Ћекции.ќрг


ѕоиск:




 атегории:

јстрономи€
Ѕиологи€
√еографи€
ƒругие €зыки
»нтернет
»нформатика
»стори€
 ультура
Ћитература
Ћогика
ћатематика
ћедицина
ћеханика
ќхрана труда
ѕедагогика
ѕолитика
ѕраво
ѕсихологи€
–елиги€
–иторика
—оциологи€
—порт
—троительство
“ехнологи€
“ранспорт
‘изика
‘илософи€
‘инансы
’ими€
Ёкологи€
Ёкономика
Ёлектроника

 

 

 

 


—пецификаци€ чипов пам€ти




DDR200: пам€ть типа DDR SDRAM, работающа€ на частоте 100 ћ√ц DDR266: пам€ть типа DDR SDRAM, работающа€ на частоте 133 ћ√ц DDR333: пам€ть типа DDR SDRAM, работающа€ на частоте 166 ћ√ц DDR400: пам€ть типа DDR SDRAM, работающа€ на частоте 200 ћ√ц

 

46. ѕам€ть DDR2;

DDR2 SDRAM - синхронна€ динамическа€ пам€ть с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, второе поколение) Ч это тип оперативной пам€ти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопам€ти. ѕришла на смену пам€тиDDR SDRAM.  ак и DDR SDRAM, DDR2 SDRAM использует передачу данных по обоим срезам тактового сигнала, за счЄт чего при такой же частоте шины пам€ти, как и в обычной SDRAM, можно фактически удвоить скорость передачи данных (например, при работе DDR2 на частоте 100 ћ√ц эквивалентна€ эффективна€ частота дл€ SDRAM получаетс€ 200 ћ√ц). ќсновное отличие DDR2 от DDR Ч вдвое больша€ частота работы шины, по которой данные передаютс€ в буфер микросхемы пам€ти. ѕри этом, чтобы обеспечить необходимый поток данных, передача на шину осуществл€етс€ из четырЄх мест одновременно. »тоговые задержки оказываютс€ выше, чем дл€ DDR.¬нешнее отличие модулей пам€ти DDR2 от DDR Ч 240 контактов (по 120 с каждой стороны)

“ип чипа „астота пам€ти, ћ√ц „астота шины, ћ√ц Ёффективна€ частота,ћ√ц DDR2-400 100 200 400

DDR2-533 133 266 533

DDR2-667 166 333 667

DDR2-800 200 400 800

DDR2-1066 266 533 1066

 

47. ѕам€ть DDR3;

DDR3 SDRAM - синхронна€ динамическа€ пам€ть с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) Ч это тип оперативной пам€ти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопам€ти. ѕришла на смену пам€ти типа DDR2 SDRAM, увеличив размер предподкачки с 4 бит до 8 бит.

” DDR3 уменьшено потребление энергии по сравнению с модул€ми DDR2, что обусловлено пониженным (1,5 ¬, по сравнению с 1,8 ¬ дл€ DDR2 и 2,5 ¬ дл€ DDR) напр€жением питани€ €чеек пам€ти.[3][4] —нижение напр€жени€ питани€ достигаетс€ за счЄт использовани€ более тонкого техпроцесса (в начале 90-нм, в дальнейшем 65, 50, 40 нм) при производстве микросхем и применени€ транзисторов с двойным затвором Dual-gate (что способствует снижению токов утечки).

—уществует вариант пам€ти DDR3L (L означает Low) с ещЄ более низким напр€жением питани€, 1,35 ¬, что меньше традиционного дл€ DDR3 на 10 %.[5]

¬ 2012 году было сообщено о выходе пам€ти DDR3L-RS дл€ смартфонов.[6]ћикросхемы пам€ти DDR3 производ€тс€ исключительно в корпусах типа BGA.

 

48. ѕам€ть DDR4;

DDR4 SDRAM - новый тип оперативной пам€ти, €вл€ющийс€ эволюционным развитием предыдущих поколений DDR (DDR, DDR2, DDR3). ќтличаетс€ повышенными частотными характеристиками и пониженным напр€жением питани€.

ќсновное отличие DDR4 заключаетс€ в удвоенном до 16 числе банков, что позволило вдвое увеличить скорость передачи Ч до 3,2 √бит / с. ѕропускна€ способность пам€ти DDR4 достигает 34,1 √Ѕ / c (в случае максимальной эффективной частоты 4 266 ћ√ц, определЄнной спецификаци€ми).  роме того, повышена надЄжность работы за счЄт введени€ механизма контрол€ чЄтности на шинах адреса и команд. Ѕудет поддерживать эффективные частоты от 2 133 до 4 266 ћ√ц. —ледует учесть, что эффективна€ частота отличаетс€ от частоты тактировани€. ѕод эффективной частотой понимаетс€ защелкивание данных по переднему и заднему фронтам. ¬ св€зи с этим, реальна€ тактова€ частота работы пам€ти в два раза меньше относительно эффективной частоты.¬ массовое производство вышла во 2 квартале 2014 года. —тарт продаж началс€ в японии, а в июле эта пам€ть по€вилась в странах ≈вропы.

