Статические характеристики транзистора

Статические характеристики транзистора отражают зависимость между токами и напряжениями на его входе и выходе.

Для схемы с общим эмиттером (эта схема встречается чаще других) статической входной характеристикой является график зависимости тока базы I_Б от напряжения при постоянном значении напряжении коллектора:

Выходные характеристики транзистора для схемы с общим эмиттером представляют собой зависимости тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером при постоянном токе базы:

Типичные входные и выходные статические характеристики транзистора для схемы с общим эмиттером показаны на рисунке 33. Она имеет вид обычной характеристики прямого тока р–п перехода, на которую оказывает влияние напряжение на коллекторе. Из рисунка 33 видно, что с ростом напряжения U_кэ ток I_б уменьшается. Это объясняется тем, что при увеличении U_кэ растет напряжение, приложенное к коллекторному переходу в обратном направлении, переход расширяется, захватывая часть базы и, соответственно, уменьшается вероятность рекомбинации носителей заряда в ней (в соответствии с формулой, рассмотренной выше ток рекомбинации является частью тока базы).

Рисунок 33 Статические характеристики транзистора для схемы ОЭ: входные - слева; справа– выходные

Выходные характеристики имеют начальный участок быстрого роста, нелинейную зону, переходящую в область насыщения.

Полевые транзисторы