E) n/2 носителей заряда.
+F) n электронов и n дырок.
G) n электронов и 2n дырок.
H) 2n электронов и n дырок.
$$$ 141
Эффект Эрли в биполярном транзисторе:
A) Изменение сопротивления эмиттера при подаче на него прямого смещения.
+B) Изменение величины базового тока.
C) Изменение сопротивления коллектора при подаче на него обратного смещения.
D) Изменение эффективной толщины базы при подаче на коллекторный переход обратного смещения.
E) Зависимость тока коллектора 
от напряжения между эмиттером и базой.
+F) Рост тока коллектора в результате уменьшения эффективной толщины базы.
G) Изменение сопротивления эмиттера при подаче на него обратного смещения.
H) Эффект модуляции толщины базы.
$$$ 142
Дырка:
+A) Квазичастица, представляющая собой вакансию в валентной зоне полупроводника.
B) Стабильная элементарная частица, античастица по отношению к протону.
C) Квазичастица с нулевым или целочисленным спином.
D) Элементарная частица с нулевым электрическим зарядом.
E) Частица в классической физике.
+F) Положительно заряженная частица с электрическим зарядом, численно равным заряду электрона.
+G) Носитель тока в полупроводнике.
H) Античастица электрона.
$$$ 143
Донорные примеси:
A) Их добавление к полупроводнику приводит к появлению положительных ионов.
+B) Отдают исходному полупроводнику свои электроны.
C) Забирают у исходного полупроводника лишние электроны.
D) Их добавление приводит к понижению концентрации носителей зарядов.
E) Отдают исходному полупроводнику свои дырки.
+F) С их помощью получают полупроводники n- типа.
G) С их помощью получают полупроводники p-типа.
+H) Позволяют получить электронный тип проводимости.
$$$ 144
Акцепторные примеси:
+A) Их валентность меньше, чем у исходного полупроводника.
+B) Позволяют получить дырочный тип проводимости.
C) Их валентность превышает валентность исходного полупроводника.
D) Отдают исходному полупроводнику свои электроны.
+E) С их помощью получают полупроводники p-типа.
F) С их помощью получают полупроводники n-типа.
G) Их добавление приводит к понижению концентрации носителей зарядов.
H) Их добавление к полупроводнику приводит к появлению положительных ионов.
$$$ 145
База транзистора:
+A) Находится между эмиттером и коллектором.
B) Имеет р-тип проводимости.
C) Имеет высокую концентрацию примеси.
D) Изготавливается из собственного полупроводника.
+E) Имеет высокое сопротивление.
+F) Ее толщина меньше длины пробега носителей заряда.
G) Ее толщина превышает длину пробега носителей заряда.
H) Отличается большой проводимостью.
$$$ 146
Эффективная толщина базы:
+A) Расстояние между границами обедненных слоев эмиттерного и коллекторного переходов.
B) Расстояние между эмиттерным и коллекторным переходами.
C) Совпадает с металлургической толщиной.
+D) Может быть изменена с помощью обратного напряжения на коллекторном переходе.
E) Ее нельзя изменить.
+F) Влияет на величину коллекторного тока.
G) Не влияет на величину коллекторного тока.
H) Является вторичным параметром транзистора.
$$$ 147
Энергетические уровни атомов акцепторной примеси в полупроводнике расположены:
A) Посередине запрещенной зоны.
B) Посередине валентной зоны.
C) Посередине зоны проводимости.
D) В валентной зоне.
E) В зоне проводимости.
+F) В запрещенной зоне.
+G) Вблизи потолка валентной зоны.
+H) В запрещенной зоне вблизи потолка валентной зоны.
$$$ 148
Диффузионный ток через p-n- переход:
+A) Создается основными носителями заряда.
B) Создается неосновными носителями заряда.
+C) Возникает из-за градиента концентрации носителей.
D) Возникает из-за градиента напряженности электрического поля.
E) Уменьшается при изменении высоты потенциального барьера.
+F) Возрастает при понижении потенциального барьера.
G) Уменьшается при понижении потенциального барьера.
