СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА
Наименование и цель работы.
Перечень приборов, использованных в экспериментах, с их краткими характеристиками.
Таблицы результатов измерений и расчетов h-параметров биполярного транзистора и крутизны стоко-затворной характеристики полевых транзисторов.
Изображения электрических схем испытания биполярного и полевого транзисторов и семейств входных и выходных ВАХ транзисторов.
Выводы по работе.
ТЕСТОВЫЕ ЗАДАНИЯ К РАБОТЕ 23
1. Назовите режимы работы биполярного транзистора и дайте им краткую характеристику.
2. Укажите, какой формулой описывается коэффициент передачи по току h21Э биполярного транзистора: О 
О 
О 
О 
3. Укажите, в какой схеме включения биполярного транзистора:
а) максимальное входное сопротивление:
О в схеме с ОЭ; О в схеме с ОБ; О в схеме с ОК;
б) максимальный коэффициент усиления по мощности:
О в схеме с ОЭ; О в схеме с ОБ; О в схеме с ОК.
4. Укажите порядок входного сопротивления полевых транзисторов, включенных по схеме с ОИ:
О десятки-сотни ом; О десятки-сотни килоом; О десятки-сотни мегаом.
5, Укажите возможную максимальную частоту преобразования сигналов в устройствах на базе полевого транзистора:
а) с управляющим р-n-переходом:
О 500 МГц; О 1-2 ГГц; О 8-10 ГГц; О 12-18 ГГц;
б) с изолированным затвором:
О 500 МГц; О 1-2 ГГц; О 8-10 ГГц; О 12-18 ГГц.
6. Укажите номер стоко-затворной характеристики n-канального полевого транзистора (рис. 23.11):
а) с индуцированным каналом: О 1; О 2; О 3;
б) с управляющим p-n-переходом: О 1; О 2; О 3;
в) со встроенным каналом: О 1; О 2; О 3.
7. Каков физический смысл h-параметров и при каких условиях их определяют?
8. Укажите, какая схема включения биполярного транзистора наиболее распространена:
О схема с ОЭ; О схема с ОК; О схема с ОБ.
9. Укажите, какие основные носители зарядов в полевом транзисторе:
а) с n-каналом: О электроны; О дырки; О электроны и дырки;
б) с р-каналом: О электроны; О дырки; О электроны и дырки.
10. Укажите, какими преимуществами обладают полевые транзисторы по сравнению с биполярными:
малой инерционностью, обусловленной только процессами перезарядки его входной и выходной емкостей. В полевых транзисторах отсутствуют процессы накапливания и рассасывания объемного заряда неосновных носителей, оказывающих заметное влияние на быстродействие биполярных транзисторов; пониженным выходным сопротивлением;
высоким входным сопротивлением по постоянному току и высокой технологичностью;
большим падением напряжения UСИ при коммутациях малых сигналов; большей температурной стабильностью его характеристик; пренебрежительно малым входным током, не зависящим от напряжения между затвором и истоком.
11. Определите понятия полевых транзисторов: а) пороговое напряжение; б) напряжение отсечки; в) напряжение насыщения.
12.Укажите, в чем различие между транзисторами с управляющим p-n-переходом и МДП-транзисторами:
в характере изменения сечения проводящего канала: в транзисторе с p-n-переходом площадь поперечного сечения канала меняется за счет изменения площади обедненного слоя обратно включенного p-n-перехода, а в МДП-транзисторе сечение проводящего канала меняется за счет изменения припо верхностного обогащенного носителями зарядов слоя или созданием и расширением возникающего инверсионного слоя в полупроводнике; полевые транзисторы с р-n-переходом работают только на обеднение канала носителями зарядов, а МДП-транзисторы работают всегда только на обогащение проводящего канала;
в максимальной границе частоты fm преобразования сигналов: для устройств на транзисторах с р-n-переходом частота fm = 12—18 ГГц, а для устройств на МДП-транзисторах —fm = 1—2 ГГц;
в виде стоко-затворных характеристик: при нулевом напряжении на затворе у транзисторов с p-n-переходом ток стока максимальный, а у МДП-транзисторов - ничтожно малый.
13.Укажите, чем отличаются МДП-транзисторы от МОП-транзисторов:
материалом изоляции между затвором и каналом: у первых — диэлектрик, у вторых - диоксид кремния;
материалом подложки: у первых — диэлектрик, у вторых — двуокись кремния; конструкцией канала: в МДП-транзисторах встроенный канал, а в МОП-транзисторах — изолированный;
степенью обогащения канала: в МДП-транзисторах канал обеднен носителями заряда, а в МОП-транзисторах обогащен ими.
