Методические указания для обучающихся по освоению дисциплины

КОНСПЕКТ ЛЕКЦИЙ

 

Тема 2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

1. Краткие сведения из физики полупроводников.

Принцип работы диода

 

Полупроводниковые вещества имеют кристаллическую структуру. Во всех твердых веществах атомы неподвижны, т.к. закреплены в узлах кристаллической решетки.

К таким веществам относятся четырехвалентные полупроводниковые элементы: германий Ge, кремний Si, селен Se и некоторые химические соединения (например, арсенид галия GaAs). Полупроводники, которые не содержат чужеродных атомов, называются беспримесными или собственными полупроводниками. В собственных полупроводниках при комнатной температуре под действием тепла возможна очень малая проводимость этих материалов (т.к. создается и поддерживается относительно невысокая, взаиморавная концентрация электронов проводимости и дырок; концентрация – это количество зарядов в единице объема).

Дырка – это место в кристаллической решетке полупроводника, где недостает электрона.

Чтобы полупроводниковый элемент был пригоден для создания электронного устройства, в него необходимо добавить примесь. Введением в полупроводник соответствующей примеси, т.е. легированием, можно резко увеличить его электропроводность. Примесь обычно вводят с концентрацией N=10¹⁴-10¹⁷ см³, что существенно превышает концентрацию электронов и дырок проводимости в собственном полупроводнике. При такой концентрации примеси один примесный атом приходится на 10⁶-10⁸ атомов основного вещества, содержащего в 1 см³ около 10²³ атомов. Т.е. примеси составляют примерно 1/10 млн долю вещества.

Существует два типа полупроводников c примесями: n–типа и p–типа. Для получения полупроводника n–типа в него добавляют пятивалентный химический элемент, например мышьяк As, фосфор Р, сурьму Sb и т.д. При этом пятивалентные атомы примеси, располагаясь в узлах кристаллической решетки основного вещества, обеспечивают (насыщают) четыре валентные связи, пятый же валентный электрон, являясь лишним в структуре ковалентных связей кристалла, оказываются относительно слабо связанным с соответствующим узлом. Поэтому под действием тепла этот электрон примесного атома отрывается от него и становится электроном проводимости, а сам пятивалентный атом превращается в положительно заряженный ион, который из-за сильных валентных связей с соседними атомами не может свободно перемещаться по кристаллу и быть переносчиком электрического заряда. Положительный ион – это атом, потерявший электрон. Однако, в целом кристалл остается нейтральным, так как положительно заряженные ионы полностью уравновешиваются отрицательными зарядами электронов проводимости.

Такая примесь называется донорной. При введении такой примеси концентрация электронов проводимости в кристалле возрастает и его электропроводность приобретает электронный характер (электропроводность n-типа). В обычных температурных условиях практически все примесные атомы ионизируются, поэтому в равновесном состоянии полупроводника концентрация электронов проводимости примерно равна концентрации примеси.

Наряду с ионизацией доноров, поставляющих электроны проводимости, в кристалле происходит термогенерация пар носителей зарядов: электронов проводимости и дырок. Но дырки в среде с повышенной концентрацией электронов проводимости интенсивно рекомбинируют с ними, поэтому их время жизни, а соответственно и их концентрация оказываются много меньше, чем в собственном полупроводнике.

Электроны проводимости в полупроводнике n-типа принято называть основными носителями заряда, а дырки – неосновными носителями заряда.

Если в качестве примеси взять трехвалентный химический элемент, например индий In, галлий Ga, алюминий Al, бор В и т.д., то трехвалентный атом, располагаясь в узле кристаллической решетки, сможет установить (обеспечить) лишь три ковалентные связи с соседними атомами. Отсутствующая четвертая валентная связь у трехвалентного атома, расположенного в узле кристаллической решетки, относительно легко может быть заполнена общим валентным электроном соседней пары атомов. Трехвалентный примесный атом, захвативший дополнительный (четвертый) валентный электрон, превращается в неподвижный отрицательно заряженный ион, а у соседней пары атомов, потерявших один валентный электрон, возникает дырка. Отрицательный ион – это атом, получивший электрон. В дальнейшем дырка под действием тепла, путем последовательного перемещения валентных электронов, начинает хаотически блуждать по всему кристаллу, становясь подвижным носителем положительного заряда.

Такая примесь называется акцепторной. При введении такой примеси концентрация дырок в кристалле возрастает и его электропроводность приобретает дырочный характер (электропроводность р-типа). При обычных температурах почти все примесные атомы ионизируются. В данном случае основными носителями заряда являются дырки. А неосновными – электроны проводимости, возникающие вследствие процесса термогенерации.

Электропроводность полупроводника, обусловленная примесями, называется примесной электропроводностью.

Т.о. в полупроводниках n–типа ток переносят отрицательно заряженные частицы – электроны, а в полупроводниках p–типа – положительно заряженные частицы – дырки. Перемещение дырок – это перемещение мест с отсутствующими электронами в результате движения электронов.