H) Не зависит от высоты потенциального барьера.
$$$ 149
Дрейфовый ток:
A) Создается основными носителями заряда.
+B) Создается неосновными носителями заряда.
C) Возникает из-за градиента концентрации носителей.
+D) Возникает под действием сил электрического поля.
E) Уменьшается при изменении высоты потенциального барьера.
F) Возрастает при понижении потенциального барьера.
G) Уменьшается при понижении потенциального барьера.
+H) Не зависит от высоты потенциального барьера.
$$$ 150
При изготовлении транзистора:
+A) Базу делают тонкой.
B) Базу делают достаточно толстой.
C) Базу выполняют из собственного полупроводника.
D) Базу изготавливают из компенсированного полупроводника.
+E) Базу делают бедной основными носителями заряда.
$$$ 151
При изготовлении транзистора:
A) Коллектор делают высоколегированным.
B) Площадь коллекторного перехода делают меньше, чем площадь эмиттерного перехода.
+C) Площадь коллекторного перехода делают значительно больше, чем площадь эмиттерного перехода.
D) Коллектор изготавливают из компенсированного полупроводника.
+E) Коллектор легируют слабее, чем эмиттер.
$$$ 152
Туннельный пробой:
+A) Пробой в основе которого лежит «просачивание» электронов сквозь потенциальный барьер.
B) Пробой, возникающий вследствие «размножения» носителей заряда в сильном электрическом поле.
C) Пробой, обусловленный выделением тепла при протекании обратного тока.
D) Пробой, обусловленный нагревом полупроводника.
E) Пробой, обусловленный образованием пары дырка- электрон под действием светового потока.
+F) Электрический пробой.
G) Необратимый пробой.
+H) Обратимый пробой.
$$$ 153
Лавинный пробой:
A) Пробой, в основе которого лежит «просачивание» электронов сквозь потенциальный барьер
+B) Возникает вследствие «размножения» носителей заряда в сильном электрическом поле.
C) Обусловлен выделением тепла при протекании обратного тока.
D) Обусловлен нагреванием полупроводника.
E) Обусловлен образованием пары дырка- электрон под действием светового потока.
+F) Обратим.
G) Необратим.
+H) Электрический пробой.
$$$ 154
Тепловой пробой:
A) Пробой, в основе которого лежит «просачивание» электронов сквозь потенциальный барьер.
B) Пробой, возникающий вследствие «размножения» носителей заряда в сильном электрическом поле.
+C) Пробой, возникающий вследствие «размножения» носителей заряда из-за нагревания при прохождении через p-n-переход обратного тока.
D) Пробой, обусловленный понижением потенциального барьера p-n-перехода.
E) Пробой, обусловленный образованием пары дырка- электрон под действием светового потока.
+F) Носит необратимый характер.
G) Носит обратимый характер.
+H) Не является электрическим.
$$$ 155
Электропроводность примесного полупроводника:
+A) Уменьшается с повышением температуры.
B) Определяется видом примеси.
C) Увеличивается при повышении температуры.
+D) Зависит от концентрации примеси.
E) Уменьшается по экспоненциальному закону при повышении температуры.
F) Линейно зависит от температуры.
+G) Не изменяется при изменении температуры.
$$$ 156
Собственный полупроводник:
+A) Не имеет примесей.
B) Уровень Ферми которого лежит в зоне проводимости.
C) Содержит донорные примеси.
D) Содержит акцепторные примеси.
E) Содержит и донорные и акцепторные примеси.
+F) Не имеет дефектов.
G) Его электропроводность не зависит от температуры.
+H) Его электропроводность зависит от температуры.
$$$ 157
Зона проводимости:
A) Энергетическая зона, находящаяся между двумя разрешенными зонами.
B) Полностью заполненная нижняя зона.
+C) Первая не заполненная разрешенная энергетическая зона.
D) Такой зоны не существует.
E) Самая нижняя энергетическая зона твердого тела.
+F) Последняя разрешенная частично заполненная электронами зона.
G) Находится между валентной зоной и запрещенной.
+H) Находится над запрещенной зоной.
$$$ 158
Валентная зона:
A) Энергетическая зона, находящаяся между двумя разрешенными зонами.
