отжиг и др.).
Термообр - ка - тепловое возд-вие на материалы для целенаправл-го изменения их физ.-хим. св-в. Она позволяет улучшить характ-ки металлов, продлив тем самым срок эксплуатации деталей, уменьшить массу и габариты металлич. изделий, увеличить значения допустимых напряжений.
Отжиг —нагрев до заданной темп-ры, выдержка при этой темп-ре и последующее, обычно медленное охлаждение. При отжиге происходит требуемое модифицирование материала изделия или заготовки, снимаются механич. напряжения в них, изменяется однородность в-ва по всему объёму или на отд. участках.
Вжигание проводится для улучшения механич. сцепления (иногда и электрич. контакта) с подложкой нанес-го на неё покрытия (металлич. слоя, плёнки); при этом одновр-но происх. и частичная структур. стабилизация мат-ла покрытия.
Высоко- и низкотемпературный отжиг проводится на разных стадиях ТП. Не носит самостоят. хар-ра, а явл. вспомогательным. Так металлич.пленки всегда наносятся на подогреваемые подложки. Это способствует: 1.улучшению адгезии; 2.зародышеобразованию; 3.сплошности; 4.уменьшает дефектность и механические напряжения как в самой пленке, так и на границе раздела пленка-подложка. Высокотемпературная ТО характерна для операции очистки подложек, активизации ионов внедрение примесей, вжигание контактных площадок, термической диффузии. ТП производства ИС должен содержать минимум высокотемпературных операций, следует уменьшать их длительность, т.к. они оказывают существенное влияние на свойства ранее сформированных структур и дефектность элементов.
Основные этапы ТП сборки и герметизации (разделение пластин на кристаллы, сварка, пайка, склеивание и др.).
После зондового контроля кристаллов ИС на функционирование, которое они проходят в неразделенном состоянии, годные кристаллы передаются на сборку. Она вкл.: 1.разделение пластин на отдельные чипы (кристаллы); 2.их монтаж в корпусе; 3.герметизация. Скрайбирование явл. основным м-дом разделения пластин на отдельные кристаллы, если их диаметр меньше 60-100мм. Оно заключается в нанесении на ее поверхность в двух взаимно перпендикулярных направлениях царапин алмазным резцом или канавок при использовании материала подложки сфокусированного лазерным лучом. Под этими царапинами образуется напряженные области и при механическом воздействии пластина разламывается на отдельные кристаллы. Затем пластина наклеивается на тонкую эластичную пленку и раскалывается на отдельные чипы путем консольного изгиба на шаровое поле с помощью эластичный мембраны. В современном производстве в основном используется метод сквозного прорезания подложки, наклеенной на эластичный носитель набором сверхтонких алмазных дисков с наружной режущей кромкой.
Соединение контактных площадок кристалла с выводами корпуса осуществляется термо-компрессией – сваркой, которая основана на эффекте значительного снижения t плавления, контактирующих под давлением металлов. Метод имеет высокую производительность. Монтаж может также производится Al и Pd проволокой. Соединение одного металла обеспечивает более надёжный контакт, но процесс проводится при более высок. t.
Процесс защиты приборов называется герметизацией. Она может быть вакуумно-плотная и негерметичная. Вакуумно-плотная осуществляется в металлостеклянных, керамических и стеклянных корпусах. Их сборка осуществляется сваркой и пайкой. Они м.б. точечными и шовными. Наиболее эффективной является лазерная шовная сварка. Негерметичная сборка осуществляется в пластмассовом корпусе. Основным является литьевое прессование. После герметизации готовые изделия подвергаются различным видам электрического и др. контроля.
