Статические характеристики транзистора отражают зависимость между токами и напряжениями на его входе и выходе.
Для схемы с общим эмиттером (эта схема встречается чаще других) статической входной характеристикой является график зависимости тока базы IБ от напряжения при постоянном значении напряжении коллектора:
Выходные характеристики транзистора для схемы с общим эмиттером представляют собой зависимости тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером при постоянном токе базы:
Типичные входные и выходные статические характеристики транзистора для схемы с общим эмиттером показаны на рисунке 33. Она имеет вид обычной характеристики прямого тока р–п перехода, на которую оказывает влияние напряжение на коллекторе. Из рисунка 33 видно, что с ростом напряжения Uкэ ток Iб уменьшается. Это объясняется тем, что при увеличении Uкэ растет напряжение, приложенное к коллекторному переходу в обратном направлении, переход расширяется, захватывая часть базы и, соответственно, уменьшается вероятность рекомбинации носителей заряда в ней (в соответствии с формулой, рассмотренной выше 
ток рекомбинации является частью тока базы).
Рисунок 33 Статические характеристики транзистора для схемы ОЭ: входные - слева; справа– выходные
Выходные характеристики имеют начальный участок быстрого роста, нелинейную зону, переходящую в область насыщения.
Полевые транзисторы
К классу полевых относят транзисторы, принцип действия которых основан на использовании носителей заряда только одного знака (электронов или дырок). Управление током в полевых транзисторах осуществляется изменением проводимости канала под воздействием электрического поля. Каналом полевого транзистора называют область в полупроводнике, в которой ток основных носителей заряда регулируется изменением ее поперечного сечения. Вследствие этого транзисторы называют полевыми. Управляющий электрод полевого транзистора называют затвором.
По способу создания канала различают полевые транзисторы с затвором в виде
· управляющего р-n- перехода и
· с изолированным затвором (МДП транзисторы структуры м еталл- д иэлектрик- п олупроводник, или другое название МОП транзисторы структуры металл-окисел-полупроводник). Транзисторы МДП и МОП структуры могут быть:
· со встроенным каналом
· и индуцированным каналом.
В зависимости от проводимости канала полевые транзисторы делятся на: полевые транзисторы с каналом р- типа и n- типа. Канал р- типа обладает дырочной проводимостью, а n- типа – электронной.