B) Верхняя энергетическая зона, не заполненная или заполненная частично электронами.
+C) Последняя полностью заполненная электронами разрешенная зона.
+D) Самая нижняя разрешенная энергетическая зона твердого тела.
E) Такой зоны не существует.
+F) Образована энергетическими уровнями валентных электронов.
G) Находится между зоной проводимости и запрещенной.
H) Находится над запрещенной зоной.
$$$ 159
В полупроводнике n-типа:
+A) Носители заряда генерируются благодаря ионизации донорных примесей.
B) Носители заряда генерируются благодаря ионизации акцепторных примесей.
C) Носители заряда генерируются благодаря ионизации атомов под действием ускоренных электронов.
D) Носители заряда генерируются благодаря перебросу электронов из валентной зоны в зону проводимости.
+E) Основными носителями заряда являются электроны.
F) Основными носителями заряда являются электроны и дырки.
G) Основными носителями заряда являются дырки.
+H) Число свободных электронов превышает число дырок.
$$$ 160
В полупроводнике p-типа:
A) Носители заряда генерируются благодаря ионизации донорных примесей
+B) Носители заряда генерируются благодаря ионизации акцепторных примесей.
C) Носители заряда генерируются благодаря ионизации атомов под действием электронов, ускоренных во внешнем электрическом поле.
D) Носители заряда генерируются благодаря ионизации собственных атомов полупроводника.
+E) Число дырок превышает число свободных электронов.
F) Основными носителями заряда являются электроны и дырки.
+G) Основными носителями заряда являются дырки.
H) Число свободных электронов превышает число дырок.
$$$ 161
Подвижность носителей заряда:
A) Определяет среднюю тепловую энергию носителей заряда.
B) Определяет эффективность рекомбинационных процессов в полупроводнике.
C) Определяет среднюю энергию носителей заряда, достаточную для ионизации атомов полупроводника.
D) Определяет минимальную энергию носителей заряда, достаточную для их ионизации из полупроводника в вакуум.
+E) Средняя скорость направленного движения носителей заряда в электрическом поле единичной напряженности.
+F) Зависит от температуры.
G) Не зависит от температуры.
$$$ 162
Диффузия:
A) Направленное движение носителей заряда под действием внешнего электрического поля.
B) Направленное движение носителей заряда под действием температурного поля.
C) Движение носителей заряда под действием внешнего магнитного поля.
+D) Направленное движение частиц под действием градиента концентрации.
E) Направленное движение носителей заряда под действием градиента их кинетической энергии.
F) Возникает при наличии магнитного поля.
+G) Возникает при наличии разности концентраций частиц.
H) Возникает при наличии температурного градиента.
$$$ 163
Дрейф:
+A) Направленное движение носителей заряда под действием внешнего электрического поля.
B) Направленное движение носителей заряда под действием температурного поля.
C) Направленное движение носителей заряда под действием внешнего магнитного поля.
D) Возникает при наличии градиента концентрации.
E) Возникает при наличии градиента кинетической энергии.
+F) В нем участвуют свободные заряженные частицы.
G) В нем участвуют нейтральные частицы.
H) Его могут совершать любые классические частицы.
$$$ 164
Диффузионная длина носителей заряда:
A) Определяет ширину обедненного носителями заряда слоя у поверхности полупроводника.
B) Определяет ширину обогащенного носителями заряда слоя у поверхности полупроводника.
+C) Определяет расстояние, на которое носители заряда диффундируют при отсутствии внешнего электрического поля.
D) Длина, на которой концентрация носителей заряда уменьшается в е раз под действием внешнего электрического поля.
E) Равна удвоенной ширине обогащенного или обедненного носителями заряда слоя у поверхности полупроводника.
+F) Критерий толщины базы биполярного транзистора.
G) Определяет размер эмиттерного слоя.
H) Определяет ширину коллектора.
$$$ 165
Длина свободного пробега носителей заряда:
A) Определяет ширину обедненного носителями заряда слоя у поверхности полупроводника.
B) Определяет ширину обогащенного носителями заряда слоя у поверхности полупроводника.
