Зразок оформлення переліку елементів

Поз. позначення	Найменування	Кіл.	Примітка
	Конденсатори
С1	К73-11-160 В – 1,0 мкФ ± 10%
С2, С3	К50-29-63 В – 1000 мкФ ± 20%
	Аналогові мікросхеми
DA1	К140УД6
DA2, DA3	К140УД14
	Резистори
R1	МЛТ-0,5 – 300 кОм ± 5%
R2	С2-33Н-0,25 – 4,7 кОм ± 5%
R3, R4	МЛТ-0,25 – 2,2 кОм ± 5%
	Транзистори
VT1	КТ3102Е
VT2…VT4	КТ815В

Елементи записують в перелік групами у алфавітному порядку буквених позиційних позначень. В межах кожної групи, яка має однакові буквені позначення, елементи розташовують у порядку збільшення їх номерів. Елементи одного типу з однаковими електричними параметрами, які мають на схемі послідовні порядкові номера, допускається записувати до переліку в одну строку. В цьому випадку у графі «Поз. позначення» записуються тільки позиційні позначення з найменшим та найбільшим порядковими номерами, наприклад: R 3… R 5, C 8… C 12, а у графі «Кіл.» – загальна кількість таких елементів. В табл. 6 наведений зразок оформлення переліку елементів.

БІБЛІОГРАФІЧНИЙ СПИСОК

1. Разработка и оформление конструкторской документации радиоэлектронной аппаратуры [Текст]: справочник / под ред. Э. Т. Романычевой. – М.: Радио и связь, 1989. – 448 с.

2. Каллер, М. Я. Теоретические основы транспортной связи [Текст] / М. Я. Каллер, А. Ф. Фомин. – М.: Транспорт, 1989. – 383 с.

3. Федоров, Н. Е. Современные системы автоблокировки с тональными рельсовыми цепями [Текст] / Н. Е. Федоров. – Самара: СамГАПС, 2004. – 132 с.

4. Лавриненко, В. Ю. Справочник по полупроводниковым приборам [Текст] / В. Ю. Лавриненко. – К.: Техніка, 1984. – 424 с.

5. Транзисторы для аппаратуры широкого применения [Текст]: Справочник / под ред. Б. Л. Перельмана. – М.: Радио и связь, 1981. – 656 с.

6. Терещук, Р. М. Полупроводниковые приемно-усилительные устройства [Текст]: справочник радиолюбителя / Р. М. Терещук, К. М. Терещук, С. А. Седов. – К.: Наук. думка, 1987. – 800 с.

7. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы [Текст]: справочник / под ред. С. В. Якубовского. – М.: Радио и связь, 1990. – 496 с.

8. Нестеренко, Б. К. Интегральные операционные усилители [Текст] / Б. К. Нестеренко. – М.: Энергоатомиздат, 1982. – 128 с.

9. Джонсон, Д. Справочник по активным фильтрам [Текст]: пер. с англ. / Д. Джонсон, Дж. Джонсон, Г. Мур. – М.: Энергоатомиздат, 1983. – 128 с.

10. Гутников, В. С. Интегральная электроника в измерительных устройствах [Текст] / В. С. Гутников. – Л.: Энергоатомиздат, 1988. – 304 с.

11. Колонтаєвський, Ю. П. Промислова електроніка та мікросхемотехніка [Текст] / Ю. П. Колонтаєвський, А. Г. Сосков. – К.: Каравела, 2003. – 368 с.

12. Шило, В. Л. Популярные цифровые микросхемы [Текст]: справочник / В. Л. Шило. – М.: Радио и связь, 1987. – 352 с.

Додаток А

ПАРАМЕТРИ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ПРИЛАДІВ

Таблиця А.1

Параметри біполярних транзисторів

Тип транзистора	f _гр, МГц	h ₂₁_е	U _к_{е нас}, В	U _б_{е нас}, В	U _к_{е доп}, В	I _{к доп}, мА	P _{к доп}, мВт
	Транзистори n-p-n
КТ312А		10-100	0,8	1,1
КТ312Б		25-100
КТ312В		50-280
КТ315А		20-90	0,4	1,1
КТ315Б	50-350
КТ315В	20-90
КТ315Г	50-350
КТ315Д	20-90
КТ315Е	50-350
КТ3102А	–	100-250	–	–
КТ3102Б	200-500
КТ3102В	200-500
КТ3102Г	400-1000
КТ3102Д	200-500
КТ3102Е	400-1000
КТ815А		³40	0,6	–		1,5×10³	10×10³
КТ815Б	³40
КТ815В	³40
КТ815Г	³30
КТ817А		³20		–		3×10³	20×10³
КТ817Б	³20
КТ817В	³20
КТ817Г	³15
КТ819А		³15		–		10×10³	60×10³
КТ819Б	³20
КТ819В	³15
КТ819Г	³12
	Транзистори p-n-p
КТ209А	–	20-60	0,4	1,5
КТ209Б	40-120
КТ209В	80-240
КТ209Г	20-60
КТ361А		20-90	0,4	–
КТ361Б	50-350	0,4
КТ361В	20-90	0,4
КТ361Г	50-350	0,4
КТ361Д	20-90
КТ361Е	50-350
КТ3107А		70-140	0,2	0,8
КТ3107Б	120-220
КТ3107В	70-140
КТ3107Г	120-220
КТ3107Д	180-460
КТ3107Е	120-220
КТ814А		³40	0,6	–		1,5×10³	10×10³
КТ814Б	³40
КТ814В	³40
КТ814Г	³30
КТ816А		³20		–		3×10³	20×10³
КТ816Б	³20
КТ816В	³20
КТ816Г	³15
КТ818А		³15		–		10×10³	60×10³
КТ818Б	³20
КТ818В	³15
КТ818Г	³12

Примітка: f _гр – гранична частота коефіцієнту передачі за струмом; h ₂₁_е – коефіцієнт передачі за струмом в схемі із загальним емітером; U _к_{е нас} – напруга насичення колектор-емітер; U _б_{е нас} – напруга насичення база-емітер; U _к_{е доп} – допустима напруга колектор-емітер; I _{к доп} – допустимий струм колектора; P _{к доп} – допустима потужність розсіювання на колекторі.

Таблиця А.2

Параметри напівпровідникових діодів

Тип діода	t _вос, нс	С _{д макс}, пФ	U _{звор макс}, В	I _{пр макс}, мА	I _пр_{і макс}, мА
Д220А
Д220Б
КД503А
КД503Б
КД509А
КД510А
КД512А
КД520А
КД522А
КД522Б

Примітка: t _вос – час відновлення зворотного опору діода; С _{д макс} – загальна ємність діода; U _{звор макс} – максимально допустима зворотна напруга; I _{пр макс} – максимально допустимий прямий струм; I _пр_{і макс} – максимально допустимий прямий імпульсний струм.

Таблиця А.3