А) основная
1. Электронные приборы. Под ред. Шишкина Г.Г. Учебник для ВУЗов-М: Энергоатомиздат, 1989.
2. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. Учебник для
ВУЗов. С-Перербург, 2001
3. В. И. Марголин, В. А. Жабрев, В. А. Тупик. Физические основы
микроэлектроники. Высшее профессиональное образование. Академия, 2008.
4. Епифанов Г.И., Мома Г.И. Твердотельная электроника-М.: Высшая школа,1986.
5. Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника.-М.: Высшая школа, 1991.
Б) дополнительная
1. Зи С. Физика полупроводниковых приборов.-М.:Мир,т.1 и 2,1984.
2. Батушев В.А Электронные приборы. М.: ВШ.1980.
3. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники.-М.:Сов.радио,1984.
4. Викулин И.М., Стафеев А.И. Физика полупроводниковых приборов.- М.:Высшая
школа,1990.
5. Бонч-Бруевич В.А., Калашников С.Г. Физика полупроводников.- М.:Наука,1977.
еще литература - сайт кафедры http://ifour.spb.ru/library/ курс Физические основы микроэлектроники
ВВЕДЕНИЕ
<Краткий энциклопедический словарь>
Основные определения
ЭЛЕКТРОНИКА - наука о взаимодействии электронов с электромагнитными полями и о методах создания электронных приборов (вакуумных, газоразрядных, полупроводниковых)
МИКРОЭЛЕКТРОНИКА – раздел электроники, МЭ связана с созданием электронных функциональных узлов в миниатюрном исполнении, Развивается на основе пп электроники в направлении повышения степени интеграции элементов.
РАДИОЭЛЕКТРОНИКА – собирательное название ряда областей науки и техники, связанных с передачей и преобразованием информации на основе использования радиочастотных электромагнитных колебаний или волн.
Одно из направлений радиоэлектронки – радиотехника
РАДИОТЕХНИКА - область техники, осуществляющая применение электромагнитных колебаний для передачи информации, радиосвязи, радиолокации и радионавигации.
РАДИОТЕХНИКА распадается на ряд областей:
- генерирование колебаний
- усиление колебаний
- преобразование колебаний
- антенная техника
- распространение радиоволн
- воспроизведение принятых сигналов
- техника управления, регулирования и контроля с использованием р.т методов (телеметрия)
П/П ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ (п/п ЭП)– устройства, работа которых основана на использовании электрических, тепловых, оптических, акустических явлений в твердом теле.
П/П ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ применяют в качестве элементов радиоэлектронной аппаратуры.
ОСНОВНЫЕ ЗАДАЧИ, решаемые с помощью п/п ЭП: усиление, генерация, передача, накопление, преобразование, хранение сигналов и пр.
Пример: некоторые типы электронных приборов:
- диоды,
-биполярные
- полевые транзисторы,
- тиристоры,
- фото и терморезисторыи,
- фототранзисторы и пр.
Пример:
- диоды: выпрямительные, генераторные, pin – диоды, стабилитроны, импульсные диоды и пр.;
- биполярные транзисторы: p-n-p, n-p-n;
- полевые транзисторы: с p-n переходом, МОП- транзисторы: с обогащенным и обедненным каналом и пр.
Из истории…
ЭЛЕКТРОНИКА, как область техники, возникла в начале ХХ века, главным образом вакуумная, на ее основе были созданы электровакуумные приборы.
40-е гг. ХХ века получила развитие твердотельная электроника, главным образом полупроводниковая, на ее основе были созданы целый класс проводниковых приборов.
60-е гг. ХХ века – расцвет микроэлектроники.
Полупроводниковые приборы в виде точечных диодов, или, как их раньше называли, кристаллические детекторы, применяли еще в первых электронных установках.
Выпрямительные свойства контактов между металлами и некоторыми сернистыми
соединениями были обнаружены еще в 1874 г. А. С. Поповым.
В 1895г. А. С. Поповым при изобретении радио был применен порошковый когерер, в
котором использовались нелинейные свойства зернистых систем.
В 1922г. О. В. Лосев использовал отрицательное дифференциальное сопротивление,
возникающее при определенных условиях на точечных контактах металла с
полупроводником, для генерации высокочастотных электрических колебаний. Кроме того,
им было обнаружено свечение кристаллов карбида кремния при прохождении тока через
точечные контакты.