C) Расстояние, на которое носители заряда диффундируют за время жизни в полупроводнике.
+D) Среднее расстояние, проходимое носителями заряда между двумя последовательными актами рассеяния.
E) Равна удвоенной ширине обогащенного или обедненного носителями заряда слоя у поверхности полупроводника.
+F) Среднее расстояние, пройденное частицей без соударения.
$$$ 166
Рекомбинация носителей заряда:
A) Направленное движение носителей заряда под действием электрического поля.
B) Направленное движение носителей заряда под действием магнитного поля.
C) Направленное движение носителей заряда под действием температурного поля.
D) Движение носителей заряда при одновременном действии электрического и магнитного полей.
+E) Возвращение электронов из зоны проводимости в валентную зону, в результате чего исчезает пара носителей заряда.
+F) Взаимодействие двух свободных заряженных частиц, приводящее к ис чезновению их как свободных частиц.
$$$ 167
Межзонная или непосредственная рекомбинация:
+A) Происходит при переходе зона проводимости – валентная зона.
B) Направленное движение носителей заряда под действием магнитного поля.
C) Происходит при переходе валентная зона – зона проводимости.
D) Движение носителей заряда под одновременным действием электрического и магнитного полей.
+E) Приводит к исчезновению пары носителей заряда – свободного электрона и дырки.
$$$ 168
Частотные свойства транзистора:
A) Улучшаются с ростом степени легирования базы.
B) Улучшаются с ростом эффективности рекомбинационных процессов в базе.
C) Ухудшаются с уменьшением степени легирования базы.
+D) Улучшаются с уменьшением степени легирования базы.
E) Ухудшаются с уменьшением толщины базы.
+F) Улучшаются при уменьшении толщины базы.
$$$ 169
Импульсная характеристика транзистора:
+A) Улучшается с ростом степени легирования базы.
B) Улучшается с ростом эффективности рекомбинационных процессов в базе.
C) Уменьшается с уменьшением степени легирования базы.
D) Улучшается с ростом толщины базы.
E) Улучшается с уменьшением коэффициента инжекции.
$$$ 169
Усилительные свойства транзистора:
+A) Ухудшаются с увеличением частоты.
B) Улучшаются с увеличением частоты.
C) Не зависят от частоты.
D) Улучшаются на частотах, больших частоты генерации.
E) Достигают максимума на частоте генерации.
+F) Исчезают на частотах, превышающих частоту генерации.
$$$ 170
Для улучшения частотной характеристики транзистора:
A) Базу создают из высоколегированных полупроводников.
+B) Базу создают из низколегированных полупроводников.
C) Увеличивают эффективность рекомбинационных процессов в базе.
D) Уменьшают подвижность носителей заряда в базе.
E) Базу создают из компенсированных полупроводников.
+F) Уменьшают толщину базы.
$$$ 171
Для улучшения частотной характеристики транзистора:
A) Базу создают из высоколегированных полупроводников.
+B) Толщину базы стараются предельно уменьшать.
C) Увеличивают эффективность рекомбинационных процессов в базе.
D) Уменьшают подвижность носителей заряда базы.
E) Базу создают из компенсированных полупроводников.
+F) Уменьшают инерционность движения дырок через базу к коллектору.
$$$ 172
В импульсном режиме малого сигнала:
+A) Транзистор работает в линейной области характеристик.
B) Транзистор работает в нелинейной области характеристик.
C) Транзистор находится в нормальном усилительном режиме.
D) Транзистор работает в режиме переключения.
+E) Транзистор находится в усилительном импульсном режиме.
$$$ 173
В импульсном режиме большого сигнала
A) Транзистор работает в линейной области характеристик.
B) Транзистор работает в нелинейной области характеристик.
C) Транзистор находится в нормальном усилительном режиме.
+D) Транзистор работает в режиме переключения.
+E) Транзистор находится в усилительном импульсном режиме.
F) Транзистор замыкает и размыкает цепь нагрузки.
$$$ 174
Импульсная характеристика транзистора:
A) Улучшается при повышении степени легирования базы.
B) Зависит от эффективности рекомбинационных процессов в баз.
