Дифференциальные параметры связывают между собой малые изменения величин, определяющих работу диода. Ток в диоде является функцией двух независимых переменных — напряжения и и температуры T, поэтому дифференциал тока, то есть его приращение, имеет две составляющих;
Частные производные перед дифференциалами независимых переменных du и dT представляют собой дифференциальные параметры диода. Введем для них обозначения:
□ дифференциальная крутизна вольт-амперной характеристики (прямая проводимость), мА/В;
□ дифференциальная температурная чувствительность тока диода,
Используя введенные обозначения, запишем соотношение (3.27) в виде
(3.28)
Если принять за независимые переменные ток i и температуру Т, то дифференциал напряжения можно представить в виде
(3.29)
В этом случае для дифференциальных параметров вводят обозначения:
□ — дифференциальное сопротивление диода, Ом;
□ — дифференциальная температурная чувствительность напряжения диода, мВ/°С.
Используя введенные обозначения, запишем соотношение (3.29) в виде
(3.30)
Переходя от бесконечно малых приращений к конечным, дифференциальные параметры можно определить по вольт-амперным характеристикам диода, снятым для двух значений температуры (рис. 3.7).
Дифференциальное сопротивление диода rд содержит две составляющих:
где rП — дифференциальное сопротивление р-п- перехода, зависящее от тока диода;
r'6 — дифференциальное сопротивление базы, зависящее от концентрации примеси в базе.
Для нахождения сопротивления перехода продифференцируем уравнение вольт-амперной характеристики перехода:
Откуда получим:
(3.31)
Из (3.31) следует, что дифференциальное сопротивление р-n -перехода зависит от тока. С увеличением тока оно уменьшается. При Т = 300 К значение u равно 26 мВ. Следовательно, при токе i = 1 мА дифференциальное сопротивление р-n-перехода составляет 26 Ом.
Емкости диода
При рассмотрении процессов в р-n-переходе было установлено, что в самом переходе и в областях, прилегающих к переходу, существуют электрические заряды, которые изменяются при изменении подводимого к переходу напряжения. Такое изменение зарядов воспринимается внешней цепью как электрическая емкость.
Барьерная емкость Сб характеризует изменение электрического заряда QПЕР внутри перехода вследствие изменения его ширины Д при изменении внешнего напряжения и:
Полагая, что р-п- переход несимметричен и в нем находится отрицательный заряд акцепторов, можно записать:
Учитывая, что , получаем:
(3.32)
Умножаем числитель и знаменатель дроби на εε0 и, учитывая, что , получаем:
Ширина перехода Δ зависит от внешнего напряжения. При и = 0 величина Δ = Δ0, Сб = С0б. Если к переходу приложить обратное напряжение, то переход расширится и, соответственно, емкость уменьшится:
(3.33)
Соотношение (3.33) справедливо для резкого перехода. Если переход плавный, то барьерная емкость обратно пропорциональна не квадратному, а кубическому корню.
Диффузионная емкость СД характеризует изменение избыточного заряда, накапливаемого в областях, прилегающих к р-n-переходу, при изменении подводимого к переходу напряжения:
Концентрация примеси в эмиттере во много раз больше, чем в базе, поэтому в базу инжектируется больше неосновных носителей заряда, чем в эмиттер, и диффузионная емкость обусловлена только накоплением заряда в базе. Полагая, что база диода электронная, и учитывая, что в нее инжектируются дырки, концентрация которых уменьшается по мере удаления от перехода по экспоненциальному закону, значение избыточного заряда можно определить, интегрируя изменение избыточной концентрации по всей длине базы:
(3.34)
Учитывая соотношение (1.94), получаем:
В результате дифференцирования имеем:
(3.35)
Умножая числитель и знаменатель дроби на τp, получаем:
Учитывая, что ток диода равен , получаем:
(3.36)
Таким образом, диффузионная емкость прямо пропорциональна току.
При узкой базе диода избыточный заряд изменяется по линейному закону
Дифференцируя, получаем:
(3.37)
Умножим числитель и знаменатель дроби на Wб*Dр:
Учитывая, что ток диода , получаем:
(3.38)
Из соотношений (3.36) и (3.38) следует, что диффузионная емкость прямо пропорциональна току.