 


49. Flash пам€ть. Ёто полупроводникова€, электрически перепрограммируема€ пам€ть. ќсновное достоинство- энергозависимость (не нужно электричество дл€ хранени€ данных). —читывать информацию можно бесконечное количество раз.  оличество записи ограничено. Ёлементарна€ €чейка хранени€ данных флэш пам€ти- транзистор с плавающим затвором. ќсобенности его в том, что он может удерживать зар€д. »спользуют два типа €чеек пам€ти: MLC и SLC. MLC- многоуровневые €чейки пам€ти (более емкие и дешевые, большее врем€ доступа и меньшее количество циклов записи примерно 10000). SLC-одноуровневые €чейки пам€ти (меньшее врем€ доступа и большее количество циклов записи примерно 100000). ‘лэш пам€ть бывает двух типов: NAND и NOR. ѕринцип работы флэш пам€ти основан на изменении и регистрации электрического зар€да в области полупроводниковой структуры. »зменение зар€да (запись, стирание) выполн€етс€ приложение между затвором и истоком потенциала. „тобы напр€женность электрического пол€ в тонком диэлектрике между каналом транзистора и изолированной областью оказалось достаточно дл€ возникновени€ тоннельного эффекта. ƒл€ усилени€ эффекта тоннелировани€ электронов при записи примен€етс€ ускорение электронов путем пропускани€ электронов через канал полевого транзистора (ѕ.“.). „тение выполн€ет ѕ“, дл€ которого канал выполн€ет роль затвора, потенциал ѕ“, что регистрирует. Ёта конструкци€ снабжаетс€ элементами, которые позвол€ют ей работать в таком же массиве €чеек. —уществуют €чейки с одним или с двум€ транзисторами.

 

 

50. ќднотранзисторна€ €чейка флэш-пам€ти

≈сли на управл€ющий затвор подать положительное напр€жение (инициаци€ €чейки пам€ти), то он будет находитьс€ в открытом состо€нии, что соответствует логическому ќ.
≈сли на управл€ющий затвор подать избыточный отрицательный зар€д (электрон) и подать положительное напр€жение на управл€ющий затвор, то он компенсирует, созданием электрическим зар€дом, поле не даст образоватьс€ проводимости, т.е. транзистор находитс€ в закрытом состо€ние, следовательно наличие или отсутствие определ€ет закрыт или открыт транзистор.

51. ”стройство пам€ти с NOR

–азработана фирмой Intel в 1988 г. „тобы получить доступ к содержимому €чейки пам€ти (инициализировать €чейку), нужно подать напр€жение на управл€ющий затвор. ѕоэтому разработчики компании все управл€ющие затворы подсоединили к линии управлени€, котора€ называетс€ линией слов (Word Line). јнализ информации €чейки пам€ти выполн€етс€ по уровню сигнала на стоке транзистора. ѕоэтому разработчики все стоки транзисторов подсоединили к линии, котора€ называетс€ линией битов (Bit Line). ѕринцип логической операции NOR заключаетс€ в том, что она над несколькими операндами дает единичное значение, когда все операнды равны нулю, и нулевое значение во всех остальных операци€х. ¬ нашем случае под операндами подразумеваетс€ значение €чеек пам€ти, а значит в данной архитектуре единичное значение на битовой линии будет наблюдаетс€ только в том случае, когда значение всех €чеек, которые подключены к битовой линии, будут равны нулю (все транзисторы закрыты).

¬ этой архитектуре хорошо организован произвольный доступ к пам€ти, но процесс записи и стирани€ данных выполн€етс€ относительно медленно. ¬ процессе записи и стирани€ примен€етс€ метод инжекции гор€чих электронов.  о всему прочему микросхема флеш-пам€ти с архитектурой NOR и размер ее €чейки получаетс€ большим, поэтому эта пам€ть плохо масштабируетс€. ‘леш-пам€ть с архитектурой NOR как правило используют в устройствах дл€ хранени€ программного кода.