C) Улучшается при уменьшении концентрации примесей в базе.
D) Улучшается, если базу создают из компенсированных полупроводников.
+E) Улучшается при уменьшении эффективности явления инжекции.
+F) Зависит от инерционности транзистора.
$$$ 175
Тиристор:
A) Имеет один p-n-переход.
B) Имеет два p-n-перехода и три устойчивых состояния.
+C) Имеет два устойчивых состояния.
+D) Может иметь три и более выпрямляющих перехода.
E) Регистрирует наличие магнитного поля в пространстве
F) Реагирует на изменение температуры.
$$$ 176
Полевой транзистор:
A) Имеет два p-n-перехода.
+B) Управляется электрическим полем.
C) Имеет два устойчивых состояния.
+D) Его усилительные свойства обусловлены потоком основных носителей заряда, протекающим через проводящий канал.
E) Регистрирует наличие магнитного поля в пространстве.
F) Может переключатся из закрытого состояния в открытое и наоборот.
$$$ 177
Полупроводниковый диод:
+A) Пассивный нелинейный элемент.
B) Используется для генерации высокочастотных колебаний.
C) Обладает способностью усиливать электрические сигналы.
D) Прибор, действие которого основано на использовании фотогальванического эффекта.
+E) Состоит из электронно-дырочного перехода, двух нейтральных слоев и омических контактов
$$$ 178
Ширина запрещенной зоны Ge:
A) 1,2 эВ.
+B) 0,7 эВ.
C) 3,4 эВ.
D) 0,25 эВ.
E) 5,2 эВ.
F) 
Дж.
+G) 
Дж.
H) 
Дж.
$$$ 179
Ширина запрещенной зоны Si:
+A) 1,2 эВ
B) 0,7 эВ
C) 0,25 эВ
D) 5,2 эВ
E) 3,4 эВ
F) Дж.
+G) 
Дж.
H) Дж.
$$$ 180
Полевые транзисторы:
A) Отличаются малым входным сопротивлением.
+B) Имеют высокое входное сопротивление.
C) Имеют невысокую термостабильность.
+D) Отличаются малым уровнем шумов.
E) Имеют низкую радиационную стойкость.
$$$ 181
Полевые транзисторы:
+A) Обладают высоким входным сопротивлением.
B) Имеют высокий уровень шумов.
C) Отличаются низкой радиационной стойкостью.
D) Обладают малым входным сопротивлением.
E) Имеют высокую входную проводимость.
+F) Отличаются высокой термостабильностью.
$$$ 182
В полевом транзисторе:
A) Большую роль играет инжекция неосновных носителей заряда.
+B) Отсутствует инжекция неосновных носителей заряда.
C) Максимальная частота не связана с постоянной времени перезарядки емкостей.
D) Большую роль играет накопление зарядов.
+E) Максимальная частота зависит от постоянной времени перезарядки емкостей.
F) Большую роль играет инерционность.
$$$ 183
Транзисторы с управляющим p-n- переходом:
+A) Работают только в режиме обеднения канала носителями заряда..
B) Обладают малым входным сопротивлением.
+C) Обладают высоким входным сопротивлением.
D) Работают только в режиме обогащения канала носителями заряда.
E) Работают и в режиме обогащения, и в режиме обеднения канала носителями заряда.
$$$ 184
Транзисторы МДП со встроенным каналом:
+A) Могут работать с нулевым, отрицательным или положительным смещением.
B) Обладают малым входным сопротивлением.
C) Не имеют проводящего канала при нулевом напряжении на затворе.
D) Работают только в режиме обогащения канала носителями заряда.
+E) Работают и в режиме обогащения, и в режиме обеднения канала носителями заряда.
F) Работают только в режиме обеднения канала носителями заряда.
$$$ 185
Транзисторы МДП с индуцированным каналом:
+A) Не имеют проводящего канала при нулевом напряжении на затворе.
B) Обладают малым входным сопротивлением.
C) Могут работать с нулевым, отрицательным или положительным смещением.
D) Работают и в режиме обогащения, и в режиме обеднения канала носителями заряда.
