Ћекции.ќрг


ѕоиск:




 атегории:

јстрономи€
Ѕиологи€
√еографи€
ƒругие €зыки
»нтернет
»нформатика
»стори€
 ультура
Ћитература
Ћогика
ћатематика
ћедицина
ћеханика
ќхрана труда
ѕедагогика
ѕолитика
ѕраво
ѕсихологи€
–елиги€
–иторика
—оциологи€
—порт
—троительство
“ехнологи€
“ранспорт
‘изика
‘илософи€
‘инансы
’ими€
Ёкологи€
Ёкономика
Ёлектроника

 

 

 

 


»нтегральные логические элементы на унипол€рных транзисторах




 

¬ интегральной схемотехнике примен€ютс€ как бипол€рные, так и унипол€рные транзисторы (под пол€рностью понимаетс€ тип проводимости). ≈сли бипол€рный транзистор состоит из двух переходов разных типов проводимости (p-n и n-p) и работают на основе инжекции и переноса неосновных носителей, унипол€рные состо€т из одного перехода и работают на основе переноса основных носителей. ѕервые управл€ютс€ током, вторые Ц напр€жением.

”нипол€рный (полевой) транзистор Ц n n прибор, работа которого основана на изменении (модул€ции) сопротивлени€ сло€ n n материала поперечным электрическим полем. »звестны две разновидности FET (ѕ“): с управл€ющими p-n переходами и со структурой ћƒѕ (ћќѕ, так как в качестве диэлектрика обычно используетс€ окисел кремни€).

ѕервые нашли применение в линейных схемах (усилители, аналоговые ключи), вторые Ц в логических схемах.

ћќѕ Ц транзистор €вл€етс€ 4 Ц полюсным полупроводниковым прибором.

 

 

1 Ц nn пластина с проводником p-типа.

2 Ц области n-типа.

3 Ц металлический электрод.

4 Ц изолирующа€ пленка.

 

»стоком называют электрод, от которого начинают движение основные носители, стоком Ц электрод, к которому они движутс€. «атвор Ц управл€ющий электрод. „етвертый дополнительный электрод присоедин€етс€ к подложке (nn области, на которой изготовлен транзистор).

ќбласть под затвором между » и — Ц канал.

–азличают ћќѕ транзисторы с встроенными (объединенный тип) и индуцированными (обогащенный тип) каналами. ѕервый тип образуетс€ технологическим путем, второй Ц под действием управл€ющего напр€жени€.

¬ цифровых устройствах Ц обычно ћќѕ Ц транзисторы с индуцированным каналом. ѕри отсутствии управл€ющего напр€жени€ на затворе транзистора канал не проводит.

≈сли к затвору приложить большее по абсолютной величине относительно истока управл€ющее напр€жение (больше ), то между стоком и истоком создаетс€ провод€щий канал. ѕроводимость канала увеличиваетс€ с ростом напр€жени€ на затворе:

 

 

 


ѕо типу проводимости канала различают ћќѕ транзисторы n- и p- типов. Ќа рисунке была изображена структура, основание которой Ц кремний p типа проводимости и канал с n Ц типом проводимости, то есть n-тип ћќѕ транзисторы.

јналогичную структуру имеет p-тип кремниева€ пластина с n проводимостью и канал p-типа.

“ак как управл€ютс€ напр€жением Ц аналогично электрическим лампам. »сток Ц катод, затвор Ц сетка, сток Ц анод.

”силительные свойства характеризуют крутизной:

 

при

 

и коэффициент усилени€ по напр€жению

 

при

__________

ѕри проектировании Ѕ  качество результата во многом зависит от топологических факторов.

„тобы расширить возможности применени€ Ѕ  важно удачно подобрать состав и число Ѕ , правильно расположить шины питани€, места подключени€ внешних сигналов, обеспечить возможности отключени€ неисправных элементов от источника питани€ и так далее.

ѕроектирование Ѕ»— на основе Ѕ  св€зано с пон€тием библиотеки реализуемых на нем схем.

„тобы избавить каждого из проектировщиков от повторени€ работы по созданию на кристалле возможных схем, при разработке Ѕ  предусматривают библиотеку возможных решений, в которую вход€т многие реализуемые на кристалле элементы, функциональные узлы и их части.

ѕользу€сь библиотекой, проектировщик воплощает схемы, работоспособность которых уже проверена, а параметры известны.

ѕроектирование Ѕ»— Ц —јѕ–.

ќбеспечивает высокий процент использовани€ элементов кристалла (до 90%).

ѕроектирование Ѕ»— на основе Ѕ  отличаетс€ от проектировани€ полностью заказных Ѕ»— Ц при Ѕ  схема должна быть покрыта элементами из библиотеки, при проектировании заказной Ѕ»— на этапе логического проектировани€ можно пользоватьс€ неограниченным (в пределах выбранной схемотехники) набором функциональных элементов. ¬ заказной Ѕ»— полностью используютс€ схемные элементы, экономитс€ площадь кристалла (но возрастает стоимость и врем€).

¬ целом стоимость ниже, но стоимость кристалла дороже

__________

 

ћќѕ транзисторы имеют высокое входное сопротивление (), занимают на пластине малую площадь (в 20-30 раз меньше, чем бипол€рный транзистор и высокотехнологичны Ц в 2-3 раза меньше операций при изготовлении, чем дл€ бипол€рного транзистора).

 

 





ѕоделитьс€ с друзь€ми:


ƒата добавлени€: 2015-02-12; ћы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 1883 | Ќарушение авторских прав


ѕоиск на сайте:

Ћучшие изречени€:

—туденческа€ общага - это место, где мен€ научили готовить 20 блюд из макарон и 40 из доширака. ј майонез - это вообще десерт. © Ќеизвестно
==> читать все изречени€...

644 - | 569 -


© 2015-2023 lektsii.org -  онтакты - ѕоследнее добавление

√ен: 0.012 с.