Лекции.Орг


Поиск:




Категории:

Астрономия
Биология
География
Другие языки
Интернет
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Механика
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Транспорт
Физика
Философия
Финансы
Химия
Экология
Экономика
Электроника

 

 

 

 


Дифференциальные параметры диода




Дифференциальные параметры связывают между собой малые изменения вели­чин, определяющих работу диода. Ток в диоде является функцией двух независи­мых переменных — напряжения и и температуры T, поэтому дифференциал тока, то есть его приращение, имеет две составляющих;

Частные производные перед дифференциалами независимых переменных du и dT представляют собой дифференциальные параметры диода. Введем для них обо­значения:

дифференциальная крутизна вольт-амперной характеристики (пря­мая проводимость), мА/В;

дифференциальная температурная чувствительность тока диода,

Используя введенные обозначения, запишем соотношение (3.27) в виде

(3.28)

Если принять за независимые переменные ток i и температуру Т, то дифференци­ал напряжения можно представить в виде

(3.29)

В этом случае для дифференциальных параметров вводят обозначения:

— дифференциальное сопротивление диода, Ом;

— дифференциальная температурная чувствительность напряжения диода, мВ/°С.

Используя введенные обозначения, запишем соотношение (3.29) в виде

(3.30)

Переходя от бесконечно малых приращений к конечным, дифференциальные па­раметры можно определить по вольт-амперным характеристикам диода, снятым для двух значений температуры (рис. 3.7).

Дифференциальное сопротивление диода rд содержит две составляющих:

где rП — дифференциальное сопротивление р-п- перехода, зависящее от тока ди­ода;

r'6 дифференциальное сопротивление базы, зависящее от концентрации приме­си в базе.

Для нахождения сопротивления перехода продифференцируем уравнение вольт-амперной характеристики перехода:

Откуда получим:

(3.31)

Из (3.31) следует, что дифференциальное сопротивление р-n -перехода зависит от тока. С увеличением тока оно уменьшается. При Т = 300 К значение u равно 26 мВ. Следовательно, при токе i = 1 мА дифференциальное сопротивление р-n-перехода составляет 26 Ом.

Емкости диода

При рассмотрении процессов в р-n-переходе было установлено, что в самом переходе и в областях, прилегающих к переходу, существуют электрические заряды, которые изменяются при изменении подводимого к переходу напря­жения. Такое изменение зарядов воспринимается внешней цепью как электри­ческая емкость.

Барьерная емкость Сб характеризует изменение электрического заряда QПЕР внут­ри перехода вследствие изменения его ширины Д при изменении внешнего напря­жения и:

Полагая, что р-п- переход несимметричен и в нем находится отрицательный заряд акцепторов, можно записать:

Учитывая, что , получаем:

(3.32)

Умножаем числитель и знаменатель дроби на εε0 и, учитывая, что , получаем:

Ширина перехода Δ зависит от внешнего напряжения. При и = 0 величина Δ = Δ0, Сб = С. Если к переходу приложить обратное напряжение, то переход расши­рится и, соответственно, емкость уменьшится:

(3.33)

Соотношение (3.33) справедливо для резкого перехода. Если переход плавный, то барьерная емкость обратно пропорциональна не квадратному, а кубическому корню.

Диффузионная емкость СД характеризует изменение избыточного заряда, накап­ливаемого в областях, прилегающих к р-n-переходу, при изменении подводимого к переходу напряжения:

Концентрация примеси в эмиттере во много раз больше, чем в базе, поэтому в базу инжектируется больше неосновных носителей заряда, чем в эмиттер, и диффузи­онная емкость обусловлена только накоплением заряда в базе. Полагая, что база диода электронная, и учитывая, что в нее инжектируются дырки, концентрация которых уменьшается по мере удаления от перехода по экспоненциальному зако­ну, значение избыточного заряда можно определить, интегрируя изменение из­быточной концентрации по всей длине базы:

(3.34)

Учитывая соотношение (1.94), получаем:

В результате дифференцирования имеем:

(3.35)

Умножая числитель и знаменатель дроби на τp, получаем:

Учитывая, что ток диода равен , получаем:

(3.36)

Таким образом, диффузионная емкость прямо пропорциональна току.

При узкой базе диода избыточный заряд изменяется по линейному закону

Дифференцируя, получаем:

(3.37)

Умножим числитель и знаменатель дроби на Wб*Dр:

Учитывая, что ток диода , получаем:

(3.38)

Из соотношений (3.36) и (3.38) следует, что диффузионная емкость прямо про­порциональна току.





Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2016-10-30; Мы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 1912 | Нарушение авторских прав


Поиск на сайте:

Лучшие изречения:

Настоящая ответственность бывает только личной. © Фазиль Искандер
==> читать все изречения...

2340 - | 2065 -


© 2015-2024 lektsii.org - Контакты - Последнее добавление

Ген: 0.012 с.