Лекции.Орг


Поиск:




Категории:

Астрономия
Биология
География
Другие языки
Интернет
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Механика
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Транспорт
Физика
Философия
Финансы
Химия
Экология
Экономика
Электроника

 

 

 

 


Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия. Образование контактной разности потенциалов. Энергетическая диаграмма. Ширина запирающего слоя




Рассмотрим явления, происходящие при контакте ПП p- и n- типов, в которых равновесная концентрация дырок в р-области рр0 значительно превышает их равновесную конц. в n- области pn0, т.е.рр0>>pn0. Аналогичное условие выполняется и для электронов: nn0>>np0(рис.1,а.б). Вследствие возникновения градиента конц. для одноименных подвижных носителей заряда на границе между p- и n- областями происх. Их диффузионное перемещение(дырки диффундируют в n-обл., а электроны в р-обл.). Ток диффузии содержит 2 составляющие и направлен из р-обл. в n-обл.(направление тока совпад. с направлением движения положит. зарядов). В результате диффузии дырок в р-области на границе с n-обл. остаются нескомпенсированные заряды отрицательных ионов(акцепторов). Диффузия электронов из n-обл. в p-обл. приводит к образованию в n-области на границе с р-обл. нескомпенсированного заряда положит. ионов(доноров)(рис.1,в).Поскольку ионы примесных атомов прочно связаны с атомами основного ПП, т.е. являются неподвижными, то между положит. и отриц. зарядами, образованными на границе контакта ПП, возникает эл. поле, называемое диффузионным. Вектор напряжённости диффузионного поля Едиф направлен из n-обл. в р-обл. Появление диффузионного поля препятствует дальнейшей диффузии основных носителей заряда и приводит к уменьшению тока диффузии. В то же время диффузионное эл. поле вызывает дрейф через границу p- и n- областей неосновных носителей заряда. Возникает дрейфовый ток, содержащий также 2 составляющие(электр. и дыр.) и направленный из n-обл. в p-обл. В установившемся режиме результирующий ток через ПП, не подключённый к электрич. цепи, равен 0,т.е. jдр+jдиф=0 (2.21) Переходный слой между областями ПП с различными электропроводностями, в котором сущ. диффузионное эл. поле, наз. электронно-дырочным переходом (ЭДП), или p-n-переходом. Заряды положительных и отрицательных ионов, созданных на границе p- и n- областей в результате диффузии осн. носителей, приводят к появлению между p- и n- обл. контактной разности потенциалов UK (рис. 1,г). Если потенциал металлургической границы p-и n-областей принять за 0, то потенциал p-обл.=-UK/2, а n-обл=+UK/2. Поскольку потенц. энергия электрона и потенциал связаны W=-qU, то отрицательный объёмный заряд p-области вызывает повышение энергетических уровней p-области и понижение энерг. уровней n-обл.. Смещение энерг. уровней происходит до тех пор, пока не совпадут уровни Ферми p- и n- обл.(рис 1,д). При этом на границе раздела Wфр=Wфn=Wi. Это означает, что в плоскости раздела p- и n-областей ПП обладает собственной электропроводностью и имеет по сравнению с другими областями повышенное сопротивление. По этой причине эту обл. наз запирающим слоем, или областью объёмного заряда. Совпадение уровней Ферми p- и n- областей соответствует установлению термодин. равновесия в ПП и возникновению между ними потенциального барьера UK для диффузионного перемещения через ЭДП электронов n-области и дырок p-области. Из рис.1,д следует qUK=(Wi-Wфр)+(Wфn-Wi) (2.22) Из (2.4) и(2.7) имеем: Wфn-Wi=kTln(nn0/ni), Wi-Wфр=kTln(pp0/ni). Тогда qUK= kTln(pp0/ni)+ kTln(nn0/ni). Обозначив YT=kT/q, получим UK=YTln(pp0*nn0/ni^2) (2.23) YT наз. температурным потенциалом. При комнатной температуре YT 0,026 В. Учитывая (2.10), уравнение (2.23) можно привести к виду UK=YTln(pp0/pn0)=YTln(nn0/np0) (2.24), из которого следует, что контактная разность потенциалов зависит от отношения концентраций подв. носителей заряда одного знака в p- и n- областях. Помимо конт. разн. потенциалов другим важным параметром ЭДП явл. его ширина = p+ n (см. рис.1,а). Установлено, что n/ p=NA/NД, (2.25) т.е. ширина слоёв объёмных зарядов в n- и p- областях обратно пропорциональна концентрациям примесей в этих областях и в несимметричном переходе(NA NД) запирающий слой расширяется в область с меньшей концентрацией примесей. Ширина запирающего слоя может быть выражена через концентрации примесей и контактную разность потенциалов: = n+ р= 0(NA+N)UK/qNANД, (2.26) где 0=8,85^.10^-12 Ф/м-электрич. постоянная; -относительная диэлектрическая проницаемость. Для германия =16,3, для кремния =11,7. Уравнение (2.26) показывает, что увеличение концентраций примесей уменьшает ширину области объёмного заряда, а уменьшение - расширяет её. Этот фактор используется для придания ПП приборам необходимых свойств. Рис. 1

 


 





Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2016-11-03; Мы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 689 | Нарушение авторских прав


Поиск на сайте:

Лучшие изречения:

Бутерброд по-студенчески - кусок черного хлеба, а на него кусок белого. © Неизвестно
==> читать все изречения...

2407 - | 2329 -


© 2015-2024 lektsii.org - Контакты - Последнее добавление

Ген: 0.009 с.