Каким видам испытаний подвергаются полупроводниковые приборы и ИС.

Нарушение режимов и про­должительности технологической тре­нировки оборачивается значительным браком готовой продукции.

Технологическая тренировка ИР Э - испытания аппаратуры с целью выявления и устранения приработочных отказов. Интенсивность отказов элементов зависит от их типа, режима работы, технологии изготов­ления, условий эксплуатации и изме­нения во времени. Для сокращения времени технологической тренировки ее совмещают с испыта­ниями на воздействие вибраций, термоциклирования, повышенного на­пряжения питания.

После окончания «жестких» техно­логических испытаний необходимо предусмотреть регулировочную опера­цию и повторить технологический прогон.

При проектировании технологиче­ской тренировки определяют:

• время тренировки (10—200 ч);

• последовательность и жесткость тех­нологических испытаний, при которых постепенно уменьшается «жест­кость» режима (термоудар, цикличе­ское воздействие температур и др.);

• периодичность проверки параметров;

• объем контролируемых параметров, автоматизацию контроля ряда параметров аппаратуры.

Ускоряющим фактором для боль­шинства механизмов отказов является повышенная температура.

При испытаниях монтажных соеди­нений на надежность можно рекомендовать вре­менной график испытаний. Объем испытаний устанавливают исходя из экспоненциального закона распределения времени работы соеди­нений до отказа: N ≥ r ₀/λ, где N — объем выборки; r ₀ — коэффи­циент, зависящий от доверительной вероятности.

 

 

1. Что такое степень интеграции ИС, чем она ограничивается?

2. В чем преимущества оптоэлектронных приборов перед приборами с электрическими связями?

3. Что дает применение базовых матричных кристаллов при проектировании ИС?

4. Какие методы удаления материала называются «сухими» и в чем их преимущества перед традиционными «мокрыми»?

5. Что положено в основу классификации изделий МЭ по функциональным признакам?

6. Какие виды конденсаторных структур применяются в составе ИС, в чем преимущества одних перед другими?

7. В чем отличие гомоэпитаксиальных структур от гетеро-эпитаксиальных, где применяются такие структуры?

8. Назовите преимущества униполярных транзисторных структур перед биполярными.

9. Почему в качестве базового конструктивного элемента ИС принята транзисторная структура?

10. Какие виды резисторов применяются в составе ИС, в чем преимущества одних перед другими?

11. Что является конечным продуктом проектирования ИМЭ, что понимают под физической структурой ИС?

12. Какие недостатки обычного термического испарения устраняются при использовании электронно-лучевого испарения?

13. Что скрывается за понятием «вакуумная гигиена», как она обеспечивается в производстве ИС?

14. В чем сущность планарной технологии? Назначение входящих в нее основных операций.

15. На каких стадиях ТП изготовления ИС применяется обработка резанием?

16. Какие функции в составе приборов и в ходе ТП изготовления ИС играет SiO₂?

17. Почему в современной технологии СБИС все чаще SiO₂ заменяют Si₃N₄?

18. Каким методом получают самый качественный по диэлектричес-ким свойствам оксид кремния?

19. Чем молекулярно-лучевая эпитаксия отличается от эпитаксии, основанной на газотранспортных реакциях?

20. Почему магнетронное распыление обеспечивает более высокую производительность при получении тонких пленок по сравнению с другими ионно-плазменными методами?

21. Какие материалы и почему используют для изготовления термических испарителей?

22. Функциональное назначение и основные характеристики фоторезистов.

23. Какие методы микролитографии применяются при изготовлении ИС с топологическими размерами элементов меньшими 0,5 мкм?

24. Основные недостатки контактной литографии и способы их устранения?

25. На чем основан процесс диффузионного легирования, какие преимущества и недостатки этого метода?

26. Что кроется за понятиями «загонка» и «разгонка»?

27. На чем основан метод ионного легирования, какие недостатки термической диффузии он устраняет?

28. Почему электрический контроль кристаллов ИС проводится на пластинах в неразделенном состоянии? Как его осуществляют?

29. Какие корпуса обеспечивают наилучшую защиту ИС? Из каких элементов они состоят?

30. Почему метод сквозного прорезания имеет преимущества перед методами скрайбирования?

31. Как осуществляется изоляция элементов в составе ИС между собой и подложкой?

32. На каких стадиях ТП изготовления ИС применяются операции сварки, пайки и склеивания?

33.Назовите основные методы операционного и заключительного контроля в технологии ИС.

34. Каким видам испытаний подвергаются полупроводниковые приборы и ИС?

 

1. Интегральная электроника: основные направления, особенности конструкций и технологии изделий.

2. Микроэлектроника: этапы развития, основные понятия.

3. Опто- и функциональная электроника.

4. Классификация ИМЭ по конструкторско-технологическим и функциональным признакам.

5. Элементы полупроводниковых ИС: структура и свойства биполярных и униполярных (полевых) транзисторов.

6. Элементы полупроводниковых ИС: диодные, резисторные и конденсаторные структуры.

7. Планарная технология. Основные группы операций ТП изготовления изделий МЭ.

8. Особенности проектирования изделий микроэлектроники.

9.Подложки полупроводниковых и гибридных микросхем: материалы, методы получения и обработки.

10. Методы удаления материала в технологии ИМЭ (механическая обработка, химическое, плазмохимическое и лучевое травление).

11. Формирование пленочных структур методами испарения (термического и электронно-лучевого).

12. Формирование пленочных структур методами распыления (катодного, магнетронного, ионно-лучевого и др.).

13. Эпитаксиальное наращивание слоев. Назначение и виды полупроводниковых эпитаксиальных структур.

14. Формирование конфигурации пленочных элементов и окон в пленках (фото-, рентгено- и электронография, электронное фрезерование и др.).

15.Формирование областей с различными электрофизическими характеристиками: физические основы и особенности диффузионное и ионного легирования.

16. Технология диффузионного и ионного легирования ПП подложек, пленок поли-Si, слоев SiO2 и т.п.

17. Придание материалам и элементам требуемых свойств термообработкой (отжиг пленок, вжигание контактов, активирующий отжиг и др.).

18. Основные этапы ТП сборки и герметизации (разделение пластин на кристаллы, сварка, пайка, склеивание и др.).

19. Разделение пластин на кристаллы, корпусирование и сборка.

20. Основные виды контрольных и испытательных операций.

21. Основные операции типового ТП изготовления ТТЛШ СБИС на биполярных транзисторах по планарно-эпитаксиальной технологии.

22. Типовой ТП изготовления полупроводниковой ИС на униполярных (полевых) транзисторах.