Ћекции.ќрг


ѕоиск:




 атегории:

јстрономи€
Ѕиологи€
√еографи€
ƒругие €зыки
»нтернет
»нформатика
»стори€
 ультура
Ћитература
Ћогика
ћатематика
ћедицина
ћеханика
ќхрана труда
ѕедагогика
ѕолитика
ѕраво
ѕсихологи€
–елиги€
–иторика
—оциологи€
—порт
—троительство
“ехнологи€
“ранспорт
‘изика
‘илософи€
‘инансы
’ими€
Ёкологи€
Ёкономика
Ёлектроника

 

 

 

 


Ћогические схемы на ћќѕ транзисторах одного типа проводимости




 

ѕринципы работы элементов n-ћќѕ и p-ћќѕ удобно проследить на примере инверторов:

 

 

¬ этих схемах исток ключевого Ц активного транзистора заземл€етс€, а знак питающего напр€жени€ определ€етс€ типом ћќѕ транзистора (дл€ p-отрицательное, дл€ n-положительное).

ѕринципиальное отличие схем на унипол€рных транзисторах от схем на бипол€рных заключаетс€ в том, что в первых нагрузкой €вл€етс€ нормально открытый ћќѕ транзистор. Ёто существенно упрощает технологию изготовлени€ схем.

 ак видно, в элементах p- ћќѕ используетс€ соглашение отрицательной логики. (Ћогическа€ единица отображаетс€ отрицательным напр€жением, модуль которого превышает пороговое напр€жение, логический ноль Ц малым отрицательным напр€жением, модуль которого не достигает модул€ порогового).

¬ обеих схемах транзисторы €вл€ютс€ нагрузочными. «атвор транзистора Ц нагрузки подключаетс€ к источнику смещени€ , который по модулю превышает не менее чем на пороговое напр€жение. ¬озможно подключение затвора непосредственно к источнику питани€ (пунктир, падает быстродействие схемы).

¬ обеих схемах при подаче на вход напр€жени€, соответствующего , транзистор закроетс€ и на выходе будет действовать напр€жение, близкое к (то есть логическа€ Ђ1ї).

≈сли же , то открыт, напр€жение на выходе , так как сопротивление канала нагрузочного транзистора значительно больше сопротивлени€ канала открытого транзистора: . Ёто неравенство выполнимо лишь при изготовлении транзисторов с разными размерами каналов:

 

 

” нагрузочного резистора увеличивают длину канала, у активного Ц его ширину (на рис. сопротивлени€ отличаютс€ в 25 раз).

Ѕольшое входное сопротивление ћќѕ транзисторов позвол€ет строить логические схемы, использу€ непосредственное соединение каналов (параллельное, последовательное, смешанное).

 

 

ѕри отсутствии тока через схему (все активные транзисторы закрыты) напр€жение на выходе , что соответствует .

ƒл€ построени€ многоступенчатых схем примен€ют смешанное соединение каналов ћќѕ транзисторов.

’арактерные недостатки p(n) ћќѕ схем:

- необходимость иметь определенное соотношение между сопротивлением каналов (увеличивает расход площади кристалла и следовательно стоимость элемента). ∆елательно иметь транзисторы .

- при через оба транзистора от источника питани€ на общую точку течет статический ток. Ёто исключает применение низкоомных каналов (растет рассеиваема€ элементом мощность). ¬ысокоомность каналов влечет потерю быстродействи€.

¬рем€ задержки распространени€ Ц дес€тки и сотни наносекунд (частота переключени€ 1000-50 к√ц), потребл€ема€ мощность Ц дес€тки м¬т/вентиль.

“ипичное напр€жение питани€ Ц 27¬.

Ќагрузочна€ способность ћќѕ“ »— одного типа проводимости достаточно высока (n>10) и ограничиваетс€ лишь снижением быстродействи€ за счет емкости нагрузки —и.

— целью расширени€ функциональных возможностей в состав серии включены буферные схемы ().

 

 





ѕоделитьс€ с друзь€ми:


ƒата добавлени€: 2015-02-12; ћы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 1984 | Ќарушение авторских прав


ѕоиск на сайте:

Ћучшие изречени€:

≈сли президенты не могут делать этого со своими женами, они делают это со своими странами © »осиф Ѕродский
==> читать все изречени€...

1537 - | 1491 -


© 2015-2024 lektsii.org -  онтакты - ѕоследнее добавление

√ен: 0.011 с.