Основой полупроводникового диода является двухслойная структура, созданная на основе кристалла полупроводника, имеющего две области. В одну область кристалла вводится донорная примесь (n- область), а в другую – акцепторная (p- область).

Граница раздела двух областей с различной проводимостью называется. p-n переходом. В приграничных областях двух полупроводниковых сред с различным типом проводимости происходит диффузионное перемещение (взаимопроникновение) подвижных носителей зарядов. Дырки диффундируют из p-области, где их много, в n-область, где их относительно мало, а электроны проводимости, наоборот, из n-области в p-область. Из-за встречной диффузии через p-n переход дырок (из р- в n- область) и электронов (из n- в р- область) в тонком слое вблизи p-n перехода происходит рекомбинация (взаимная компенсация) дырок и электронов (дырки заполняются электронами). В результате между р- и n- областями образуется так называемый обедненный слой, который имеет очень мало свободных носителей заряда. Обедненный слой, лишенный свободных носителей, ведет себя как изолятор.

Примечание: толщина p-n перехода зависит от концентрации примесей в р- и n-областях (при несимметричном p-n переходе, когда концентрация примеси в одной из областей больше, чем в другой, обедненный слой практически располагается в области с малой концентрацией примеси).

Как только электроны покидают n- область, в ней начинает действовать суммарный заряд лишних положительных ионов, который будет тянуть свободные электроны обратно и препятствовать их движению в сторону р-n перехода. Точно также, когда дырки покидают p- область, в ней начинает действовать суммарный заряд лишних отрицательных ионов, который будет тянуть свободные дырки обратно и препятствовать их движению в сторону р-n перехода. Эти равные по абсолютной величине заряды неподвижных ионов примесей оказываются не скомпенсированы и создадут по обе стороны p-n перехода область объемного заряда. Этот объемный заряд образует потенциальный барьер. Потенциальный барьер затрудняет диффузию основных носителей. Энергия носителей зарядов оказывается недостаточной, чтобы преодолеть этот барьер, поэтому их диффузия прекращается.

Однако, потенциальный барьер создает благоприятные условия для перехода неосновных носителей из одной области в другую. Так, некоторые электроны проводимости полупроводника р-типа, совершая беспорядочное тепловое движение, подходят к границе обедненного слоя, где их захватывает ускоряющее электрическое поле, и они переходят в n-область. То же самое происходит с дырками полупроводника n-типа, которые аналогичным способом переходят в р-область. Этот ток называют тепловым током Iт=Iтр+Iтn.

Если к полупроводниковому диоду приложить внешнее напряжение так, чтобы его положительный потенциал присоединен к p-слою, то дырки и электроны будут как бы отталкиваются источником внешнего напряжения в сторону р-n перехода. Переход основных носителей зарядов через границу (электронов из n-слоя и дырок из p-слоя) и их взаимная компенсация возрастают, потенциальный барьер уменьшается. Следовательно, через диод будет протекать ток. Источник будет поставлять в n-слой новые электроны, а в p-слое создавать новые дырки.

При обратном знаке напряжения электроны притягиваются к положительному потенциалу источника, а дырки - к отрицательному, потенциальный барьер в области p-n перехода увеличивается, переход зарядов через границу почти прекращается, ток через диод очень мал. Этот ток обусловлен тепловым разрушением ковалентных связей в обоих слоях и образованием пар электрон-дырка. Эти неосновные носители (электроны в p-слое и дырки в n-слое) имеют такой знак заряда, который способствует их прохождению через переход.

Полупроводниковый диод – это своеобразный конденсатор: области n и p можно рассматривать как обкладки конденсатора, а p-n переход – как изолятор между обкладками. Различают диффузионную (при прямом приложенном напряжении) и барьерную (при обратном напряжении) емкости диода. Емкость полупроводникового диода – это бесплатное приложение к его основному свойству – к односторонней проводимости. Во многих случаях это свойство является вредным, т.к. ухудшает работу диода на высоких частотах, в импульсных режимах и обуславливает его инерционность.

Вывод p-слоя называется анодом (А). Вывод n-слоя называется катодом (К).

Диод является проводником, поэтому в цепи должен быть элемент, ограничивающий ток. Таким элементом является резистор Rн. Ток через него равен: I=(U - U_пр)/Rн. U_пр»0, поэтому I=U/Rн; U_Rн=IRн=U.

При обратном включении диода через него протекает незначительный обратный ток. Для диодов на малые токи обратный ток может составлять десятки нА, у больших диодов - десятки mА. При обратном включении диода U=U_Rн+U_обр, U_Rн=I_обр×R_н»0, т.к. I_обр»0, поэтому U=U_обр.

Часто диод включен в схему, где приложенное напряжение является переменным. Виды этих напряжений:

1. Синусоидальное.

2. Прямоугольное.

3. Треугольное.

4. Экспоненциальное.