3.3.1 - , , , . , ( 3.1) .
3.1
Δ, | Tmax, ºC | ||
Ge | 0,72 | 80-100 | |
Si | 1,12 | 180-200 | |
GaAs | 1,45 | ||
GaP | 2,24 | 500-600 | |
SiC | 2,8-3,1 |
3.3.2 - , :
ρ = 1/neμ (3.1)
n - ;
- ;
μ - .
ρ=(10-6÷108)∙. , ( 3.4).
3.4
3.3.3 - , . μn μ,
σi = neμn + epμ = eni(μn + μ) (3.2)
n=p=ni.
, , .. ,
3.3.4 - , "e" (τ) ("e" - 2,72).
3.3.5 L, τ. τ L. , . τ L. τ 1 . 3.2.
3.3.6. .
5-7 , , , . .
ni pi- , ,
ni = pi = (NCNV)1/2e-ΔE/2KT (3.3)
NC NV - , , ; Δ- ; - ; - .
|
|
, .
. , 3.5.
3.5
N, , ni=pi- .
3.2 (=300)
- /³ | - -, | - - - - α106,-I | - ∆, | ,²/(.) | ||
- | - | |||||
Ge Si SiC GaP InP GaAs InAs InSb ZnS CdS ZnGe CdSe ZnTe CdTe | 5,43 2,33 3,22 4,07 4,78 5,32 5,67 5,78 4,09 4,82 5,42 5,81 6,34 5,86 | 1020* | 5,8 2,3 - 4,7 4,6 5,4 4,7 4,9 - 5,7 1,9 - 8,3 4,0 | 0,66 1,12 3,02 2,26 1,35 1,43 0,36 0,18 3,67 2,53 2,73 1,85 2,23 1,51 | 0,39 0,14 0,033 0,019 0,46 0,95 3,3 7,8 - 0,034 0,026 0,072 0,053 0,12 | 0,19 0,05 0,06 0,012 0,015 0,045 0,046 0,075 - 0,011 0,015 0,075 0,003 0,006 |
*