Лекции.Орг


Поиск:




Категории:

Астрономия
Биология
География
Другие языки
Интернет
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Механика
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Транспорт
Физика
Философия
Финансы
Химия
Экология
Экономика
Электроника

 

 

 

 


Требования к квалификации исполнителя

Определение ориентации и разориентации монокристаллических образцов.

Методические указания по выполнению лабораторной работы по курсу

«Методы исследования и моделирования нанообъектов, приборов и нанотехнологических процессов»

 

Калуга, 2015 г.

 

УДК 621

Методические указания издаются в соответствии с учебным планом направления подготовки 28.04.02Наноинженерия.

 

Методические указания рассмотрены и одобрены:

кафедрой «Материаловедение»(ЭИУ4-КФ)

 

протокол № 1 от «30» августа 2015 г.

 

Зав. кафедрой ЭИУ4-КФ_______________ д.т.н., профессор Косушкин В.Г.

 

 

Авторы: __________ доцент кафедры ЭИУ4-КФ, к.ф.-м.н. Прохоров И.А.

 

 

Аннотация

 

В методических указаниях приведены: цель выполнения лабораторной работы по дисциплине «Методы исследования и моделирования нанообъектов, приборов и нанотехнологических процессов», исходные данные, порядок выполнения и содержание, требования к оформлению, список рекомендуемой литературы.

 

* Калужский филиал МГТУ им.Н.Э.Баумана 2015 г.

* Прохоров И.А.

 

Цель работы: изучение методов ориентирования кристаллов и определения углов разориентации образцов.

 

Задача работы: определить величину разориентации конкретных монокристаллических образцов с использованием гониометрической приставки ГП–14.

 

Лабораторная методика  
  Лабораторная методика контроля кристаллографической ориентации поверхности пластин-заготовок и подложек  
      лист   листов  
               

 

Назначение и область применения

Измерение угла разориентации поверхности пластин-заготовок и изготовленных из них подложек и кристаллографической плоскости (100).

Материалы и оборудование

1.2.1. Рентгеновский дифрактометр.

1.2.2. Монохроматор.

1.2.3. Образец – монокристаллическая алмазная пластина-заготовка или подложка.

 

Условия проведения работ

- температура воздуха 23ºС ± 2ºС;

- относительная влажность 65±15%;

- атмосферное давление 760 ± 30 мм рт.ст.;

- напряжение электрической сети 220 В (+10/-15%);

- частота электрической сети 50±5 Гц.

При выполнении измерений на рентгеновском дифрактометре необходимо соблюдать правила пользования рентгеновским дифрактометром, правила эксплуатации электротехнических установок, а также технику безопасности при работе с источниками ионизирующего излучения.

 

Алгоритм проведения работ

4.1. Провести подготовку к работе рентгеновского дифрактометра в соответствии с инструкцией по эксплуатации прибора.

4.2. Перед выполнением измерений откалибровать и отъюстировать прибор согласно Методике калибровки рентгеновского дифрактометра.

4.3. Установить образец на подвижный X,Y.Z-столик.

4.4. Перед началом измерений установить монохроматор, по межплоскостному расстоянию для выбранного отражения, близкий к исследуемому образцу.

4.5. Провести настройку положения образца путем совмещения оси вращения исследуемого кристалла с оптической осью прибора. Для этого выполнить процедуру так называемого «располовинивания» пучка, т.е. ввести кристалл в пучок так, чтобы интенсивность регистрируемого детектором излучения равнялась половине интенсивности прямого пучка (без кристалла), а при повороте кристалла на 180° вокруг вертикальной оси также составляла половину первичной интенсивности (Рис.1).

Рис. 1. Схема «располовинивания» образца.

 

4.6. Установить детектор с открытыми щелями на двойной угол Брэгга для выбранного отражения.

4.7. Установить образец в азимутальное положение φ=0º.

4.8. Путем вращения кристалла по оси θ найти дифракционное отражение. При этом наклон образца должен составлять 0º.

4.9. Зафиксировать угол, при котором наблюдается дифракционное отражение.

4.10. Повторить пункты 1.4.8 и 1.4.9 при азимутальном положении образца φ = 90º, φ = 180º и φ = 270º.

4.11. Произвести расчет угла разориентации ψ:

В двух взаимно перпендикулярных направлениях записать углы, при которых фиксируются отражения θ 0, θ 90, θ 180 и θ 270. Рассчитать углы скоса в этих направлениях по формулам:

D q 1 = (q 0 - q 180)/2 (1)

D q 2 = (q 90 - q 270)/2 (2)

Вывести дифракционную плоскость в отражающее положение. Для этого необходимо повернуть кристалл по азимуту на угол φ и наклонить его на угол ψ.

Азимутальный угол φ определяется следующим образом: необходимо один квадрант окружности (90 градусов) поделить между двумя направлениями в соотношении:

(3)

Повернув кристалл по азимуту на угол φ, необходимо наклонять кристалл до того момента, пока отражение от него не станет максимальным. Этот угол и будет определяться как угол разориентации ψ. При этом отражение должно фиксироваться в симметричной схеме (при угле Брэгга), а азимутальный угол определяет ось клина.

 

Требования к квалификации исполнителя

К выполнению измерений на рентгеновском дифрактометре допускают лиц, имеющих высшее и среднее специальное образование, сдавших экзамены по электро- и радиационной безопасности и обученных безопасным приемам работы на рентгеновском дифрактометре, изучивших устройство и принцип работы рентгеновского дифрактометра и настоящую методику выполнения измерений.

 

Техника безопасности

При выполнении измерений соблюдают требования ОСПОРБ-99, НРБ-99, «Правил технической эксплуатации электроустановок потребителей ПТЭ», «Правил техники безопасности при эксплуатации электроустановок потребителей ПТБ».

При работе с источником ионизирующего излучения следует соблюдать нормы радиационной безопасности. При выполнении измерений на рентгеновском дифрактометре необходимо использовать защитные экраны из свинцового стекла, очки для защиты глаз, резиновый фартук.

 

 

Вопросы:

– с какой точностью можно определить ориентацию пластины? Чем она определяется?

– чем определяется точность изготовления ориентированных подложек?



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Запрещенные удары, приемы и действия | Определение несоответствия периодов кристаллических решеток подложки и пленки в эпитаксиальных структурах. Определение состава пленок из рентгенодифракционных данных
Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2016-11-02; Мы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 252 | Нарушение авторских прав


Поиск на сайте:

Лучшие изречения:

80% успеха - это появиться в нужном месте в нужное время. © Вуди Аллен
==> читать все изречения...

2275 - | 2126 -


© 2015-2024 lektsii.org - Контакты - Последнее добавление

Ген: 0.012 с.