E) Работают только в режиме обеднения канала носителями заряда.
+F) Работают только в режиме обогащения канала носителями заряда.
$$$ 186
Сечение канала:
+A) Зависит от толщины области пространственного заряда.
B) Не зависит от области пространственного заряда.
C) Определяется концентрацией носителей заряда.
+D) Уменьшается при подаче отрицательного напряжения на затворе относительно истока.
E) Уменьшается при подаче положительного напряжения на затворе относительно истока.
$$$ 187
Затвор:
+A) Выполняет роль сетки вакуумного триода.
B) Соответствует аноду вакуумного триода.
C) Является аналогом эмиттера в биполярном транзисторе.
D) Является аналогом коллектора в биполярном транзисторе.
E) Соответствует катоду вакуумного триода.
+F) Аналогичен базе в биполярном транзисторе.
$$$ 188
В схеме ОЭ:
+A) Происходит усиление входного тока.
B) Входной ток не усиливается.
C) Усиливается входное напряжение.
D) Не усиливается электрическая мощность.
E) Частотные свойства лучше, чем в схеме ОБ.
+F) Частотные свойства хуже, чем в схеме ОБ.
G) Переходные свойства лучше, чем в схеме ОБ.
$$$ 189
В схеме ОБ:
A) Происходит усиление входного тока.
+B) Входной ток не усиливается.
C) Не усиливается электрическая мощность.
D) Частотные свойства хуже, чем в схеме ОЭ.
+E) Усиливается входное напряжение.
F) Переходные свойства хуже, чем в схеме ОЭ.
$$$ 190
Выходная ВАХ в схеме ОБ:
A) Измеряется при постоянном выходном токе.
B) Зависимость тока эмиттера от напряжения эмиттер-коллектор.
+C) Зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-база.
+D) Измеряется при неизменном токе эмиттера.
E) Измеряется при неизменном напряжении между коллектором и базой/
F) Измеряется при неизменном токе базы.
G) Зависимость тока эмиттера от напряжения база-эмиттер.
$$$ 191
Входная ВАХ транзистора в схеме ОБ:
A) Измеряется при постоянном выходном токе.
B) Зависимость тока эмиттера от напряжения эмиттер-коллектор.
+C) Зависимость тока эмиттера от напряжения база-эмиттер.
D) Зависимость тока коллектора от напряжения база-коллектор.
+E) Измеряется при неизменном напряжении между коллектором и базой.
F) Измеряется при неизменном токе базы.
$$$ 192
Входная ВАХ в схеме ОЭ:
A) Измеряется при постоянном выходном токе.
B) Зависимость тока эмиттера от напряжения эмиттер-коллектор.
+C) Зависимость тока эмиттера от напряжения база-эмиттер.
D) Измеряется при неизменном напряжении между коллектором и базой.
E) Измеряется при неизменном токе базы.
+F) Измеряется при неизменном напряжении коллектор-эмиттер.
$$$ 193
Выходная характеристика в схеме ОЭ:
+A) Зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер.
B) Зависимость тока эмиттера от напряжения база-эмиттер.
C) Измеряется при неизменном напряжении между коллектором и базой.
+D) Измеряется при неизменном токе базы.
E) Измеряется при постоянном выходном токе.
$$$ 194
Базовый ток:
+A) Создается основными носителями заряда.
B) Всегда создается неосновными носителями.
C) Не зависит от схемы включения транзистора.
D) Создается электронами и дырками.
+E) Выполняет задачу компенсации убыли электронного заряда в базе.
$$$ 195
Электронный заряд в базе:
A) Убывает из-за ухода основных носителей через коллекторный переход.
+B) Убывает из-за ухода основных носителей через эмиттерный переход.
C) Возрастает за счет перехода основных носителей через эмитттерный переход.
D) Возрастает из-за рекомбинации носителей заряда в базе.
+E) Убывает из-за рекомбинации носителей заряда в базе.
$$$ 196
В смешанной h-системе:
A) На входе задается режимное напряжение.
+B) На входе задается режимный ток.
C) На выходе задается режимный ток.
+D) На выходе задается режимное напряжение.
