Типы транзисторов и система их обозначений

Встречаются транзисторы (биполярные), которые имеют старую, введенную до 1964 г. систему обозначений. По старой системе в обозначение транзистора входит буква П и цифровой номер. По номеру транзистора можно определить, для каких каскадов радиоэлектронной конструкции он разработан. Если перед буквой П стоит буква М, то это значит, что корпус транзистора холодносварочной конструкции. Расшифровка типов транзисторов по номеру следующая:

 

Низкочастотные (до 5 МГц):

· 1...100 — германиевые малой мощности, до 0,25 Вт;

· 101...201 — кремниевые до 0,25 Вт;

· 201...300 — германиевые большой мощности, более 0,25 Вт;

· 301...400 — кремниевые более 0,25 Вт.

·

Высокочастотные (свыше 5 МГц):

· 401...500 — германиевые до 0,25 Вт;

· 501...600 — кремниевые до 0,25 Вт;

· 601...700 — германиевые более 0,25 Вт;

· 701...800 — кремниевые более 0,25 Вт.

 

В новой системе обозначений используется буквенно-цифровой шифр, который состоит из 5 элементов:

1 -й элемент системы обозначает исходный материал, на основе которого изготовлен транзистор и его содержание не отличается от системы обозначения диодов, то есть Г или 1 — германий, К или 2 — кремний, А или 3 — арсенид галлия, И или 4 — индий.

2 -й элемент — буква Т (биполярный) или П (полевой).

3 -й элемент — цифра, указывающая на функциональные возможности транзистора по допустимой рассеиваемой мощности и частотным свойствам.

Транзисторы малой мощности, Рmах < 0,3 Вт:

· 1 — маломощный низкочастотный, Гф< 3 МГц;

· 2 — маломощный среднечастотный, 3 < frp< 30 МГц;

· 3 — маломощный высокочастотный, 30 < fгр< 300 МГц.

Транзисторы средней мощности, 0,3 < Рmах <1,5 Вт:

· 4 — средней мощности низкочастотный;

· 5 — средней мощности среднечастотный;

· 6 — средней мощности высокочастотный.

Транзисторы большой мощности, Рmах >1,5 Вт:

· 7 — большой мощности низкочастотный;

· 8 — большой мощности среднечастотный;

· 9 — большой мощности высокочастотный и сверхвысокочастотный

(frp > 300 Гц).

4 -й элемент — цифры от 01 до 99, указывающие порядковый номер разработки.

5 -й элемент — одна из букв от А до Я, обозначающая деление технологического типа приборов на группы

 

Тиристоры

Тиристором называют полупроводниковый прибор, имеющий три или более p-n переходов, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот.

В зависимости от числа выводов, могут быть изготовлены два типа тиристоров: диодные, называемые динисторами, и триодные, называемые тринисторами.

Симметричным тиристором, или симистором, называют тиристор, который переключается из закрытого состояния в открытое как в прямом, так и в обратном направлении.

Симметричные тиристоры разделяют на диодные и триодные.

Диодныйсимметричныйтиристор(диак) включается при достижении как в прямом, так и в обратном направлениях определенного значения напряжения между основными выводами, равного напряжению переключения.

Триодныйсимметричныйтиристор(триак) включается как в прямом, так и в обратном направлениях при подаче сигнала на его управляющий электрод.

 

Система условных обозначений многослойных переключающихся приборов.

Маркировка этих приборов соответствует маркировке диодов

Буквенно-цифровая система обозначения тиристоров такая же, как для диодов. Первый элемент - буква К (кремниевый). Второй элемент - буква Н

для динисторов (неуправляемый), У - для тринисторов и симисторов (управляемый). Третий элемент - трехзначное число, обозначающее назначение и порядковый номер разработки:

тиристоры малой мощности от 101 до 199; тиристоры средней мощности от 201 до 299; симисторы малой мощности от 501 до 599; симисторы средней мощности от 601 до 699.

Четвертый элемент - буква, обозначающая группу по параметрам. Например:

КН102Б - кремниевый динистор малой мощности, номер разработки 02, группа Б по параметрам (по справочнику для групп от А до И напряжение переключения от 20 до 150 В);

КУ201И - кремниевый тиристор средней мощности, номер разработки

01, группа И;

 

 

Интегральные микросхемы

Все выпускаемые интегральные микросхемы в соответствии с принятой системой условных обозначений по конструктивно- технологическому исполнению подразделяют на три группы: полупроводниковые, гибридные и прочие. К последней группе относят пленочные ИМС, которые в настоящее время выпускаются в ограниченном количестве, а также вакуумные и керамические ИМС. Этим группам в системе условных обозначений присвоены следующие цифры: 1, 5, 7 — ИМС полупроводниковые (7 — бескорпусные полупроводниковые ИМС); 2, 4, 6, 8 — ИМС гибридные; 3 — ИМС прочие.

По характеру выполняемых функций в радиоэлектронной аппаратуре ИМС подразделяют на подгруппы (например, генераторы, усилители, модуляторы, триггеры) и виды (например, преобразователи частоты, фазы,

напряжения). Классификация интегральных микросхем по функциональ- ному назначению приведена в табл. 3.