Лекции.Орг


Поиск:




Категории:

Астрономия
Биология
География
Другие языки
Интернет
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Механика
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Транспорт
Физика
Философия
Финансы
Химия
Экология
Экономика
Электроника

 

 

 

 


Варикап предназначен для работы при малых амплитудах колебаний




 

Есть еще один п/п прибор мало чем отличающийся от варикапа- варактор.

 

Варактор - диод с р-n переходом, имеющий существенно нелиней­ную характеристику суммарной емкости (барьер­ной и диффузионной), как функции напряжения.

 

Варактор предназначен для работы при боль­ших амплитудах колебаний, когда возможна ситуация, что одну часть периода колебаний p-n переход закрыт, другую - открыт.

Как было показано ранее, диод с p-n переходом обладает барьерной и диффузионной емкостями. Диффузионная емкость проявляется при прямом смещении диода, когда проводимость его велика и ве­лики потери мощности из-за относительно больших активных токов через диод.

 

!! В арикапы используют толь­ко при обратном постоянном смещении (и малом сигнале), когда проявляется только барьерная емкость.

 

!! Варакторы находятся поочередно в прямом и обратном включении под действием большой амплитуды сигнала (переменного).

Варактор используется в так называемых варакторных умножителях частоты

 

Зависимость емкости от напряжения смещения различна для варикапов, изготовленных методом диффузии или методом вплавления примесей.

 

В сплавных варикапах с резким р-n переходом зависимость барьерной емкости от напряжения смещения получается более резкая.

Рис. 7.6 Концентрация примесей и структура варикапа с малым сопротивлением базы

 

Сопротивление базы варикапа должно быть по возможности малым.

 

Одновременно для большего пробив­ного напряжения необходимо большее удельное сопротивление слоев базы, прилегающих к р-n переходу.

Поэтому, базу ва­рикапа делают состоящей из двух слоев (рис. 7.6). Основная часть базы n + должна быть низкоомной (подложка). Тонкий слой базы n, прилегающий к переходу, должен быть высокоомным.

 

Функциональная зависимость емкости варикапа от напряжения определяется профилем легирования базы варикапа. В случае однородного легирования емкость обратно пропорциональна корню из приложенного напряжения Uобр.

Задавая профиль легирования в базе варикапа ND(x), можно получить различные зависимости емкости варикапа от напряжения C(Uобр) - линейно убывающие, экспоненциально убывающие (рис. 7.7).

Рис. 7.7 Зависимости емкости варикапов от обратного напряжения

 

Пример: схема включения варикапа в колебательный контур

 

fк = 1/2p(Lк(Cк+Cв))0,5 (7.1)

 

Cбл , Cр > Cк ,Cв и U~ << Eсм

 

Рис. 7.8 Схема включения варикапа в колебательный контур

 

Параметры варикапа:

- номинальная емкость Сном при номинальном напряжении смещения (обычно Uсм = 4 В);

- максимальная Сmах и минимальная Сmin емкости;

- коэффициент перекрытия k = Cmax /Cmin;

- добротность Q, измеряемая как отношение реактивного сопротивления варикапа к полному сопротивлению потерь при температуре 200С;

- максимально допустимое напряжение Umах;

- и максимально допустимая мощность Рmах;

- ТКЕ, показывающий относительное изменение емкости на 10С.





Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2016-10-30; Мы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 494 | Нарушение авторских прав


Поиск на сайте:

Лучшие изречения:

Наука — это организованные знания, мудрость — это организованная жизнь. © Иммануил Кант
==> читать все изречения...

2280 - | 2077 -


© 2015-2024 lektsii.org - Контакты - Последнее добавление

Ген: 0.007 с.