E) На входе и на выходе задается режимный ток.
$$$ 197
В смешанной h-системе:
+A) На входе осуществляется режим холостого хода.
B) На входе задается режимное напряжение.
C) На выходе задается режимный ток.
D) На входе осуществляется короткое замыкание.
E) На выходе осуществляется режим холостого хода.
+F) На выходе осуществляется режим короткого замыкания.
$$$ 198
Параметр 
:
A) Коэффициент обратной передачи напряжения.
+B) Измеряется при к.з. на выходе.
+C) Входное сопротивление.
D) Выходная проводимость.
E) Измеряется при к.з. на входе.
F) Коэффициент прямой передачи тока.
$$$ 199
Параметр 
:
+A) Коэффициент обратной передачи напряжения.
B) Измеряется при к.з. на выходе.
C) Входное сопротивление.
D) Выходная проводимость.
E) Измеряется при к.з. на входе.
F) Коэффициент прямой передачи тока.
+G) Измеряется при холостом ходе на входе.
$$$ 200
Параметр 
:
A) Коэффициент обратной передачи напряжения.
+B) Измеряется при к.з. на выходе.
C) Входное сопротивление.
D) Выходная проводимость.
E) Измеряется при к.з. на входе.
+F) Коэффициент прямой передачи тока.
G) Измеряется при холостом ходе на входе
$$$ end
Паспорт к базе тестовых заданий
по дисциплине «Физическая электроника»
для специальности 5В071900-«Радиотехника, электроника и телекоммуникации»
для отделений с русским языком обучения
| Номер вопроса | Номер темы | Степень сложности | РК1 | РК2 | ИК | Правильный ответ |
| + | - | + | DF | |||
| + | - | + | AF | |||
| + | - | + | AF | |||
| + | - | + | BG | |||
| + | - | + | BG | |||
| + | - | + | C | |||
| + | - | + | D | |||
| + | - | + | D | |||
| + | - | + | C | |||
| + | - | + | AC | |||
| + | - | + | FG | |||
| + | - | + | E | |||
| + | - | + | C | |||
| + | - | + | CF | |||
| + | - | + | D | |||
| + | - | + | B | |||
| + | - | + | A | |||
| + | - | + | C | |||
| + | - | + | D | |||
| + | - | + | BC | |||
| + | - | + | B | |||
| + | - | + | E | |||
| + | - | + | BC | |||
| + | - | + | C | |||
| + | - | + | C | |||
| + | - | + | A | |||
| + | - | + | D | |||
| + | - | + | A | |||
| + | - | + | B | |||
| + | - | + | E | |||
| + | - | + | C | |||
| + | - | + | D | |||
| + | - | + | A | |||
| + | - | + | C | |||
| + | - | + | B | |||
| + | - | + | A | |||
| + | - | + | B | |||
| + | - | + | C | |||
| + | - | + | A | |||
| + | - | + | B | |||
| + | - | + | D | |||
| + | - | + | E | |||
| + | - | + | C | |||
| + | - | + | B | |||
| + | - | + | C | |||
| + | - | + | B | |||
| + | - | + | E | |||
| + | - | + | B | |||
| + | - | + | D | |||
| + | - | + | B | |||
| + | - | + | D | |||
| + | - | + | A | |||
| + | - | + | B | |||
| + | - | + | D | |||
| + | - | + | C | |||
| + | - | + | D | |||
| + | - | + | C | |||
| + | - | + | A | |||
| + | - | + | A | |||
| + | - | + | AF | |||
| - | + | + | D | |||
| - | + | + | C | |||
| + | - | + | AGH | |||
| + | - | + | AFH | |||
| + | - | + | AFG | |||
| + | - | + | CFH | |||
| + | - | + | AFG | |||
| + | - | + | DGH | |||
| + | - | + | AGH | |||
| + | - | + | AGH | |||
| + | - | + | AFG | |||
