группы МФ3151 («Прикладная физика»)
№ | Тема курсовой работы | Руководитель | Студент |
Разработка подпрограммы Matlab для расчета поглощенной дозы электронного излучения в полимерах. | Пожидаев Е.Д. | ||
Разработка подпрограммы Matlab для расчета объемного заряжения пленок полиимида. | Пожидаев Е.Д. | ||
Разработка подпрограммы Matlab для расчета объемного заряжения пленок полиэтилентерефталата. | Пожидаев Е.Д. | ||
Разработка подпрограммы Matlab для расчета адиабатического нагрева пленок полимеров при их облучении электронами с энергией 40 кэВ. | Тютнев А.П. | ||
Моделирование объемного заряжения пленок полиимида с использованием ПО Matlab. | Тютнев А.П. | ||
Моделирование глубинного хода поглощенной дозы в полимерах с использованием ПО Matlab. | Тютнев А.П. | ||
Моделирование объемного заряжения пленок полимера с учетом дозовой зависимости радиационной электропроводности с использованием ПО Matlab. | Тютнев А.П. | ||
Расчеты энергии химической связи в молекуле Н2 на основе квазистатического приближения с использованием ПО Matlab. | Саенко В.С. | ||
Расчеты (с использованием ПО Matlab) поверхностных потенциалов полимера с открытой поверхностью при их облучении. | Саенко В.С. | ||
Моделирование зависимости электропроводности воды от концентрации ионогенных примесей с использованием ПО Matlab. | Саенко В.С. | ||
Моделирование объемного заряжения пленок полиэтилена при облучении электронами с энергией 50 кэВ с использованием ПО Matlab. | Саенко В.С. | ||
Моделирование объемного заряжения полимерных пленок для случая равномерной по объему инжекции электронов с использованием ПО Matlab. | Саенко В.С. | ||
Анализ и проведение расчетных оценок уровней электризации космических аппаратов в магнитосферной плазме. | Новиков Л.С. | ||
Исследование роли вторично-эмиссионных процессов в явлении электризации космических аппаратов. | Новиков Л.С. | ||
Химическое распыление материалов кислородной плазмой верхней атмосферы Земли. | Новиков Л.С. | ||
Радиационные воздействия на материалы и электронное оборудование космических аппаратов. | Новиков Л.С. | ||
Роль нанотехнологий и наноматериалов в развитии космической техники. | Новиков Л.С. | ||
Синхротронное излучение и его применение для исследований нанодисперсных материалов. | Смирнов И.С. | Гурьева П.В. | |
Рентгеновская рефлектометрия в исследованиях наноразмерных пленок и сверхрешеток. | Смирнов И.С. | ||
Рентгеновская томография: физические основы, возможности и применение. | Смирнов И.С. | ||
Эпитаксиальные пленки и их исследование методами рентгеновской дифрактометрии. | Смирнов И.С. | ||
Структура поверхности кристаллов и методы ее изучения. | Смирнов И.С. | ||
Физические основы плазменной обработки металлов. | Бондаренко Г.Г. | Аралбаев Руслан Сарсенбаевич | |
Повышение стабильности и воспроизводимости эмиссионных параметров металлопористых катодов в результате оптимизации технологического процесса. | Бондаренко Г.Г. | Горелова Екатерина Геннадьевна | |
Физические свойства и структура катодов для накаливаемых и безнакальных магнетронов. | Бондаренко Г.Г. | Кувшинов Павел Евгеньевич | |
Физические свойства пьезоэлектрических материалов, предназначенных для использования в микроэлектронных устройствах. | Бондаренко Г.Г. | Шеламов Владимир Андреевич | |
Расчет сечения рассеяния наночастиц в оптическом диапазоне. | Ихсанов Р.Ш. | ||
Излучение сферической наночастицы при возбуждении импульсом электромагнитного поля. | Ихсанов Р.Ш. | ||
Гамильтониан Хаббарда в физике конденсированного состояния. | Каган М.Ю. | ||
Поиск новых низкоразмерных магнитных систем | Попова Е.А. | ||
Особенности взаимодействия магнитных подсистем в квазиодномерных халдейновских магнетиках. | Попова Е.А. | ||
Исследование квантовых размерных эффектов в системах пониженной размерности. | Арутюнов К.Ю. | ||
Исследование неравновесных явлений в гибридных нанострукттурах. | Арутюнов К.Ю. | ||
Мезоскопическая сверхпроводимость. | Арутюнов К.Ю. | ||
Микроболометр - основа инфракрасной матрицы. | Рябчун С.А. | ||
Прием слабых оптических сигналов: счетчик фотонов. | Смирнов К.В. | ||
Углеродные нанотрубки - перспективная основа новой электроники. | Гольцман Г.Н. |