 

 

52. ”стройство пам€ти с NAND

Ёту пам€ть была разработана Toshiba. ѕри выполнении операци€ NAND дает значение нуль только, когда все операнды равны нулю, и единичное значение во всех других случа€х. ¬ следствии этого в архитектуре NAND подразумеваетс€, что битова€ лини€ имеет нулевое значение в том случае, когда все подключенные к ней транзисторы открыты, и значение один, когда хот€ бы один из транзисторов закрыт. “акую архитектуру можно построить, если подсоединить транзисторы с битовой линией не по одному (так построено в архитектуре NOR). ƒанна€ архитектура по сравнению с NOR хорошо масштабируетс€.  роме этого архитектура NAND производит запись путем туннелировани€ ‘аулера - Ќордхейма, а это разрешает реализовать быструю запись нежели в структуре NOR. „тобы увеличить скорость чтени€, в микросхемы NAND встраивают внутренний кэш.

 

53. —труктурна€ схема, принцип работы и основные термины жесткого диска;

HDD Ц Hard Disk Drive Ц предназначен дл€ длительного хранени€ данных, которые используютс€ компьютером.

 аждый HDD имеет 3 основных компонента;

1)ƒиск

2)ћеханическа€ часть(управл€ет магнитной головкой)

3)Ёлектронный блок

ѕринцип работы:

¬ магнитных носител€х информации цифрова€ запись производитс€ на магнито чувствительный материал.   таким материалам относ€тс€ некоторые разновидности оксидов железа, никель, кобальт и его соединени€, сплавы, а также магнитопласты и магнитоэласты со в€зкой из пластмасс и резины, микропорошковые магнитные материалы.

ћагнитное покрытие имеет толщину в несколько микрометров. ѕокрытие наноситс€ на немагнитную основу, в качестве которой дл€ магнитных лент и гибких дисков используютс€ различие пластмассы, а дл€ жестких дисков Ч алюминиевые сплавы и композиционные материалы подложки. ћагнитное покрытие диска имеет доменную структуру, т.е. состоит из множества намагниченных мельчайших частиц.

 

 

—’≈ћј

 

 

54. ќсновные характеристики жестких дисков;

1)–азмер диска(2,5 дюйма, 3.5 дюйма)

2)»нтерфейсы

ј)IOE

Ѕ)SATA

-1-56b/s

-2-66b/s

¬)SAS

3)Ёнергопотребление (12¬т)

4)—корость вращени€ магнитного диска (6400, 7200, 10000, 15000 об/с)

5)¬ременные задержки

ј)¬рем€ поиска

Ѕ)¬рем€ переключени€ головки

¬)¬рем€ переключени€ ножек цилиндра

ѕосле того как головка оказываетс€ над дорожкой она ждет по€влени€ сектора дорожки(задержка позиционна)

ј)скорость вращени€ (5400,7200, 10000 об/с)

Ѕ)¬рем€ задержки (5.7, 4.2, 3.3 м/c)

6)Ѕуфф-а€ пам€ть винчестера Ц промежуточный тип памти, который необходим дл€ временного размещени€ данных

7)«ащита от перегрузок

 

 

55. ¬ременные задержки жесткого диска;

¬ременные задержки

ј)¬рем€ поиска

Ѕ)¬рем€ переключени€ головки

¬)¬рем€ переключени€ ножек цилиндра

ѕосле того как головка оказываетс€ над дорожкой она ждет по€влени€ сектора дорожки(задержка позиционна)

ј)скорость вращени€ (5400,7200, 10000 об/с)

Ѕ)¬рем€ задержки (5.7, 4.2, 3.3 м/c)

 

 

56Ћогическа€ структура

1)«агрузочный сектор

2)таблица размещени€ файлов

3)область данных

«агрузочный сектор используетс€ дл€ определени€ загрузочного места и передачи управлени€ загрузчику операционной системы

“аблица размещени€ файлов используетс€ дл€ хранени€ свединей о размещении файлов на диске: основна€ и резервна€ (дл€ повышени€ надежности)

ќбласть данных занимает основную часть пространства и служит дл€ хранени€ данных. —ектора нумеруютс€ с 0

0 сектор имеет свое им€-MBR-Master Boot Record(он находитс€ специальна€ программа IPL- Initial Program Loading, она определ€ет какой диск €вл€етс€ загрузочным) Boot Record передает загрузочные записи

GRUB-загрузчик

–азделы бывают основными или логическими.

ƒл€ того,чтобы получить логический раздел, основной раздел нужно сделать расширенным

 

57. –азделы жесткого диска

–аздел Ч часть долговременной пам€ти жЄсткого диска, выделенна€ дл€ удобства работы, и состо€ща€ из смежных блоков.





ѕоделитьс€ с друзь€ми:


ƒата добавлени€: 2015-02-12; ћы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 873 | Ќарушение авторских прав


ѕоиск на сайте:

Ћучшие изречени€:

80% успеха - это по€витьс€ в нужном месте в нужное врем€. © ¬уди јллен
==> читать все изречени€...

304 - | 321 -


© 2015-2023 lektsii.org -  онтакты - ѕоследнее добавление

√ен: 0.023 с.