Система условных обозначений полупроводниковых диодов

Систему обозначений полупроводниковых приборов, состоящую из букв и цифр, устанавливает ГОСТ 10862-72. По этой системе обозначение диода содержит четыре элемента.

ПЕРВЫЙ ЭЛЕМЕНТ - буква или цифра, обозначающая исходный материал: Г или 1

- германий и его соединения, К или 2 - кремний и его соединения, А или 3 - арсенид галлия и другие соединения галлия. Цифры используют для приборов специального назначения.

ВТОРОЙ ЭЛЕМЕНТ - буква, указывающая класс прибора но структуре и на- значению; Д - выпрямительные, детекторные и импульсные диоды, Ц - вы- прямительные столбы и блоки, С - стабилитроны и стабисторы, А - СВЧ-диоды, И -

туннельные диоды, В – вари-

капы и т. д.

ТРЕТИЙ ЭЛЕМЕНТ - трехзначное число, первая цифра которого указывает группу по качественным свойствам, две следующие порядковый номер разработки, а для стабилитронов - напряжение стабилизации. В справочниках приводятся таблицы этих групп по сотням.

Например, для выпрямительных диодов малой мощности (на токи до 0,3 А)

третий элемент - число от 101 до 199; средней мощности (на токи от 0,3 до 10 А) - от 201 до 299; выпрямительных блоков и столбов малой мощности от 301 до 399; средней мощности

- от 401 до 499. Для импульсных диодов первая цифра характеризует время обратного восстановления: при tвос..обр> > 150 нс третий элемент - от 501 до 599, при 30< tвос..обр < 150 нс - от 601 до 699, при 5< tвос..обр < 30 нс - от 701 до 799, при 1 < tвос..обр <5 нс

от 801 до 899, при tвос..обр < 1 нс - от 901 до 999.

Для туннельных диодов, СВЧ-диодов и варикапов первая цифра

третьего элемента определяет их назначение. Например, туннельные диоды усилительные имеют третий элемент от 101 до 199, генераторные - от 201 до 299 и т. д.; СВЧ-диоды смесительные - от 101 до 199, детекторные - от 201 до 299 и т. д.; варикапы подстроечные - от 101 до 199.

Рис.5 Конструкция кремниевых диодов малой (а) и средней (б) мощности и их внешний вид (в, г); мощный диод ВК-50 с радиатором охлаждения (д); 1-внешний вывод анода; 2-трубка; 3-стеклянный изолятор; 4-корпус; 5-внутренний вывод анода; 6-алюминий; 7- кристалл кремния n-типа; 8 - кристаллодержатель; 9 - внешний вывод катода; 10 - теплоотводящее основание

-диод, общее обозначение

-диод обращенный

-диод туннельный

-варикап

-стабилитрон

 

Третий элемент обозначения стабилитронов также представляет трехзначное число и дается в справочниках по сотням в зависимости от мощности и напряжения стабилизации. Первая цифра при малой мощности (до 0,3 Вт), с напряжением стабилизации до 1 0 В - 1, от 10 до 99 В - 2, от

100 до 199 В - 3; при средней мощности (от 0,3 до 5 Вт) аналогично три группы в зависимости от напряжения стабилизации с первой цифрой, соответственно, 4, 5, 6; при большой мощности (более 5 Вт) - 7, 8, 9.

Следующие две цифры от 01 до 99 обозначают: при напряжении стабилизации до 10В - увеличенное в 10 раз напряжение стабилизации, от 10 до 99 В - номинальное напряжение стабилизации, от 100 до 199 В -

уменьшенное на 100 номинальное напряжение стабилизации.

ЧЕТВЕРТЫЙ ЭЛЕМЕНТ - буква, указывающая разновидность типа из данной группы приборов по значениям параметров; для стабилитронов - очередность разработки.

 

Транзисторы

Биполярным транзистором называют полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими p-n переходами и тремя выводами. Он имеет трехслойную структуру, состоящую из чередующихся с различными типами электропроводности: p-n-p и n-p-n (рис. 7)

 

 

а б

Рис.7 Трехслойные структуры и условные графические обозначения транзисторов типа p-n-p (а) и n-p-n (б)

 

Полевым транзистором называют полупроводниковый прибор, обладающий усилительными свойствами, которые обусловлены потоком основных носителей заряда, протекающим через проводящий канал и управляемым поперечным электрическим полем.

 

Различают два основных вида:

- с управляющим p-n переходом;

- с изолированным затвором (МДП-транзисторы), которые в зависимости от технологии изготовления различают на две разновидности: со встроенным каналом и с индуцированным каналом.

а) - МДП транзистор со встроенным каналом;

б) - МДП транзистор с индуцированным каналом;

1 - с каналом n-типа; 2 - с каналом р-типа; 3 - с каналом n-типа и выводом от подложки; 4 - с каналом р-типа и выводом от

подложки

в) – с управляемым p-n переходом.

• 1 - с каналом n-типа; 2 - с каналом р-тип