішок на межі розділу твердої і рідкої фаз

 

де Δ H _{т о плВ} - ентальпія топлення чистого компоненту В;

Т - температура ліквідусу твердого розчину "напівпровідник - домішка", К;

Т _топлВ - температура топлення чистого компоненту В, К;

і - коефіцієнти активності компонента В у рівноважних твердій і рідкій фазах;

R - універсальна газова стала, R = 8,31 Дж / (моль∙К).

Оскільки роботу проводять з малими концентраціями домішки у твердій фазі (Т» Т_А), то рівняння (1.4) приймає наступний вигляд:

ln k _В = . (1.5)

Розрахункові значення коефіцієнтів активності залежать від обраної моделі розчину. Якщо рідкий і твердий розчини ідеальні, і γ _Вⁱ = 1, то рівняння для розрахунку рівноважного коефіцієнта розподілу таке:

ln k _В = . (1.6)

Однак це наближення здебільшого не є достатньо коректним. Значно більшу точність вдається отримати при використанні наближення регулярного розчину, яке враховує міжатомну взаємодію в суміші компонентів. Відповідно до цієї моделі, коефіцієнт активності g компонентів у бінарній системі А - В визначається за формулою

RT lng _B = a _АВ (1 – х_B)², (1.7)

де a _АВ - параметр міжатомної взаємодії у відповідній рідкій або твердій фазі; х_В - концентрація компонента В (в атомних частках) у відповідній фазі. У моделі регулярних розчинів параметр взаємодії a _АВ беруть незалежним від температури і концентрації компонентів. У наближенні квазірегулярного розчину параметр взаємодії зазвичай розглядають як лінійну функцію температури

a _АВ = а – bТ. (1.8)

Вивчення поводження домішок у кремнії і германії показало, що до твердої фази можна застосувати наближення регулярних розчинів, а до рідкої - переважно квазірегулярних. Тому в області нескінченно малих концентрацій компонента В коефіцієнт розподілу k_В можна визначити за допомогою наступного виразу:

ln k _В = =

 

= . (1.9)

У Додатку А (табл. 1.1, 1.2) наведено деякі термодинамічні характеристики напівпровідників і легуючих елементів, параметри міжатомної взаємодії в рідкій і твердій фазах для бінарних систем на основі германію і кремнію.