Пусть транзистор включен по схеме ОЭ (рис. 2.5, б), и задан перепад базового тока 
. Тогда ток коллектора описывается функцией
,
где b(t) – переходная характеристика коэффициента усиления по току
в схеме ОЭ, имеющего установившееся (низкочастотное) значение
b = a/(1-a). Ток 
задает скорость нарастания положительного заряда в базе. При повышении потенциала базы отпирается эмиттерный переход (транзистор p-n-p типа). Начинается инжекция электронов, заряд которых поддерживает квазинейтральность базы, т.е. в первый момент времени, как и в схеме ОБ, имет место равенство 
но на уровне сравнительно малого базового тока (рис.2.5, б).
Через время задержки 
инжектированные носители начинают поступать в коллектор и появляется коллекторный ток. В схеме ОБ нарастание коллекторного тока сопровождалось уменьшением тока базы. Однако в схеме ОЭ базовый ток задан, поэтому возрастание коллекторного тока (связанное с уходом электронов из базы) вызывает дополнительное возрастание тока эмиттера, т.е. приток новых электронов, необходимых для поддержания квазинейтральноети базы. Такое совместное увеличение токов I к и 
продолжается до тех пор, пока в базе не накопится настолько большой избыточный заряд неосновных носителей (электронов), что скорость его рекомбинации 
уравновесит ток базы
. (2.17)
Так как 
есть постоянная времени экспоненциального переходного процесса, можно сделать следующий вывод: в схеме ОЭ постоянная времени равна времени жизни неосновных носителей
в базе
. (2.18)
Таким образом, если представить входную цепь транзистора эквивалентной RC -цепочкой, то видно, что достаточный для полного открывания транзистора заряд 
накапливается в базе (в емкости С) либо за счет эмиттерного тока (схема ОБ), либо за счет базового тока (схема ОЭ).
Выражения (2.11), (2.17) и (2.18) позволяют записать соотношение для основных параметоров:
. (2.19)
Взаимосвязь коэффициентов 
и 
можно было показать также с помощью их операторных изображений и формулы b = a/(1-a).
Полученный результат показывает, что большой коэффициент усиления b в схеме ОЭ достигается ценой ухудшения частотных свойств и быстродействия транзистора.
Для экспоненциальной формы тока i к(t) при t з << tb можно записать
.
Воспользовавшись преобразованием Фурье, имеем
где 
– верхняя граничная частота коэффициента b, на которой он снижается на 3 дБ (в 
раз) по сравнению с установившимся (низкочастотным) значением
Соответственно амплитудно- и фазочастотная характеристики име-ют вид:
(2.20)
. (2.21)
Поскольку коэффициент b весьма велик, усилительные свойства транзистора в схеме ОЭ сохраняются при частотах, значительно превышающих граничную частоту 
. При 
в выражении (2.20) можно пренебречь единицей, тогда
.
Таким образом, коэффициент усиления тока практически линейно снижается с повышением частоты и достигает единицы на некоторой частоте, называемой предельной:
.
С учетом выражения (2.19) предельная частота 
для схемы ОЭ практически совпадает с граничной частотой 
для схемы ОБ.