| + | - | + | BFG | |||
| + | - | + | AFG | |||
| + | - | + | AFH | |||
| + | - | + | CEG | |||
| + | - | + | AGH | |||
| + | - | + | AF | |||
| + | - | + | CGH | |||
| - | + | + | B | |||
| + | - | + | AFG | |||
| + | - | + | BEH | |||
| + | - | + | AGH | |||
| + | - | + | AFH | |||
| + | - | + | AF | |||
| - | + | + | B | |||
| - | + | + | E | |||
| - | + | + | D | |||
| - | + | + | A | |||
| - | + | + | A | |||
| - | + | + | A | |||
| + | - | + | AF | |||
| - | + | + | B | |||
| + | - | + | CGH | |||
| + | - | + | AFG | |||
| - | + | + | A | |||
| + | - | + | AF | |||
| - | + | + | A | |||
| + | - | + | AFG | |||
| + | - | + | BH | |||
| + | - | + | BG | |||
| + | - | + | CF | |||
| + | - | + | DE | |||
| - | + | + | CDF | |||
| + | - | + | BF | |||
| + | - | + | AC | |||
| - | + | + | B | |||
| + | - | + | ADF | |||
| + | - | + | ADG | |||
| + | - | + | EH | |||
| + | - | + | DF | |||
| + | - | + | EG | |||
| - | + | + | B | |||
| + | - | + | BFG | |||
| + | - | + | CF | |||
| + | - | + | BF | |||
| + | - | + | DFG | |||
| + | - | + | AE | |||
| - | + | + | C | |||
| + | - | + | CFG | |||
| + | - | + | ABF | |||
| + | - | + | ACE | |||
| + | - | + | ACE | |||
| + | - | + | BEH | |||
| + | - | + | ADF | |||
| - | + | + | BEH | |||
| - | + | + | ADH | |||
| - | + | + | ADH | |||
| - | + | + | BEF | |||
| - | + | + | BFH | |||
| + | - | + | AG | |||
| - | + | + | ACE | |||
| - | + | + | ADG | |||
| - | + | + | AEG | |||
| - | + | + | AEF | |||
| - | + | + | AFG | |||
| - | + | + | BFH | |||
| + | - | + | AF | |||
| - | + | + | EGH | |||
| - | + | + | DF | |||
| + | - | + | BF | |||
| - | + | + | DFH | |||
| - | + | + | AFG | |||
| - | + | + | BFH | |||
| - | + | + | ABE | |||
| - | + | + | AEF | |||
| - | + | + | ADF | |||
| - | + | + | FGH | |||
| - | + | + | ACF | |||
| - | + | + | BDH | |||
| + | + | + | AE | |||
| + | + | + | CE | |||
| - | + | + | AFH | |||
| - | + | + | BFH | |||
| - | + | + | CFH | |||
| - | + | + | ADG | |||
| - | + | + | AFH | |||
| - | + | + | CFH | |||
| - | + | + | CDF | |||
| - | + | + | AEH | |||
| - | + | + | BEG | |||
| + | - | + | EF | |||
| - | + | + | DG | |||
| - | + | + | AF | |||
| - | + | + | CF | |||
| - | + | + | DF | |||
| - | + | + | EF | |||
| - | + | + | AE | |||
| - | + | + | DF | |||
| - | + | + | AF | |||
| - | + | + | BF | |||
| - | + | + | BF | |||
| - | + | + | AE | |||
| - | + | + | DF | |||
| - | + | + | EF | |||
| - | + | + | CD | |||
| - | + | + | BD | |||
| - | + | + | AE | |||
| - | + | + | BG | |||
| - | + | + | AG | |||
| - | + | + | BD | |||
| - | + | + | AF | |||
| - | + | + | BE | |||
| - | + | + | AC | |||
| - | + | + | AE | |||
| - | + | + | AF | |||
| - | + | + | AD | |||
| - | + | + | AF | |||
| - | + | + | AF | |||
| - | + | + | BE | |||
| - | + | + | CD | |||
| - | + | + | CE | |||
| - | + | + | CF | |||
| - | + | + | AD | |||
| - | + | + | AE | |||
| - | + | + | BE | |||
| - | + | + | BD | |||
| - | + | + | AF | |||
| - | + | + | BC | |||
| - | + | + | AG | |||
| - | + | + | BF |
