Змінний струм колектора розраховують за виразом:
| iC = gm uBE, | (4.46) |
де uBE - змінний вхідний сигнал.
Динамічний вхідний опiр rp визначають за виразом:
 = rеb (bF + 1).
| (4.47) |
де rеb - опiр транзистора для малого змiнного сигналу, що подається на емітер. Опір rеb визначають як зворотну величину динамічній вхідній емітерній провідності geb
| (4.48) |
Приклад розв'язування задачі
Умова задачі.
Інтегрований 
-p-n транзистор створено в силіції. Середня концентрація домішки в області бази 
= 1. 
ат/м3; товщина бази 
мкм; дифузійна довжина електронів у базі 
.10-5 м, 
Транзистор функціонує за нормальних умов в активному режимі 
В, 
В. Площа p-n-переходу дорівнює 400 
Визначити: 1) струм IE; 2) струм IC; 3) струм IB.
Розв’язування задачі.
1. Розраховують концентрацію неосновних носіїв заряду в області бази за умов рівноваги. Розрахунки виконують за законом діючих мас:
 м-3.
|
2. Концентрацію неосновних надлишкових електронів в області бази визначають за рівнянням (4.4):
 ;
 ел/м3.
|
3. Коефіцієнт дифузії електронів 
визначають за рівнянням Ейнштейна.
Рухливість електронів 
визначають за рис. 2.2. Вона дорівнює 0,127 м2/(В×с). За нормальних умов (Т = 300 К) 
В коефіцієнт дифузії визначають за виразом:
 ;
|
  0,127×  м2 / c.
|
4. Розраховують зворотний струм насичення транзистора 
(4.15)
|
 A.
|
5. Розраховують струм колектора в режимі F
|
 мА.
|
6. Розраховують струм емітера 
в режимі F, знаючи що 
 ;
|
 A.
|
7. Розраховують струм емітера в режимі R
 ;
|
 A.
|
8. Розраховують струм колектора в режимі R
 ;
|
 A.
|
9. Розраховують струм емітера
|
 A.
|
10. Розраховують струм колектора
 ;
|
 A.
|
11. Струм бази визначають як суму струмів бази в режимі F та режимі R, але визначальним за умов задачі буде струм бази в режимі F
 ;
|
 A.
|
Рекомендована література
1. Прищепа М. М. Мікроелектроніка. В 3 ч. Ч. 1. Елементи мікроелектроніки [Текст]: навч. посіб. / М. М. Прищепа, В. П. Погребняк. / За ред. М. М. Прищепи. – К.: Вища шк., 2004. – 431 с.: іл.
2. Прищепа М. М. Мікроелектроніка. Елементи мікросхем. Збірник задач. [Текст]: навч. посіб. / М. М. Прищепа, В. П. Погребняк. / За ред. М. М. Прищепи. – К.: Вища шк., 2005. – 167 с.: іл.
3. Интегральные схемы на МДП-приборах: Пер. с англ./ Под ред. А.Н. Кармазинского. - М.: Мир, 1975. - 527 с., ил.
4. Березин А.С., Мочалкина О.Р. Технология и конструирование интегральных микросхем: Учеб. пособие для вузов/ Под ред. И.П. Степаненко. - М.: Радио и связь, 1983.- 232 с., ил.
5. Тилл У., Лаксон Дж. Интегральные схемы: Материалы, приборы, изготовление. Пер. с англ. - М.: Мир, 1985. - 501 с., ил.
РОЗДІЛ 5. РОЗРАХУНКИ ТА ПРОЕКТУВАННЯ ПОЛЬОВИХ ТРАНЗИСТОРІВ ІЗ ІЗОЛЬОВАНИМ ЗАСЛОНОМ