С конца XIX в. и до середины XX в. успешно развивается техника электровакуумных приборов.
Из-за недостаточного знания строения полупроводников и происходивших в них электрофизических процессов полупроводниковые приборы не получили тогда существенного развития и применения.
Широкое и систематическое исследование свойств полупроводников было начато в 30-е годы XX в.
В этот период были разработаны основы физики полупроводников, открыты наиболее важные эффекты в полупроводниках, на основе которых работают современные полупроводниковые приборы.
При разработке теории выпрямления на границе двух полупроводников разного типа электропроводности (электронной и дырочной) Б. И. Давыдов в 1938 г. установил важную роль неосновных носителей заряда в образовании тока.
В 1940—1941 гг. В. К. Лошкаревым и его сотрудниками экспериментально была подтверждена диффузионная теория выпрямления на p-n переходе.
B начале 40-х гг. были разработаны точечные диоды для промышленного применения.
Пример: в 1942г. в СССР был организован выпуск полупроводниковых термоэлектрических генераторов для непосредственного преобразования тепловой энергии в электрическую. Термогенераторы использовались для питания переносных радиостанций в партизанских отрядах.
Создание и производство этих и многих других приборов в СССР стало возможным благодаря фундаментальным теоретическим и экспериментальным исследованиям свойств полупроводников, проведенным группой ученых под руководством академика А. Ф. Иоффе.
С 1948 г., американскими учеными Дж. Бардиным, У. Браттейном и У. Шокли создан точечный транзистор, начался новый этап развития полупроводниковой электроники.
У. Шокли разработал теорию плоскостного транзистора. В 1952 г. были созданы первые промышленные образцы плоскостных транзисторов, получивших в дальнейшем широкое распространение.
Тогда же У. Шокли предложил полевой транзистор с управляющим p—n переходом.
В 50-х годах были разработаны различные типы биполярных транзисторов, тиристоров, мощных выпрямительных диодов, фотодиодов, фототранзисторов, кремниевых фотоэлементов — солнечных батарей, туннельных диодов и других полупроводниковых приборов.
Принцип действия полевых транзисторов с изолированным затвором был предложен еще в 1926 г. Ю. Лилиенфельдом, но до окончательной разработки этих транзисторов потребовалось почти 30 лет исследований электрофизических процессов на границе полупроводника с диэлектриком и технологии получения необходимых структур.
Одновременно с разработкой приборов новых типов велись работы по совершенствованию технологических методов их изготовления.
В первой половине 50-х годов был разработан процесс диффузии примесей в полупроводниковые материалы, и в 1956 г. началось производство транзисторов с базой, полученной методом диффузии.
Важным достижением стало появление в начале 60-х годов планарного процесса. Выращивание изолирующего слоя диоксида кремния на поверхности кремниевой подложки и получение в нем топологического рисунка заданной конфигурации с применением процесса фотолитографии позволили осуществлять прецизионный контроль за размерами элементов полупроводниковой структуры.
В 1960 г. был разработан еще один из важнейших технологических процессов - эпитаксиальное наращивание слоев полупроводников требуемых толщины и электрических свойств на монокристаллической подложке.
Достижения полупроводниковой электр оники явились основой создания микроэлектроники.
В 1958—1959-годах появились интегральные микросхемы на кремнии, что означало появление нового направления полупроводниковой электроники — микроэлектроники.
В 1961—1962 гг. появились первые биполярные интегральные микросхемы, а
в 1964 г. — несложные интегральные микросхемы на полевых транзисторах.
С 1967 г. начался выпуск больших интегральных микросхем.
Удалось существенно уменьшить стоимость и повысить надежность устройств электронной техники, значительно уменьшить их массу и габариты путем формирования всех пассивных и активных элементов интегральных микросхем в едином технологическом процессе.
В 80-е годы прошлого столетия стремление к уменьшению размеров активных элементов электроники привело к зарождению еще одного направления — наноэлектроники. (или более правильно — наноразмерной электроника).
Уменьшение размеров активных элементов до нанометров вызвало появление новых физических явлений и, соответственно, возможностей использования этих явлений в новых приборах.
Развитие полупроводниковой электроники идет весьма интенсивно и в нашей стране, о чем свидетельствует присуждение в 2000 г. Нобелевской премии академику Ж. И.Алферову за исследование гетеропереходов, разработку технологий их формирования и за организацию производства полупроводниковых приборов на основе гетеропереходов.
I. ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
